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什么是只讀存儲(chǔ)器
只讀存儲(chǔ)器（ROM）的信息在制造時(shí)或通過(guò)肯定的編程方法寫(xiě)入，在系統(tǒng)中通常只能讀出不能寫(xiě)入。在斷電時(shí)，其信息不會(huì)丟失，它用來(lái)存放固定的程序及數(shù)據(jù)，如監(jiān)控程序、數(shù)據(jù)表格等。
只讀存儲(chǔ)器可以分為掩膜式ROM、一次性編程PROM、可重復(fù)編程的則有光擦除的EPROM、E2PROM及Flash Memory 等。
掩膜式ROM也稱(chēng)固定ROM。它是由半導(dǎo)體生產(chǎn)廠依據(jù)用戶的要求，在生產(chǎn)過(guò)程中依據(jù)用戶供應(yīng)的程序或數(shù)據(jù)制造。制成之后，用戶只能讀出其信息而不能加以修改。它適用于定型產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。
一次性編程PROM可供用戶通過(guò)編程
2、器寫(xiě)入一次程序或數(shù)據(jù)。寫(xiě)入以后其內(nèi)容不允許修改。這樣用戶可自行將無(wú)須修改的程序或數(shù)據(jù)寫(xiě)入 ROM，如寫(xiě)入后發(fā)覺(jué)其內(nèi)容還需修改，只能將此芯片報(bào)廢，重新取用一片新的。它適用于批量較小的場(chǎng)合。
EPROM是一種利用光擦除的能夠重復(fù)擦、寫(xiě)的只讀存儲(chǔ)器。用戶可通過(guò)編程器寫(xiě)入程序。當(dāng)需要修改時(shí)，可用紫外光通過(guò)芯片上的石英玻璃窗照耀芯片15～20分鐘，將芯片內(nèi)的信息全部擦除。此時(shí)全部單元的內(nèi)容均為"1"。用戶可將其再次寫(xiě)入信息。EPROM使用比較敏捷，當(dāng)用戶寫(xiě)入一程序后發(fā)覺(jué)部分?jǐn)?shù)據(jù)需修改時(shí)，可以將其內(nèi)容擦去后再次寫(xiě)入。它在科研及小批量生產(chǎn)過(guò)程中使用較普遍。
EPROM的擦或?qū)懢鑼?zhuān)用設(shè)備。即使要
3、修改一個(gè)數(shù)據(jù)也必需將芯片從系統(tǒng)中拆下，把信息全部擦除后再次重新寫(xiě)入。而在實(shí)際使用中，往往只要求修改一個(gè)或少數(shù)幾個(gè)數(shù)據(jù)。EEPROM和Flash Memory在這方面顯示了其優(yōu)越性，是目前用得較多的大容量只讀存儲(chǔ)器。與光擦除的EPROM不同的是，它采納了電擦除的方式，而編程也無(wú)須通過(guò)專(zhuān)用的編程器進(jìn)行，可在應(yīng)用系統(tǒng)中直接編程。在寫(xiě)入的同時(shí)即擦除了原有的信息，通常在器件的內(nèi)部產(chǎn)生編程所需的高電壓，用戶只需5V的電壓即可對(duì)其進(jìn)行操作。
E2PROM的數(shù)據(jù)讀出類(lèi)似于靜態(tài)RAM（SRAM）的數(shù)據(jù)讀出，數(shù)據(jù)寫(xiě)入分為字節(jié)寫(xiě)入和頁(yè)寫(xiě)入兩種模式。在器件內(nèi)包含了一個(gè)64字節(jié)的頁(yè)寄存器，允許最多寫(xiě)入64個(gè)字節(jié)（一頁(yè)）的數(shù)據(jù)。寫(xiě)入操作包括數(shù)據(jù)鎖存和編程2個(gè)過(guò)程，寫(xiě)周期最大為10ms。在寫(xiě)入操作的同時(shí)，原先的數(shù)據(jù)即被擦除。
Flash Memory的數(shù)據(jù)讀出類(lèi)似于靜態(tài)RAM（SRAM）的數(shù)據(jù)讀出。數(shù)據(jù)寫(xiě)入為頁(yè)寫(xiě)入模式。在器件內(nèi)包含了一個(gè)64字節(jié)的頁(yè)寄存器，要求一次寫(xiě)入64個(gè)字節(jié)（一頁(yè)）的數(shù)據(jù)，寫(xiě)入操作包括數(shù)據(jù)鎖存和編程2個(gè)過(guò)程，寫(xiě)周期最大為10ms。在編程時(shí)，一頁(yè)中未裝入的數(shù)據(jù)將為不確定數(shù)據(jù)。在寫(xiě)入操作的同時(shí)，原先的數(shù)據(jù)即被擦除。
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什么是只讀存儲(chǔ)器
