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什么是只讀存儲器
只讀存儲器（ROM）的信息在制造時或通過肯定的編程方法寫入，在系統(tǒng)中通常只能讀出不能寫入。在斷電時，其信息不會丟失，它用來存放固定的程序及數(shù)據(jù)，如監(jiān)控程序、數(shù)據(jù)表格等。
只讀存儲器可以分為掩膜式ROM、一次性編程PROM、可重復編程的則有光擦除的EPROM、E2PROM及Flash Memory 等。
掩膜式ROM也稱固定ROM。它是由半導體生產(chǎn)廠依據(jù)用戶的要求，在生產(chǎn)過程中依據(jù)用戶供應的程序或數(shù)據(jù)制造。制成之后，用戶只能讀出其信息而不能加以修改。它適用于定型產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。
一次性編程PROM可供用戶通過編程
2、器寫入一次程序或數(shù)據(jù)。寫入以后其內(nèi)容不允許修改。這樣用戶可自行將無須修改的程序或數(shù)據(jù)寫入 ROM，如寫入后發(fā)覺其內(nèi)容還需修改，只能將此芯片報廢，重新取用一片新的。它適用于批量較小的場合。
EPROM是一種利用光擦除的能夠重復擦、寫的只讀存儲器。用戶可通過編程器寫入程序。當需要修改時，可用紫外光通過芯片上的石英玻璃窗照耀芯片15～20分鐘，將芯片內(nèi)的信息全部擦除。此時全部單元的內(nèi)容均為"1"。用戶可將其再次寫入信息。EPROM使用比較敏捷，當用戶寫入一程序后發(fā)覺部分數(shù)據(jù)需修改時，可以將其內(nèi)容擦去后再次寫入。它在科研及小批量生產(chǎn)過程中使用較普遍。
EPROM的擦或?qū)懢鑼Ｓ迷O備。即使要
3、修改一個數(shù)據(jù)也必需將芯片從系統(tǒng)中拆下，把信息全部擦除后再次重新寫入。而在實際使用中，往往只要求修改一個或少數(shù)幾個數(shù)據(jù)。EEPROM和Flash Memory在這方面顯示了其優(yōu)越性，是目前用得較多的大容量只讀存儲器。與光擦除的EPROM不同的是，它采納了電擦除的方式，而編程也無須通過專用的編程器進行，可在應用系統(tǒng)中直接編程。在寫入的同時即擦除了原有的信息，通常在器件的內(nèi)部產(chǎn)生編程所需的高電壓，用戶只需5V的電壓即可對其進行操作。
E2PROM的數(shù)據(jù)讀出類似于靜態(tài)RAM（SRAM）的數(shù)據(jù)讀出，數(shù)據(jù)寫入分為字節(jié)寫入和頁寫入兩種模式。在器件內(nèi)包含了一個64字節(jié)的頁寄存器，允許最多寫入64個字節(jié)（一頁）的數(shù)據(jù)。寫入操作包括數(shù)據(jù)鎖存和編程2個過程，寫周期最大為10ms。在寫入操作的同時，原先的數(shù)據(jù)即被擦除。
Flash Memory的數(shù)據(jù)讀出類似于靜態(tài)RAM（SRAM）的數(shù)據(jù)讀出。數(shù)據(jù)寫入為頁寫入模式。在器件內(nèi)包含了一個64字節(jié)的頁寄存器，要求一次寫入64個字節(jié)（一頁）的數(shù)據(jù)，寫入操作包括數(shù)據(jù)鎖存和編程2個過程，寫周期最大為10ms。在編程時，一頁中未裝入的數(shù)據(jù)將為不確定數(shù)據(jù)。在寫入操作的同時，原先的數(shù)據(jù)即被擦除。
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