電力電子技術(shù)答案 機(jī)械工業(yè)出版社 第四版
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1、編號: 時間:2021年x月x日 書山有路勤為徑,學(xué)海無涯苦作舟 頁碼:第48頁 共49頁 目 錄 第1章 電力電子器件 1 第2章 整流電路 4 第3章 直流斬波電路 20 第4章 交流電力控制電路和交交變頻電路 26 第5章 逆變電路 31 第6章 PWM控制技術(shù) 35 第7章 軟開關(guān)技術(shù) 40 第8章 組合變流電路 42 第1章 電力電子器件 1. 使晶閘管導(dǎo)通的條件是什么? 答:使晶閘管導(dǎo)通的條件是:晶閘管承受正向陽極電壓,并在門極施加觸發(fā)電流(脈沖)?;颍簎AK>0且uGK>0。
2、 2. 維持晶閘管導(dǎo)通的條件是什么?怎樣才能使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷? 答:維持晶閘管導(dǎo)通的條件是使晶閘管的電流大于能保持晶閘管導(dǎo)通的最小電流,即維持電流。 要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷,可利用外加電壓和外電路的作用使流過晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下,即降到維持電流以下,便可使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。 3. 圖1-43中陰影部分為晶閘管處于通態(tài)區(qū)間的電流波形,各波形的電流最大值均為Im,試計算各波形的電流平均值Id1、Id2、Id3與電流有效值I1、I2、I3。 圖1-43 晶閘管導(dǎo)電波形 解:a) Id1==()0.2717 Im I1==0.
3、4767 Im b) Id2 ==()0.5434 Im I2 ==0.6741I c) Id3== Im I3 == Im 4. 上題中如果不考慮安全裕量,問100A的晶閘管能送出的平均電流Id1、Id2、Id3各為多少?這時,相應(yīng)的電流最大值Im1、Im2、Im3各為多少? 解:額定電流I T(AV) =100A的晶閘管,允許的電流有效值I =157A,由上題計算結(jié)果知 a) Im1329.35, Id10.2717 Im189.48 b)
4、 Im2232.90, Id20.5434 Im2126.56 c) Im3=2 I = 314, Id3= Im3=78.5 5. GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu),為什么GTO能夠自關(guān)斷,而普通晶閘管不能? 答:GTO和普通晶閘管同為PNPN結(jié)構(gòu),由P1N1P2和N1P2N2構(gòu)成兩個晶體管V1、V2,分別具有共基極電流增益和,由普通晶閘管的分析可得,+=1是器件臨界導(dǎo)通的條件。+>1,兩個等效晶體管過飽和而導(dǎo)通;+<1,不能維持飽和導(dǎo)通而關(guān)斷。 GTO之所以能夠自行關(guān)斷,而普通晶閘管不能,是因為GTO與普通晶閘管在設(shè)計和工藝方面有以下幾
5、點不同: 1) GTO在設(shè)計時較大,這樣晶體管V2控制靈敏,易于GTO關(guān)斷; 2) GTO導(dǎo)通時的+更接近于1,普通晶閘管+1.15,而GTO則為+1.05,GTO的飽和程度不深,接近于臨界飽和,這樣為門極控制關(guān)斷提供了有利條件; 3) 多元集成結(jié)構(gòu)使每個GTO元陰極面積很小,門極和陰極間的距離大為縮短,使得P2極區(qū)所謂的橫向電阻很小,從而使從門極抽出較大的電流成為可能。 6. 如何防止電力MOSFET因靜電感應(yīng)應(yīng)起的損壞? 答:電力MOSFET的柵極絕緣層很薄弱,容易被擊穿而損壞。MOSFET的輸入電容是低泄漏電容,當(dāng)柵極開路時極易受靜電干擾而充上超過20的擊穿電壓,所以為防止
6、MOSFET因靜電感應(yīng)而引起的損壞,應(yīng)注意以下幾點: ① 一般在不用時將其三個電極短接; ② 裝配時人體、工作臺、電烙鐵必須接地,測試時所有儀器外殼必須接地; ③ 電路中,柵、源極間常并聯(lián)齊納二極管以防止電壓過高 ④ 漏、源極間也要采取緩沖電路等措施吸收過電壓。 7. IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET的驅(qū)動電路各有什么特點? 答:IGBT驅(qū)動電路的特點是:驅(qū)動電路具有較小的輸出電阻,IGBT是電壓驅(qū)動型器件,IGBT的驅(qū)動多采用專用的混合集成驅(qū)動器。 GTR驅(qū)動電路的特點是:驅(qū)動電路提供的驅(qū)動電流有足夠陡的前沿,并有一定的過沖,這樣可加速開通過程,減小開通損耗,關(guān)斷
7、時,驅(qū)動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅(qū)動電流,并加反偏截止電壓,以加速關(guān)斷速度。 GTO驅(qū)動電路的特點是:GTO要求其驅(qū)動電路提供的驅(qū)動電流的前沿應(yīng)有足夠的幅值和陡度,且一般需要在整個導(dǎo)通期間施加正門極電流,關(guān)斷需施加負(fù)門極電流,幅值和陡度要求更高,其驅(qū)動電路通常包括開通驅(qū)動電路,關(guān)斷驅(qū)動電路和門極反偏電路三部分。 電力MOSFET驅(qū)動電路的特點:要求驅(qū)動電路具有較小的輸入電阻,驅(qū)動功率小且電路簡單。 8. 全控型器件的緩沖電路的主要作用是什么?試分析RCD緩沖電路中各元件的作用。 答:全控型器件緩沖電路的主要作用是抑制器件的內(nèi)因過電壓,du/dt或過電流和di/dt,減小器件的
8、開關(guān)損耗。 RCD緩沖電路中,各元件的作用是:開通時,Cs經(jīng)Rs放電,Rs起到限制放電電流的作用;關(guān)斷時,負(fù)載電流經(jīng)VDs從Cs分流,使du/dt減小,抑制過電壓。 9. 試說明IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET各自的優(yōu)缺點。 解:對IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET的優(yōu)缺點的比較如下表: 器 件 優(yōu) 點 缺 點 IGBT 開關(guān)速度高,開關(guān)損耗小,具有耐脈沖電流沖擊的能力,通態(tài)壓降較低,輸入阻抗高,為電壓驅(qū)動,驅(qū)動功率小 開關(guān)速度低于電力MOSFET,電壓,電流容量不及GTO GTR 耐壓高,電流大,開關(guān)特性好,通流能力強(qiáng),飽和壓降低 開關(guān)速度
9、低,為電流驅(qū)動,所需驅(qū)動功率大,驅(qū)動電路復(fù)雜,存在二次擊穿問題 GTO 電壓、電流容量大,適用于大功率場合,具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),其通流能力很強(qiáng) 電流關(guān)斷增益很小,關(guān)斷時門極負(fù)脈沖電流大,開關(guān)速度低,驅(qū)動功率大,驅(qū)動電路復(fù)雜,開關(guān)頻率低 電 力 MOSFET 開關(guān)速度快,輸入阻抗高,熱穩(wěn)定性好,所需驅(qū)動功率小且驅(qū)動電路簡單,工作頻率高,不存在二次擊穿問題 電流容量小,耐壓低,一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置 第2章 整流電路 1. 單相半波可控整流電路對電感負(fù)載供電,L=20mH,U2=100V,求當(dāng)α=0°和60°時的負(fù)載電流Id,并畫出ud與i
10、d波形。 解:α=0°時,在電源電壓u2的正半周期晶閘管導(dǎo)通時,負(fù)載電感L儲能,在晶閘管開始導(dǎo)通時刻,負(fù)載電流為零。在電源電壓u2的負(fù)半周期,負(fù)載電感L釋放能量,晶閘管繼續(xù)導(dǎo)通。因此,在電源電壓u2的一個周期里,以下方程均成立: 考慮到初始條件:當(dāng)wt=0時id=0可解方程得: ==22.51(A) ud與id的波形如下圖: 當(dāng)α=60°時,在u2正半周期60°~180°期間晶閘管導(dǎo)通使電感L儲能,電感L儲藏的能量在u2負(fù)半周期180°~300°期間釋放,因此在u2一個周期中60°~300°期間以下微分方程成立: 考
11、慮初始條件:當(dāng)wt=60°時id=0可解方程得: 其平均值為 ==11.25(A) 此時ud與id的波形如下圖: 2.圖2-9為具有變壓器中心抽頭的單相全波可控整流電路,問該變壓器還有直流磁化問題嗎?試說明:①晶閘管承受的最大反向電壓為2;②當(dāng)負(fù)載是電阻或電感時,其輸出電壓和電流的波形與單相全控橋時相同。 答:具有變壓器中心抽頭的單相全波可控整流電路,該變壓器沒有直流磁化的問題。 因為單相全波可控整流電路變壓器二次測繞組中,正負(fù)半周內(nèi)上下繞組內(nèi)電流的方向相反,波形對稱,其一個周期內(nèi)的平均電流為零,故不會有直流磁化的問題。 以下分析晶閘管承受最大反向電壓
12、及輸出電壓和電流波形的情況。 ① 以晶閘管VT2為例。當(dāng)VT1導(dǎo)通時,晶閘管VT2通過VT1與2個變壓器二次繞組并聯(lián),所以VT2承受的最大電壓為2。 ② 當(dāng)單相全波整流電路與單相全控橋式整流電路的觸發(fā)角a 相同時,對于電阻負(fù)載:(0~α)期間無晶閘管導(dǎo)通,輸出電壓為0;(α~π)期間,單相全波電路中VT1導(dǎo)通,單相全控橋電路中VT1、VT4導(dǎo)通,輸出電壓均與電源電壓u2相等;(π~π+α)期間,均無晶閘管導(dǎo)通,輸出電壓為0;(π+α ~ 2π)期間,單相全波電路中VT2導(dǎo)通,單相全控橋電路中VT2、VT3導(dǎo)通,輸出電壓等于- u2。 對于電感負(fù)載:(α ~ π+α)期間,單相全波電路中V
13、T1導(dǎo)通,單相全控橋電路中VT1、VT4導(dǎo)通,輸出電壓均與電源電壓u2相等;(π+α ~ 2π+α)期間,單相全波電路中VT2導(dǎo)通,單相全控橋電路中VT2、VT3導(dǎo)通,輸出波形等于- u2。 可見,兩者的輸出電壓相同,加到同樣的負(fù)載上時,則輸出電流也相同。 3.單相橋式全控整流電路,U2=100V,負(fù)載中R=2Ω,L值極大,當(dāng)α=30°時,要求:①作出ud、id、和i2的波形; ②求整流輸出平均電壓Ud、電流Id,變壓器二次電流有效值I2; ③考慮安全裕量,確定晶閘管的額定電壓和額定電流。 解:①ud、id、和i2的波形如下圖: ②輸出平均電
14、壓Ud、電流Id,變壓器二次電流有效值I2分別為 Ud=0.9 U2 cosα=0.9×100×cos30°=77.97(V) Id=Ud /R=77.97/2=38.99(A) I2=Id =38.99(A) ③晶閘管承受的最大反向電壓為: U2=100=141.4(V) 考慮安全裕量,晶閘管的額定電壓為: UN=(2~3)×141.4=283~424(V) 具體數(shù)值可按晶閘管產(chǎn)品系列參數(shù)選取。 流過晶閘管的電流有效值為: IVT=Id∕=27.57(A) 晶閘管的額定電流為: IN=(1.5~2)×27.57∕1.57=26~35(A) 具體數(shù)值可按晶閘管
15、產(chǎn)品系列參數(shù)選取。 4.單相橋式半控整流電路,電阻性負(fù)載,畫出整流二極管在一周內(nèi)承受的電壓波形。 解:注意到二極管的特點:承受電壓為正即導(dǎo)通。因此,二極管承受的電壓不會出現(xiàn)正的部分。在電路中器件均不導(dǎo)通的階段,交流電源電壓由晶閘管平衡。 整流二極管在一周內(nèi)承受的電壓波形如下: 5.單相橋式全控整流電路,U2=100V,負(fù)載中R=2Ω,L值極大,反電勢E=60V,當(dāng)a=30°時,要求: ① 作出ud、id和i2的波形; ② 求整流輸出平均電壓Ud、電流Id,變壓器二次側(cè)電流有效值I2; ③ 考慮安全裕量,確定晶閘管的額定電壓和額定電流。 解:①
16、ud、id和i2的波形如下圖: ②整流輸出平均電壓Ud、電流Id,變壓器二次側(cè)電流有效值I2分別為 Ud=0.9 U2 cosα=0.9×100×cos30°=77.97(A) Id =(Ud-E)/R=(77.97-60)/2=9(A) I2=Id =9(A) ③晶閘管承受的最大反向電壓為: U2=100=141.4(V) 流過每個晶閘管的電流的有效值為: IVT=Id ∕=6.36(A) 故晶閘管的額定電壓為: UN=(2~3)×141.4=283~424(V) 晶閘管的額定電流為: IN=(1.5~2)×6.36∕1.57=6~8(A)
17、 晶閘管額定電壓和電流的具體數(shù)值可按晶閘管產(chǎn)品系列參數(shù)選取。 6. 晶閘管串聯(lián)的單相半控橋(橋中VT1、VT2為晶閘管),電路如圖2-11所示,U2=100V,電阻電感負(fù)載,R=2Ω,L值很大,當(dāng)a=60°時求流過器件電流的有效值,并作出ud、id、iVT、iD的波形。 解:ud、id、iVT、iD的波形如下圖: 負(fù)載電壓的平均值為: =67.5(V) 負(fù)載電流的平均值為: Id=Ud∕R=67.52∕2=33.75(A) 流過晶閘管VT1、VT2的電流有效值為: IVT=Id=19.49(A) 流過二極管VD3、VD4的
18、電流有效值為: IVD=Id=27.56(A) 7. 在三相半波整流電路中,如果a相的觸發(fā)脈沖消失,試?yán)L出在電阻性負(fù)載和電感性負(fù)載下整流電壓ud的波形。 解:假設(shè),當(dāng)負(fù)載為電阻時,ud的波形如下: 當(dāng)負(fù)載為電感時,ud的波形如下: 8.三相半波整流電路,可以將整流變壓器的二次繞組分為兩段成為曲折接法,每段的電動勢相同,其分段布置及其矢量如圖2-60所示,此時線圈的繞組增加了一些,銅的用料約增加10%,問變壓器鐵心是否被直流磁化,為什么? 圖2-60 變壓器二次繞組的曲折接法及其矢量圖 答:變壓器鐵心不會被直流磁化。原因如下: 變壓器二次繞組
19、在一個周期內(nèi):當(dāng)a1c2對應(yīng)的晶閘管導(dǎo)通時,a1的電流向下流,c2的電流向上流;當(dāng)c1b2對應(yīng)的晶閘管導(dǎo)通時,c1的電流向下流,b2的電流向上流;當(dāng)b1a2對應(yīng)的晶閘管導(dǎo)通時,b1的電流向下流,a2的電流向上流;就變壓器的一次繞組而言,每一周期中有兩段時間(各為120°)由電流流過,流過的電流大小相等而方向相反,故一周期內(nèi)流過的電流平均值為零,所以變壓器鐵心不會被直流磁化。 9.三相半波整流電路的共陰極接法與共陽極接法,a、b兩相的自然換相點是同一點嗎?如果不是,它們在相位上差多少度? 答:三相半波整流電路的共陰極接法與共陽極接法,a、b兩相之間換相的的自然換相點不是同一點。它
20、們在相位上相差180°。 10.有兩組三相半波可控整流電路,一組是共陰極接法,一組是共陽極接法,如果它們的觸發(fā)角都是a,那末共陰極組的觸發(fā)脈沖與共陽極組的觸發(fā)脈沖對同一相來說,例如都是a相,在相位上差多少度? 答:相差180°。 11.三相半波可控整流電路,U2=100V,帶電阻電感負(fù)載,R=5Ω,L值極大,當(dāng)a=60°時,要求: ① 畫出ud、id和iVT1的波形; ② 計算Ud、Id、IdT和IVT。 解:①ud、id和iVT1的波形如下圖: ②Ud、Id、IdT和IVT分別如下 Ud=1.17U2cosa=1.17×100×cos60°
21、=58.5(V) Id=Ud∕R=58.5∕5=11.7(A) IdVT=Id∕3=11.7∕3=3.9(A) IVT=Id∕=6.755(A) 12.在三相橋式全控整流電路中,電阻負(fù)載,如果有一個晶閘管不能導(dǎo)通,此時的整流電壓ud波形如何?如果有一個晶閘管被擊穿而短路,其他晶閘管受什么影響? 答:假設(shè)VT1不能導(dǎo)通,整流電壓ud波形如下: 假設(shè)VT1被擊穿而短路,則當(dāng)晶閘管VT3或VT5導(dǎo)通時,將發(fā)生電源相間短路,使得VT3、VT5也可能分別被擊穿。 13.三相橋式全控整流電路,U2=100V,帶電阻電感負(fù)載,R=5Ω,L值極大,當(dāng)a=60°時,要求
22、: ① 畫出ud、id和iVT1的波形; ② 計算Ud、Id、IdT和IVT。 解:①ud、id和iVT1的波形如下: ②Ud、Id、IdT和IVT分別如下 Ud=2.34U2cosa=2.34×100×cos60°=117(V) Id=Ud∕R=117∕5=23.4(A) IDVT=Id∕3=23.4∕3=7.8(A) IVT=Id∕=23.4∕=13.51(A) 14.單相全控橋,反電動勢阻感負(fù)載,R=1Ω,L=∞,E=40V,U2=100V,LB=0.5mH,當(dāng)a=60°時求Ud、Id與g 的數(shù)值,并畫出整流電壓ud的波形。 解:考慮LB時,有
23、: Ud=0.9U2cosα-ΔUd ΔUd=2XBId∕π Id=(Ud-E)∕R 解方程組得: Ud=(πR 0.9U2cosα+2XBE)∕(πR+2XB)=44.55(V) ΔUd=0.455(V) Id=4.55(A) 又∵ -=∕U2 即得出 =0.4798 換流重疊角 g = 61.33°- 60°=1.33° 最后,作出整流電壓Ud的波形如下: 15.三相半波可控整流電路,反電動勢阻感負(fù)載,U2=100V,R=1Ω,L=∞,LB=1mH,求當(dāng)a=30°時、E=50V時Ud、Id、g 的值并作出ud與i
24、VT1和iVT2的波形。 解:考慮LB時,有: Ud=1.17U2cosα-ΔUd ΔUd=3XBId∕2π Id=(Ud-E)∕R 解方程組得: Ud=(πR 1.17U2cosα+3XBE)∕(2πR+3XB)=94.63(V) ΔUd=6.7(V) Id=44.63(A) 又∵ -=2∕U2 即得出 =0.752 換流重疊角 g = 41.28°- 30°=11.28° ud、iVT1和iVT2的波形如下: 16.三相橋式不可控整流電路,阻感負(fù)載,R=5Ω,L=∞,U2=220V,XB=0.3Ω,求Ud、Id、IV
25、D、I2和g 的值并作出ud、iVD和i2的波形。 解:三相橋式不可控整流電路相當(dāng)于三相橋式可控整流電路α=0°時的情況。 Ud=2.34U2cosα-ΔUd ΔUd=3XBId∕π Id=Ud∕R 解方程組得: Ud=2.34U2cosα∕(1+3XB/πR)=486.9(V) Id=97.38(A) 又∵ -=2∕U2 即得出 =0.892 換流重疊角 g =26.93° 二極管電流和變壓器二次測電流的有效值分別為 IVD=Id∕3=97.38∕3=32.46(A) I2a= Id=79.51(A) ud、iVD1和i2a的
26、波形如下: 17.三相全控橋,反電動勢阻感負(fù)載,E=200V,R=1Ω,L=∞,U2=220V,a=60°,當(dāng)①LB=0和②LB=1mH情況下分別求Ud、Id的值,后者還應(yīng)求g 并分別作出ud與iT的波形。 解:①當(dāng)LB=0時: Ud=2.34U2cosα=2.34×220×cos60°=257.4(V) Id=(Ud-E)∕R=(257.4-200)∕1=57.4(A) ②當(dāng)LB=1mH時 Ud=2.34U2cosα-ΔUd ΔUd=3XBId∕π Id=(Ud-E)∕R 解方程組得: Ud=(2.34πU2R cosα+3XBE)∕(πR+3XB)=244.15
27、(V) Id=44.15(A) ΔUd=13.25(V) 又∵-=2XBId∕U2 =0.4485 γ=63.35°-60°=3.35° ud、IVT1和IVT2的波形如下: 18.單相橋式全控整流電路,其整流輸出電壓中含有哪些次數(shù)的諧波?其中幅值最大的是哪一次?變壓器二次側(cè)電流中含有哪些次數(shù)的諧波?其中主要的是哪幾次? 答:單相橋式全控整流電路,其整流輸出電壓中含有2k(k=1、2、3…)次諧波,其中幅值最大的是2次諧波。變壓器二次側(cè)電流中含有2k+1(k=1、2、3……)次即奇次諧波,其中主要的有3次、5次諧波。 19.三相橋式全控整流電路,其整流輸出電壓中含
28、有哪些次數(shù)的諧波?其中幅值最大的是哪一次?變壓器二次側(cè)電流中含有哪些次數(shù)的諧波?其中主要的是哪幾次? 答:三相橋式全控整流電路的整流輸出電壓中含有6k(k=1、2、3……)次的諧波,其中幅值最大的是6次諧波。變壓器二次側(cè)電流中含有6k±1(k=1、2、3……)次的諧波,其中主要的是5、7次諧波。 20.試計算第3題中i2的3、5、7次諧波分量的有效值I23、I25、I27。 解:在第3題中已知電路為單相全控橋,其輸出電流平均值為 Id=38.99(A) 于是可得: I23=2Id∕3π=2×38.99∕3π=11.7(A) I25=2Id∕5π=2×38.99∕5π=7.02
29、(A) I27=2Id∕7π=2×38.99∕7π=5.01(A) 21.試計算第13題中i2的5、7次諧波分量的有效值I25、I27。 解:第13題中,電路為三相橋式全控整流電路,且已知 Id=23.4(A) 由此可計算出5次和7次諧波分量的有效值為: I25=Id∕5π=×23.4∕5π=3.65(A) I27=Id∕7π=×23.4∕7π=2.61(A) 22. 試分別計算第3題和第13題電路的輸入功率因數(shù)。 解:①第3題中基波電流的有效值為: I1=2Id∕π=2×38.99∕π=35.1(A) 基波因數(shù)為 n=I1∕I=I1∕Id=35.1∕38.99
30、=0.9 電路的輸入功率因數(shù)為: l=n =0.9 cos30°=0.78 ②第13題中基波電流的有效值: I1=Id∕π=×23.39∕π=18.243(A) 基波因數(shù)為 n=I1∕I=I1∕Id=0.955 電路的輸入功率因數(shù)為: l=n =0.955 cos60°=0.48 23.帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路與三相橋式全控整流電路相比有何主要異同? 答:帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路與三相橋式全控整流電路相比有以下異同點: ①三相橋式電路是兩組三相半波電路串聯(lián),而雙反星形電路是兩組三相半波電路并聯(lián),且后者需要用平衡電抗器; ②當(dāng)變壓器二次電壓
31、有效值U2相等時,雙反星形電路的整流電壓平均值Ud是三相橋式電路的1/2,而整流電流平均值Id是三相橋式電路的2倍。 ③在兩種電路中,晶閘管的導(dǎo)通及觸發(fā)脈沖的分配關(guān)系是一樣的,整流電壓ud和整流電流id的波形形狀一樣。 24.整流電路多重化的主要目的是什么? 答:整流電路多重化的目的主要包括兩個方面,一是可以使裝置總體的功率容量大,二是能夠減少整流裝置所產(chǎn)生的諧波和無功功率對電網(wǎng)的干擾。 25.12脈波、24脈波整流電路的整流輸出電壓和交流輸入電流中各含哪些次數(shù)的諧波? 答:12脈波電路整流電路的交流輸入電流中含有11次、13次、23次、25次等即12k±1、(k=1,2,3
32、···)次諧波,整流輸出電壓中含有12、24等即12k(k=1,2,3···)次諧波。 24脈波整流電路的交流輸入電流中含有23次、25次、47次、49次等,即24k±1(k=1,2,3···)次諧波,整流輸出電壓中含有24、48等即24k(k=1,2,3···)次諧波。 26.使變流器工作于有源逆變狀態(tài)的條件是什么? 答:條件有二: ①直流側(cè)要有電動勢,其極性須和晶閘管的導(dǎo)通方向一致,其值應(yīng)大于變流電路直流側(cè)的平均電壓; ②要求晶閘管的控制角α>π/2,使Ud為負(fù)值。 27.三相全控橋變流器,反電動勢阻感負(fù)載,R=1Ω,L=∞,U2=220V,LB=1mH,當(dāng)EM=-40
33、0V,b=60°時求Ud、Id與g 的值,此時送回電網(wǎng)的有功功率是多少? 解:由題意可列出如下3個等式: Ud=2.34U2cos(π-β)-ΔUd ΔUd=3XBId∕π Id=(Ud-EM)∕R 三式聯(lián)立求解,得 Ud=[2.34πU2R cos(π-β)+3XBEM]∕(πR+3XB)=-290.3(V) Id=109.7(A) 由下式可計算換流重疊角: -=2XBId∕U2=0.1279 =-0.6279 γ=128.90°-120°=8.90° 送回電網(wǎng)的有功功率為 P==400×109.7-109.72×109.7×1=31.85(W) 28
34、.單相全控橋,反電動勢阻感負(fù)載,R=1Ω,L=∞,U2=100V,L=0.5mH,當(dāng)EM=-99V,b=60°時求Ud、Id和g 的值。 解:由題意可列出如下3個等式: Ud=0.9U2cos(π-β)-ΔUd ΔUd=2XBId∕π Id=(Ud-EM)∕R 三式聯(lián)立求解,得 Ud=[πR 0.9U2cos(π-β)+2XBEM]∕(πR+2XB)=-49.91(V) Id=49.09(A) 又∵ -=∕U2=0.2181 即得出 =-0.7181 換流重疊角 g =135.9°- 120°=15.9° 29.什么是逆變失?。咳绾畏乐鼓?/p>
35、變失?。? 答:逆變運(yùn)行時,一旦發(fā)生換流失敗,外接的直流電源就會通過晶閘管電路形成短路,或者使變流器的輸出平均電壓和直流電動勢變?yōu)轫樝虼?lián),由于逆變電路內(nèi)阻很小,形成很大的短路電流,稱為逆變失敗或逆變顛覆。 防止逆變失敗的方法有:采用精確可靠的觸發(fā)電路,使用性能良好的晶閘管,保證交流電源的質(zhì)量,留出充足的換向裕量角β等。 30.單相橋式全控整流電路、三相橋式全控整流電路中,當(dāng)負(fù)載分別為電阻負(fù)載或電感負(fù)載時,要求的晶閘管移相范圍分別是多少? 答:單相橋式全控整流電路,當(dāng)負(fù)載為電阻負(fù)載時,要求的晶閘管移相范圍是0 ~ 180°,當(dāng)負(fù)載為電感負(fù)載時,要求的晶閘管移相范圍是0 ~ 90°。
36、 三相橋式全控整流電路,當(dāng)負(fù)載為電阻負(fù)載時,要求的晶閘管移相范圍是0 ~ 120°,當(dāng)負(fù)載為電感負(fù)載時,要求的晶閘管移相范圍是0 ~ 90°。 31.三相全控橋,電動機(jī)負(fù)載,要求可逆,整流變壓器的接法是D,y-5,采用NPN鋸齒波觸發(fā)器,并附有滯后30°的R-C濾波器,決定晶閘管的同步電壓和同步變壓器的聯(lián)結(jié)形式。 解:整流變壓器接法如下圖所示 以a相為例,ua的120°對應(yīng)于α=90°,此時Ud=0,處于整流和逆變的臨界點。該點與鋸齒波的中點重合,即對應(yīng)于同步信號的300°,所以同步信號滯后ua 180°,又因為R-C濾波已使同步信號滯后30°,所以同步信號只要再滯后15
37、0°就可以了。 滿足上述關(guān)系的同步電壓相量圖及同步變壓器聯(lián)結(jié)形式如下兩幅圖所示。 各晶閘管的同步電壓選取如下表: 晶閘管 VT1 VT2 VT3 VT4 VT5 VT6 同步電壓 -usb usa -usc usb -usa usc 第3章 直流斬波電路 1.簡述圖3-1a所示的降壓斬波電路工作原理。 答:降壓斬波器的原理是:在一個控制周期中,讓V導(dǎo)通一段時間ton,由電源E向L、R、M供電,在此期間,uo=E。然后使V關(guān)斷一段時間toff,此時電感L通過二極管VD向R和M供電,uo=0。一個周期內(nèi)的
38、平均電壓Uo=。輸出電壓小于電源電壓,起到降壓的作用。 2.在圖3-1a所示的降壓斬波電路中,已知E=200V,R=10Ω,L值極大,EM=30V,T=50μs,ton=20μs,計算輸出電壓平均值Uo,輸出電流平均值Io。 解:由于L值極大,故負(fù)載電流連續(xù),于是輸出電壓平均值為 Uo===80(V) 輸出電流平均值為 Io ===5(A) 3.在圖3-1a所示的降壓斬波電路中,E=100V, L=1mH,R=0.5Ω,EM=10V,采用脈寬調(diào)制控制方式,T=20μs,當(dāng)ton=5μs時,計算輸出電壓平均值Uo,輸出電流平均值Io,計算輸出電流的最大和最小值
39、瞬時值并判斷負(fù)載電流是否連續(xù)。當(dāng)ton=3μs時,重新進(jìn)行上述計算。 解:由題目已知條件可得: m===0.1 τ===0.002 當(dāng)ton=5μs時,有 ρ==0.01 ar==0.0025 由于 ==0.249>m 所以輸出電流連續(xù)。 此時輸出平均電壓為 Uo ===25(V) 輸出平均電流為 Io ===30(A) 輸出電流的最大和最小值瞬時值分別為 Imax===30.19(A) Imin===29.81(A) 當(dāng)ton=3μs時,采用同樣的方法可以得出: αρ=0.0015 由于 ==0.149>
40、m 所以輸出電流仍然連續(xù)。 此時輸出電壓、電流的平均值以及輸出電流最大、最小瞬時值分別為: Uo ===15(V) Io ===10(A) Imax==10.13(A) Imin==9.873(A) 4.簡述圖3-2a所示升壓斬波電路的基本工作原理。 答:假設(shè)電路中電感L值很大,電容C值也很大。當(dāng)V處于通態(tài)時,電源E向電感L充電,充電電流基本恒定為I1,同時電容C上的電壓向負(fù)載R供電,因C值很大,基本保持輸出電壓為恒值Uo。設(shè)V處于通態(tài)的時間為ton,此階段電感L上積蓄的能量為。當(dāng)V處于斷態(tài)時E和L共同向電容C充電并向負(fù)載R提供能量。設(shè)V處于斷態(tài)的時間為to
41、ff,則在此期間電感L釋放的能量為。當(dāng)電路工作于穩(wěn)態(tài)時,一個周期T中電感L積蓄的能量與釋放的能量相等,即: 化簡得: 式中的,輸出電壓高于電源電壓,故稱該電路為升壓斬波電路。 5.在圖3-2a所示的升壓斬波電路中,已知E=50V,L值和C值極大,R=20Ω,采用脈寬調(diào)制控制方式,當(dāng)T=40μs,ton=25μs時,計算輸出電壓平均值Uo,輸出電流平均值Io。 解:輸出電壓平均值為: Uo ===133.3(V) 輸出電流平均值為: Io ===6.667(A) 6.試分別簡述升降壓斬波電路和Cuk斬波電路的基本原理,并比較其異同點。 答:升降壓
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