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1、 圖2.1 定性分析一例 圖2.2 線分析一例 （Ta-Si-Ni合金） 圖2.5 X射線顯微分析儀結(jié)構(gòu)示意圖 圖2.5 X射線顯微分析儀結(jié)構(gòu)示意圖 圖2.5 X射線顯微分析儀結(jié)構(gòu)示意圖 圖2.5 X射線顯微分析儀結(jié)構(gòu)示意圖 圖2.6 X射線顯微分析儀所采用的各種信號(hào) 圖2.6 X射線顯微分析儀所采用的各種信號(hào) 圖2.6 X射線顯微分析儀所采用的各種信號(hào) 圖2.12 由35keV電子束和由其激發(fā)產(chǎn)生的X射線各自激發(fā)產(chǎn)生的X射線波長(zhǎng)與強(qiáng)度的關(guān)系（Mo） 圖2.16 莫塞萊定律圖示 圖2.17 CrK線的強(qiáng)度與加速電壓的關(guān)系 圖2.19 鉛的質(zhì)量吸收系數(shù)與波長(zhǎng)的關(guān)系 圖2.19 鉛的質(zhì)量吸收系數(shù)與
2、波長(zhǎng)的關(guān)系 圖2.20 背散射系數(shù)與原子序數(shù)的關(guān)系 圖2.21 樣品的傾斜與背散射電子按角度的分布（Au） 圖2.23 背散射電子的成分信息與凹凸信息分離觀察 圖2.24 吸收電流附帶的原子序數(shù)之外的其它信息 圖2.25 由二次電子所反映出的樣品電位分布說(shuō)明圖 圖2.26 N-P-N硅平面型晶體管的表面電位分布像 圖2.27 關(guān)于二次電子產(chǎn)生的說(shuō)明圖 圖2.27 關(guān)于二次電子產(chǎn)生的說(shuō)明圖 圖2.27 關(guān)于二次電子產(chǎn)生的說(shuō)明圖 圖2.27 關(guān)于二次電子產(chǎn)生的說(shuō)明圖 圖2.28 電子作用的有效范圍與其能量的關(guān)系 圖2.29 特征X射線產(chǎn)生區(qū)域的模型 圖2.30 分析區(qū)域的深度與加速電壓的關(guān)系 圖2.31 在Fe(90%)、Cr(10%)合金中，由熒光激發(fā)而產(chǎn)生的CrK線分布比例。 圖2.32 在Fe、Ni密接樣品中的熒光激發(fā)效應(yīng) 圖2.33 在樣品中深度為z的區(qū)域所產(chǎn)生信息量的分布圖 圖2.33 在樣品中深度為z的區(qū)域所產(chǎn)生信息量的分布圖 圖2.34 樣品上電子束照射點(diǎn)的溫度上升與其熱導(dǎo)率的關(guān)系加速電壓20kV，電子束直徑1m。 圖2.35 X射線的取出角 圖2.36 X射線的吸收和熒光X射線的產(chǎn)生與X射線取出角的關(guān)系。樣品：FeCr合金 圖2.37 分光晶體模型與布拉格衍射 圖2.37 分光晶體模型與布拉格衍射 圖2.38 Soller狹縫的作用 圖2.40 能量色散法裝置原理圖
電子探針顯微分析儀
