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1、集成電路制造工藝,雙極集成電路制造工藝,上一次課的主要內(nèi)容,CMOS集成電路工藝流程,N型(100)襯底的原始硅片,NMOS結(jié)構(gòu) PMOS結(jié)構(gòu),,P阱(well),,隔離,,閾值調(diào)整注入,柵氧化層和多晶硅柵,,NMOS管源漏注入 PMOS管源漏注入,,接觸和互連,,LOCOS隔離 開槽回填隔離,制作埋層（減小集電極串聯(lián)電阻） 初始氧化，熱生長厚度約為5001000nm的氧化層（隱埋擴散的掩蔽層） 光刻1#版（埋層隔離版），利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)將光刻窗口中的氧化層刻蝕掉，并去掉光刻膠 進行大劑量As+注入并退火，形成n+埋層,雙極集成電路工藝,生長n型外延層 利用HF腐蝕掉硅片表面的氧化層 將硅
2、片放入外延爐中進行外延，外延層的厚度和摻雜濃度一般由器件的用途決定,形成橫向氧化物隔離區(qū)（I） 熱生長一層薄氧化層，厚度約50nm 淀積一層氮化硅，厚度約100nm 光刻2#版(場區(qū)隔離版）,形成橫向氧化物隔離區(qū)（II） 利用反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)將光刻窗口中的氮化硅層-氧化層以及一半的外延硅層刻蝕掉 進行硼離子注入（形成溝道阻擋）,形成橫向氧化物隔離區(qū)（III） 去掉光刻膠，把硅片放入氧化爐氧化，形成厚的場氧化層隔離區(qū) 去掉氮化硅層,,形成基區(qū) 光刻3#版(基區(qū)版)，利用光刻膠將集電區(qū)遮擋住，暴露出基區(qū) 基區(qū)離子注入硼，形成P型基區(qū)（輕摻雜）,P型基區(qū)注入（形成基區(qū)接觸）： 光刻5#版(基區(qū)接觸孔版)，利用光刻膠將發(fā)射極和收集極接觸孔保護起來，暴露出基極接觸孔 進行大劑量的硼離子注入，形成基區(qū)接觸。,,形成發(fā)射區(qū)和收集區(qū)接觸 光刻6#版(發(fā)射區(qū)版)，利用光刻膠將基極接觸孔保護起來，暴露出發(fā)射極和集電極接觸孔 進行低能量、高劑量的砷離子注入，形成發(fā)射區(qū)和收集區(qū),金屬化 淀積金屬，一般是鋁或Al-Si、Pt-Si合金等 光刻7#版(連線版)，形成金屬互連線 合金：使Al與接觸孔中的硅形成良好的歐姆接觸，一般是在450、N2-H2氣氛下處理2030分鐘 形成鈍化層 在低溫條件下(小于300)淀積氮化硅 光刻7#版(鈍化版) 刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形,
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