【題庫】清北學(xué)堂2011暑期試題及答案 09《結(jié)構(gòu)化學(xué)》(李宗和教授)
清北學(xué)堂2011暑期試題 09《結(jié)構(gòu)化學(xué)》
(李宗和教授)
(一) A,B,C,D為第四周期的四種元素,原子序數(shù)依次增大,
價(jià)電子數(shù)依次為1,2,2,7,A和B次外層電子數(shù)均為8,C和D次外層電子數(shù)均為18。
1.請指出四種元素的名稱,符號(hào),原子序數(shù)。
2.根據(jù)原子結(jié)構(gòu)判斷, 哪些是金屬元素?
3.D 與A的簡單離子是什么?
4.那一元素的氫氧化物堿性最強(qiáng)?
5. B與D兩原子間形成何種化合物?寫出化學(xué)式。
(二)氫,氮,氧是日常生活中三中重要元素,了解它和它的一些化合物是有益的,請回答下列一些簡單問題。
?。ǎ保懗鰵涞跞氐脑胤?hào),并指出其原子結(jié)構(gòu)。
(2)氫氮氧在常溫下以氣體形式存在,請寫出他們的分子式,并指明原子間的化學(xué)鍵。
?。ǎ常錃馀c氧氣反應(yīng)生成水,請畫出水分子的結(jié)構(gòu)示意圖。
?。?)氫分子與氮分子在773K,30MPa和鐵催化劑下反應(yīng)生成氨,請畫出氨分子的結(jié)構(gòu)示意圖。
(5) 氨易溶于水,呈堿性,隨溫度升高溶解度降低。請用結(jié)構(gòu)圖表示出一些物質(zhì)的氮?dú)溲蹰g鍵的變化?! ?
(6)氨在用氣燃燒可能生成HNO中間體。請指出氫氮氧在HNO分子中的化合價(jià)及氧化值。
(三) 有MnS,FeS,CdI2三種晶體,請回答下列問題。
(1)各屬什么類型晶體
(2) 金屬離子的配位數(shù)
(3)金屬原子價(jià)電子
(4) 各晶體自旋平行(未配對)電子數(shù)Ns
未配對電子數(shù)(Ns)
=2價(jià)軌道數(shù)(O)-價(jià)電子數(shù)(i)-成鍵獲得電子數(shù)(V)
即: Nx=2O-i-V
(5) 根據(jù)下式計(jì)算各晶體的磁矩,并與實(shí)驗(yàn)值比較(MnS,FeS,CdI2的磁矩分別為5.61B,5.24B,0),說明為什麼?
=[Ns(Ns+2)]1/2B (B,玻爾磁子)
(四) NiO晶體為NaCL型結(jié)構(gòu),將它在氧氣中加熱,部分Ni將氧化為Ni3+,成為NixO(x<1)。今有一批NixO,測得密度(D)為6.47g.cm-3,用波長=154pm的x射線測得立方晶胞衍射指標(biāo)為111的衍射角=18.710。(Ni的原子量為58.70)
(a) 計(jì)算NixO的立方晶胞參數(shù)a
(b) 計(jì)算x值,并標(biāo)明Ni的氧化數(shù)的化學(xué)式
(c) Ni晶體中,O2-的堆積方式怎樣?Ni在堆積中占據(jù)那種空隙?占有率多少?
(d) NixO晶體中Ni—Ni最短距離。
(e) 計(jì)算NixO的立方晶胞參數(shù)a
(f) 計(jì)算x值,并標(biāo)明Ni的氧化數(shù)的化學(xué)式
(g) Ni晶體中,O2-的堆積方式怎樣?Ni在堆積中占據(jù)那種空隙?占有率多少?
(h) NixO晶體中Ni—Ni最短距離。
(五)B5H9+Fe(CO)5?。拢矗龋福疲澹ǎ茫希?
(1) 請畫出B4H8Fe(CO)3的結(jié)構(gòu)圖.
(2) 請指出B4H8Fe(CO)3的價(jià)電子數(shù)(N)
(3)B4H8Fe(CO)3鍵的類型,各有幾個(gè)?
(4)請舉出一個(gè)與B4H8Fe(CO)3有相同結(jié)構(gòu)可能的分子
(六)1985年Kroto和Smaller領(lǐng)導(dǎo)的研究小組發(fā)現(xiàn)了以C60為代表的碳的另一個(gè)家族,極大地豐富了碳化學(xué)。認(rèn)識(shí)C60有利于制備新性質(zhì)的化合物,請問:
(1)C60這個(gè)封閉多面體由多少個(gè)五元環(huán)和六圓環(huán)的面組成,共有多少條邊?
(2) C60每一個(gè)碳參加形成2個(gè)六圓環(huán)和一個(gè)五圓環(huán)形成3個(gè)鍵與大的離域型鍵。假定間的夾角為1160,求離域型鍵所含單個(gè)碳的sp的成分及與間的夾角。
(3) 由于生成條件的不同C60可堆積成不同的晶體結(jié)構(gòu),其中有立方最密堆積。晶胞參數(shù)為a=1420pm,
(a) 計(jì)算其晶體密度
(b) 計(jì)算C60球體半徑
(4) k3C60所形成的立方面心晶體具有超導(dǎo)性,問k+占據(jù)什么多面體空隙,占據(jù)空襲的百分?jǐn)?shù)為多少。
(七)絡(luò)合物[Ni(CN)5]3-,對其晶體進(jìn)行磁矩測量,它據(jù)有反
磁性。請問
(1)絡(luò)合物[Ni(CN)5]3-,可能有那幾種對稱構(gòu)型?
(2) 金屬離子 d電子如何分布?
(3) 自旋態(tài)與對稱有無關(guān)系?為什么?
(4)Ni2+與CN—形成何種鍵,并用圖示之。
(八):水是人們生活中必不可少的物質(zhì),00C以下結(jié)成冰,并為六方晶體,晶胞參數(shù)a=452pm,c=737pm,晶胞內(nèi)有四個(gè)水,氧原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為:0 0 0;0 0 0.375;2/3 1/3 1/3;2/3 1/3 0.875,請回答下列問題:
(1)根據(jù)價(jià)電子對互斥理論推測水的構(gòu)型
(2)用價(jià)鍵理論說明水的成鍵情況
(3)已知水的兩個(gè)O-H鍵的夾角為104.50,請推測O-H鍵與孤對電子及孤對電子間的夾角。
(4) 計(jì)算冰的密度
(5) 計(jì)算氫鍵O-H-O鍵長*
注意:R12=,這里是六方晶系。
(6) 利用以上相關(guān)結(jié)果,請用示意圖畫出冰的簡單結(jié)構(gòu)。
(7)冰的點(diǎn)陣形勢及結(jié)構(gòu)基元。
參考答案
(一) 1 .(鉀,K,19; 鈣,Ca,20;鋅,Zn,30;溴,Br,35 )
2. (金屬元素:鉀,K,19; 鈣,Ca,20;鋅,Zn,30;)
3. (Br- ;K+)
4. ( K )
5. ( CaBr2 )
(二)(1)(氫H1S1,氮N1S22S22P3,氧1S22S22P4)
(2)(氫氣H2()氮?dú)猓危玻ǎ┭鯕猓希玻ǎ?
(3)(略)
(4) (略)
(5) H3N…H—OH H3N—H …OH H3N…H—OH H3N+H2O
(6)
原子 H N O
化合價(jià) 1 3 2
氧化值 +1 +1 -2
(三) (1)(ZnS;NiAs;CdI2)
(2) (4,6,6)
(3)(3d54s2; 3d64s2;4d105s2)
(4)(18-7-6=5; 18-8-6=4; 18-12-6=0 )
(5) (計(jì)算值分別為5.92; 計(jì)4.90; 計(jì)0。計(jì)算中未考慮軌道磁矩。)
(四) NiO晶體為NaCL型結(jié)構(gòu),將它在氧氣中加熱,部分Ni將氧化為Ni3+,成為NixO(x<1)。今有一批NixO,測得密度(D)為6.47g.cm-3,用波長=154pm的x射線測得立方晶胞衍射指標(biāo)為111的衍射角=18.710。(Ni的原子量為58.70) (9分)
(a) 計(jì)算NixO的立方晶胞參數(shù)a
2d111sin= ;d111=154/2sin18.710=240.025pm (1分)
. a=d111(h2+k2+L2)-1/2=415.7pn (1分)
(b) 計(jì)算x值,并標(biāo)明Ni的氧化數(shù)的化學(xué)式
MNixO=DN0V/4=69,995, MNix=MNixO-Mo=53.995, x=MNix/MNi=0.92 (1分)
設(shè)NiO為k,Ni2O3為L,建立方程組有
kMNiO+LMNi2O3=MNixO
k+L=0.92 (1分)
求解得:k=0.76, L=0.16 (1分)
Ni的氧化數(shù)的化學(xué)式:Ni2+0.76Ni3+0.16O (1分)
(c) Ni晶體中,O2-的堆積方式怎樣?Ni在堆積中占據(jù)那種空隙?占有率多少? (A1; 八面體空隙; 92/100 ) (2分)
(d) NixO晶體中Ni—Ni最短距離。
DNi—Ni={[(1/2-1/2)a]2+[(1/2-0)a]2+[(1/2-0)a]2}1/2
=21/2a/2=293.7pm (1分)
(e) 計(jì)算NixO的立方晶胞參數(shù)a
2d111sin= ;d111=154/2sin18.710=240.025pm (1分)
. a=d111(h2+k2+L2)-1/2=415.7pn (1分)
(f) 計(jì)算x值,并標(biāo)明Ni的氧化數(shù)的化學(xué)式
MNixO=DN0V/4=69,995, MNix=MNixO-Mo=53.995, x=MNix/MNi=0.92 (1分)
設(shè)NiO為k,Ni2O3為L,建立方程組有
kMNiO+LMNi2O3=MNixO
k+L=0.92 (1分)
求解得:k=0.76, L=0.16 (1分)
Ni的氧化數(shù)的化學(xué)式:Ni2+0.76Ni3+0.16O (1分)
(g) Ni晶體中,O2-的堆積方式怎樣?Ni在堆積中占據(jù)那種空隙?占有率多少? (A1; 八面體空隙; 92/100 ) (2分)
(h) NixO晶體中Ni—Ni最短距離。
DNi—Ni={[(1/2-1/2)a]2+[(1/2-0)a]2+[(1/2-0)a]2}1/2
=21/2a/2=293.7pm (1分)
(五)(1) (略)
(2) N=16+8+4+6=34
(3) 雙電子B-H鍵4個(gè),三中心雙電子B-H-B鍵4個(gè),3個(gè)CO與Fe配位形成配位鍵,B4H8中的4個(gè)B用4電子與Fe形成多中心鍵)
(4)B4H8Os(CO)3;B4H8Cr(CO)4?。?
B4H8Mo(CO)4等,只要是滿足分子骨架頂點(diǎn)數(shù)5不變,且價(jià)電子數(shù)不變或相差10的分子都可以。
(六)(1)(12個(gè)五元環(huán)面,20個(gè)六圓環(huán)面,90條邊)(3分)
(2) 設(shè)鍵所含s的成分為
COS1160= - /(1-) =0.305 (1分)
設(shè)鍵所含s的成分為
=1-3= 0.085 ?。?分)
含p成分1-=3=0.915 (1分)
設(shè)鍵與鍵的夾角為A
COSA=-[/((1-)(1-))]1/2
A=101.170 ?。ǎ狈郑?
(6)(a)D=nMC60/(N0a3)=1.67gcm-3
(b) r=[a2/4+a2/4]1/2/2=21/2a/4=502pm
(7)
(立方面心 球數(shù):八面體空隙:四面體空隙
1 1 2
k+占滿八面體空隙和四面體空隙球數(shù):占據(jù)空隙數(shù)為100/100)
(七)(1) ( C4v ,D3h)
(2) ( C4v: dxy2 dxz2,dyz2,dz22; D3h:dxz2,dyz2,dxy2,dx2-y22)
(3) (無關(guān),CN-強(qiáng)場配體)
(4)(反饋鍵)
(八)(1)(略)
(2)(O的SP雜化軌道與H的1S相結(jié)合生成鍵)
(3)(109.10,115.40)
(4)(0.917gcm-3)
(5) (276.4pm)
(6) (略)
(7)(hp, 4H2O)