只讀存儲(chǔ)器PPT課件

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1、第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.1 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器(ROM)存儲(chǔ)器的讀寫是以字節(jié)(Byte)作單位,但存儲(chǔ)器芯片的容量那么是以位(bit)作為單位，一片存儲(chǔ)器芯片的容量定義為:芯片容量=存儲(chǔ)單元數(shù)每單元位數(shù) 存儲(chǔ)器常以210=1024=1k作為計(jì)算單位。eg.2716=2k8;6264=8k8 問2716,6264各有多少根地址線?ROM-Read Only Memory,ROM中的信息一旦寫入就不能隨意更改,故稱為只讀存儲(chǔ)器。1.只讀存儲(chǔ)器的構(gòu)造及分類構(gòu)造：地址譯碼器的作用：緩沖器的作用：存儲(chǔ)矩陣任務(wù)原理：地址譯碼器存儲(chǔ)矩陣2nm輸出緩沖器D0D1Dm-1A0A1An-1圖圖2.1 ROM

2、的根本構(gòu)造框圖的根本構(gòu)造框圖W1W2n-1W0第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.1 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器(ROM)存儲(chǔ)矩陣任務(wù)原理：存儲(chǔ)矩陣任務(wù)原理：根本任務(wù)原理根本任務(wù)原理=存在的問題：存在的問題：當(dāng)內(nèi)存單元數(shù)較多時(shí)，使當(dāng)內(nèi)存單元數(shù)較多時(shí)，使譯碼器構(gòu)造復(fù)雜，輸出線多譯碼器構(gòu)造復(fù)雜，輸出線多采用雙譯碼構(gòu)造，如以下圖采用雙譯碼構(gòu)造，如以下圖所示所示:圖圖2.2 44ROM的存儲(chǔ)矩陣的存儲(chǔ)矩陣W0W1W2W3D0D1D2D3Vdd存儲(chǔ)矩陣2nm輸出緩沖器D0D1Dm-1AkAk-1A0圖圖2.3 雙譯碼雙譯碼ROM構(gòu)造框圖構(gòu)造框圖行地址譯碼器列地址譯碼器Ak+1An-1第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.1 只

3、讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器(ROM)ROM實(shí)踐構(gòu)造：地址譯碼器：雙地址譯碼：2個(gè)24譯碼器交換 了1個(gè)416譯碼器存儲(chǔ)矩陣：16*1緩沖器：與3總線構(gòu)造的銜接：?jiǎn)栴}：如何組成16*n的存儲(chǔ)器？芯片級(jí)？電路板級(jí)？Vdd行地址譯碼器列地址譯碼器OEA0A1A2A3Di圖圖2.4 161 ROM陣列陣列第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.1 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器(ROM)分類：分類：ROM ROM存儲(chǔ)矩陣的各根本存儲(chǔ)單元中信息的存儲(chǔ)存儲(chǔ)矩陣的各根本存儲(chǔ)單元中信息的存儲(chǔ)是用是用MOSMOS管的接通或斷開形狀來實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)運(yùn)用管的接通或斷開形狀來實(shí)現(xiàn)的。根據(jù)運(yùn)用者的要求來確定者的要求來確定ROMROM中各個(gè)管子的形狀中

4、各個(gè)管子的形狀對(duì)對(duì)ROMROM編程；根據(jù)不同的編程方式編程；根據(jù)不同的編程方式ROMROM常分為以下三種：常分為以下三種：掩膜編程的掩膜編程的ROMROMROMROM現(xiàn)場(chǎng)編程現(xiàn)場(chǎng)編程ROMPROMROMPROM(Programmable Read Only Memory)(Programmable Read Only Memory)用戶可以運(yùn)用編程器將所需的信息一次性寫用戶可以運(yùn)用編程器將所需的信息一次性寫入，不可更改。入，不可更改?？筛膶憽⒖删幊炭筛膶?、可編程ROMEPROMROMEPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)(Erasable P

5、rogrammable Read Only Memory)根據(jù)擦去信息所用的方法，又可分為：根據(jù)擦去信息所用的方法，又可分為：UVEPROMUVEPROM用電信號(hào)編程，用紫外線擦除；編程用電信號(hào)編程，用紫外線擦除；編程后覆蓋窗口。后覆蓋窗口。EEPROM(E2PROM)EEPROM(E2PROM)用電編程，用電擦除；但寫用電編程，用電擦除；但寫入數(shù)據(jù)的次數(shù)有限，普通幾百次至幾萬次不等。入數(shù)據(jù)的次數(shù)有限，普通幾百次至幾萬次不等?？稍诰€字節(jié)擦除可在線字節(jié)擦除/寫入！寫入！第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.1 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器(ROM)2.2.只讀存儲(chǔ)器典型產(chǎn)品舉例只讀存儲(chǔ)器典型產(chǎn)品舉例A.Intel

6、 2716 UVEPROMA.Intel 2716 UVEPROM(2732;2764;27128(2732;2764;27128等等)讀方式讀方式:維持方式維持方式:525mW=132mW:525mW=132mW編程方式編程方式:PGM PGM上加上加50ms50ms寬的正脈沖寬的正脈沖;O0O7O0O7用于數(shù)據(jù)輸入。用于數(shù)據(jù)輸入。程序檢查程序檢查:編程制止編程制止:用于實(shí)現(xiàn)對(duì)多個(gè)并用于實(shí)現(xiàn)對(duì)多個(gè)并聯(lián)聯(lián)27162716的編程。的編程。擦除擦除:整片擦除整片擦除一切位被置一切位被置1 1地址線地址線內(nèi)存單元數(shù)內(nèi)存單元數(shù)數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)位數(shù)數(shù)據(jù)位數(shù)控制線控制線-CE/PGM-OEVpp(V)Vc

7、c(V)O0O7讀出讀出00+5+5數(shù)據(jù)輸出數(shù)據(jù)輸出維持維持1+5+5高阻抗高阻抗編程編程脈沖脈沖1+25+5數(shù)據(jù)輸入數(shù)據(jù)輸入程序檢查程序檢查00+25+5數(shù)據(jù)輸出數(shù)據(jù)輸出編程禁止編程禁止01+25+5高阻抗高阻抗表2.1 2716的任務(wù)方式第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.1 只讀存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器(ROM)B.Intel 2816 EEPROM當(dāng)要向一個(gè)指定單元寫入當(dāng)要向一個(gè)指定單元寫入信息時(shí)信息時(shí),要先擦除要先擦除(使各位使各位都為都為1),然后再寫入然后再寫入(必要必要位改成位改成0);擦除和寫入時(shí)擦除和寫入時(shí),Vpp上加一上加一個(gè)個(gè)21v的編程脈沖信號(hào)的編程脈沖信號(hào),脈脈沖寬度沖寬度915m

8、s;片擦除時(shí)片擦除時(shí),輸入端堅(jiān)持高電輸入端堅(jiān)持高電平平,約需約需10ms;維持方式時(shí)可降低功耗約維持方式時(shí)可降低功耗約50%;-CE/PGM-OEVpp(V)Vcc(V)O0O7/I0I7讀出讀出00+4+6+5數(shù)據(jù)輸出數(shù)據(jù)輸出維持維持1+4+6+5高阻抗高阻抗字節(jié)擦除字節(jié)擦除01+21+5高阻抗高阻抗/高電平高電平字節(jié)寫入字節(jié)寫入01+21+5數(shù)據(jù)輸入數(shù)據(jù)輸入片擦除片擦除0+9+15+21+5高阻抗高阻抗/高電平高電平禁止擦禁止擦/寫寫1+4+6+5高阻抗高阻抗表2.2 2816的任務(wù)方式第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.2 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)RAMRAM隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取

9、存儲(chǔ)器(Random Access Memory)(Random Access Memory)特點(diǎn)：特點(diǎn)：可隨時(shí)直接讀、寫可隨時(shí)直接讀、寫;是易失性存儲(chǔ)器是易失性存儲(chǔ)器;分類：分類：1.RAM1.RAM的根本構(gòu)造的根本構(gòu)造TTL靜態(tài);動(dòng)態(tài)6管;4管;3管;單管MOSMOSRAMRAMD0D1Dm-1存儲(chǔ)矩陣2nm三態(tài)緩沖器An-1A1A0圖圖2.7 RAM的構(gòu)造框圖的構(gòu)造框圖地址譯碼器存儲(chǔ)器讀寫控制邏輯R/WOE.CE第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.2 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)2.2.靜態(tài)根本存儲(chǔ)電路靜態(tài)根本存儲(chǔ)電路A.A.特點(diǎn)特點(diǎn)/任務(wù)原理任務(wù)原理:掉電后信息全部喪失掉電后信息全部

10、喪失;管子較多管子較多,總有一組總有一組MOSMOS管導(dǎo)通管導(dǎo)通,功耗較大功耗較大非破壞性讀出數(shù)據(jù)非破壞性讀出數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)無需刷新數(shù)據(jù)無需刷新,運(yùn)用方便運(yùn)用方便DiDiVccT1T2T3T4T5T6靜態(tài)6管RAM地址選線DiDiVccT1T2T3T4T5T6T7T8靜態(tài)6管RAM行選線列選線行地址譯碼器列地址譯碼器A0A1AiAi+1An-1An.CS根本任務(wù)原理+地址譯碼器第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.2 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)+地址總線地址總線+控制總線控制總線 +數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線DiDiVccT1T2T3T4T5T6T7T8靜態(tài)6管RAMQ Qcp D 鎖存器RDWRDi緩沖器

11、行地址譯碼器列地址譯碼器行選線列選線A0A1AiAi+1An-1An.CS第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.2 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)+多內(nèi)存單元多內(nèi)存單元DiDiVccT1T2T3T4T5T6T7T8靜態(tài)6管RAMQ Qcp D 鎖存器RDWRDi緩沖器行地址譯碼器列地址譯碼器行選線列選線A0A1AiAi+1An-1An.CSDiDiVccT1T2T3T4T5T6T7T8靜態(tài)6管RAMQ Qcp D 鎖存器緩沖器第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.2 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)B.B.典型芯片典型芯片Intel 2128 NMOS Intel 2128 NMOS 靜態(tài)靜態(tài) RA

12、MRAM它是由它是由2k2k*8 8位組成的位組成的16k16k位靜態(tài)位靜態(tài)RAM(SRAM)RAM(SRAM)維持形狀功耗降至任務(wù)時(shí)的維持形狀功耗降至任務(wù)時(shí)的1/41/4左右。左右。-CE-WE-OED0D7維持狀態(tài)維持狀態(tài)1高阻抗高阻抗輸出禁止輸出禁止011高阻抗高阻抗讀出讀出010數(shù)據(jù)輸出數(shù)據(jù)輸出寫入寫入00數(shù)據(jù)輸入數(shù)據(jù)輸入表表2.3 2128 RAM 功能表功能表第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.2 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)3.3.動(dòng)態(tài)根本存儲(chǔ)電路動(dòng)態(tài)根本存儲(chǔ)電路動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路具有元件少動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路具有元件少,功耗低的優(yōu)點(diǎn)功耗低的優(yōu)點(diǎn),在大容量存儲(chǔ)在大容量存儲(chǔ)器中得到廣泛運(yùn)用器中

13、得到廣泛運(yùn)用;動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路有動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)電路有4 4管型、管型、3 3管型和單管型管型和單管型(如下圖如下圖););A.A.特點(diǎn)特點(diǎn):集成度高集成度高;本錢低本錢低;功耗低功耗低;特別是維持功耗低的優(yōu)點(diǎn)特別是維持功耗低的優(yōu)點(diǎn),適宜做大容量存儲(chǔ)器適宜做大容量存儲(chǔ)器;但需求每隔但需求每隔2ms2ms左右進(jìn)展一次刷新左右進(jìn)展一次刷新,且數(shù)據(jù)的讀出是破壞性的且數(shù)據(jù)的讀出是破壞性的,即即CgCg的電壓普通從的電壓普通從0.2v0.2v將下降為將下降為0.1v,0.1v,所以數(shù)據(jù)讀出后還要對(duì)存儲(chǔ)電路進(jìn)展回寫。所以數(shù)據(jù)讀出后還要對(duì)存儲(chǔ)電路進(jìn)展回寫。CgT列選擇線列選擇線行選擇線行選擇線刷新放大器數(shù)據(jù)I/O第二章

14、微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.2 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)B.B.典型芯片典型芯片Intel 2116 Intel 2116 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(DRAM)(DRAM)2116 2116是由單管存儲(chǔ)電路組成的是由單管存儲(chǔ)電路組成的16k16k*1 1位的位的DRAM;DRAM;A0A6A0A6分時(shí)復(fù)用構(gòu)成分時(shí)復(fù)用構(gòu)成1414條地址輸入端。條地址輸入端。首先首先 -RAS-RAS有效有效,使使 A0A6A0A6上的上的行地址輸入鎖存行地址輸入鎖存,再使再使 -CAS-CAS有效有效,將將A0A6A0A6上的列地址輸入鎖存上的列地址輸入鎖存;-RAS-RAS同時(shí)起同時(shí)起CECE的作用的作用

15、,而而-CAS-CAS同時(shí)起同時(shí)起-OE-OE的作用。的作用。刷新按行進(jìn)展刷新按行進(jìn)展,2ms,2ms內(nèi)對(duì)內(nèi)對(duì)A0A6A0A6的的128128行行(每行每行128128個(gè)個(gè))刷新一遍。刷新操作只需使刷新一遍。刷新操作只需使 -RAS-RAS為低電平為低電平(讀入行地址讀入行地址),),而而 -CAS-CAS為高電平就可以對(duì)該行內(nèi)存刷新。為高電平就可以對(duì)該行內(nèi)存刷新。第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.2 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)4.FLASH4.FLASH存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器它也是一種可擦除、可改寫的只讀存儲(chǔ)器它也是一種可擦除、可改寫的只讀存儲(chǔ)器;與與EEPROMEEPROM相比相比,最大的特點(diǎn)

16、就是擦除、改寫的速度快最大的特點(diǎn)就是擦除、改寫的速度快;容容量大。量大。(P37p40)(P37p40)接口類型接口類型:規(guī)范的并行接口規(guī)范的并行接口 NAND(NAND(與非與非)型閃存型閃存 串行接口的串行接口的FLASHFLASH存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.3 微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展1.1.存儲(chǔ)器芯片的選擇存儲(chǔ)器芯片的選擇類型、容量、速度類型、容量、速度A.A.存儲(chǔ)器類型的選擇存儲(chǔ)器類型的選擇ROMROMROMROM、PROMPROM、EPROM(UVEPROM;EEPROM)EPROM(UVEPROM;EEPROM)RAMSRAMRAMSR

17、AM、DRAM(DRAM(思索如何刷新思索如何刷新)FLASHFLASH結(jié)合了上面二者的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合了上面二者的優(yōu)點(diǎn);但其本質(zhì)上依然是但其本質(zhì)上依然是ROM,ROM,速度比速度比RAMRAM慢得多。慢得多。B.B.存儲(chǔ)容量的選擇存儲(chǔ)容量的選擇根據(jù)需求確定容量根據(jù)需求確定容量,適當(dāng)留有余地適當(dāng)留有余地;選擇芯片時(shí)選擇芯片時(shí),根據(jù)位根據(jù)位數(shù)確定芯片數(shù)量數(shù)確定芯片數(shù)量;同時(shí)思索價(jià)錢要素。同時(shí)思索價(jià)錢要素。C.C.存儲(chǔ)器芯片與存儲(chǔ)器芯片與CPUCPU任務(wù)速度的匹配任務(wù)速度的匹配第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.3 微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展2.2.存儲(chǔ)器芯片組的銜接存儲(chǔ)器芯片組的銜

18、接A.A.單片銜接單片銜接地址總線從低位起一一對(duì)應(yīng)，地址總線從低位起一一對(duì)應(yīng)，CSCS接地；接地；數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線(D0D7)(D0D7)一一對(duì)應(yīng)；一一對(duì)應(yīng)；控制總線控制總線(WR;RD)(WR;RD)一一對(duì)應(yīng)；一一對(duì)應(yīng)；A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12A13A14A15RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CPUA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CSROMRAM A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12A13A14A15RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CPUA0A1A2A3A4A5A6A7A8

19、A9RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CSROMRAM AB0AB1AB2AB3AB4AB5AB6AB7AB8AB9AB0AB1AB2AB3AB4AB5AB6AB7AB8AB9D0D1D2D3D4D5D6D7D0D1D2D3D4D5D6D7=總線表達(dá)方式：總線表達(dá)方式：明晰；歸類；明晰；歸類；由網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào)實(shí)踐由網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào)實(shí)踐表達(dá)銜接關(guān)系表達(dá)銜接關(guān)系第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.3 微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展B.B.存儲(chǔ)器位數(shù)的擴(kuò)展存儲(chǔ)器位數(shù)的擴(kuò)展 位擴(kuò)展常見于位擴(kuò)展常見于RAMRAM；問題：用問題：用2n2n*1 1位的存儲(chǔ)器芯片組成位的存儲(chǔ)器芯片組成2n2n*8

20、 8位存儲(chǔ)器？位存儲(chǔ)器？(Din(Din與與DoutDout是分開的？是分開的？)A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12A13A14A15RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CPUA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRCSRAM AB0AB1AB2AB3AB4AB5AB6AB7AB8AB9AB0AB1AB2AB3AB4AB5AB6AB7AB8AB9D0D1D2D3D4D5D6D7I/OA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRCSRAM AB0AB1AB2AB3AB4AB5AB6AB7AB8AB9I/OA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRCS

21、RAM AB0AB1AB2AB3AB4AB5AB6AB7AB8AB9I/ORDRDRDWRWRWRWRRDC0C1C7第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.3 微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展B.B.存儲(chǔ)器位數(shù)的擴(kuò)展存儲(chǔ)器位數(shù)的擴(kuò)展A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12A13A14A15RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CPUAB0AB1AB2AB3AB4AB5AB6AB7AB8AB9D0D1D2D3D4D5D6D7A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRCSRAM AB0AB1AB2AB3AB4AB5AB6AB7AB8AB9A0A1A2A3A4

22、A5A6A7A8A9RDWRCSRAM AB0AB1AB2AB3AB4AB5AB6AB7AB8AB9RDRDRDWRWRWRC0C1D0D1D2D3D0D1D2D3D0D1D2D3D4D5D6D7問題：用問題：用2n2n*4 4位的存儲(chǔ)器芯片組位的存儲(chǔ)器芯片組成成2n2n*8 8位存儲(chǔ)器？位存儲(chǔ)器？第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.3 微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展C.C.存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的擴(kuò)展存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的擴(kuò)展線選法線選法用余下的高位地址線銜接各存儲(chǔ)器芯片的用余下的高位地址線銜接各存儲(chǔ)器芯片的CSCS優(yōu)點(diǎn)：簡(jiǎn)單；優(yōu)點(diǎn)：簡(jiǎn)單；缺陷：缺陷：地址不一定延續(xù)，地址不一定延續(xù)，且有

23、相當(dāng)多的地且有相當(dāng)多的地址不允許運(yùn)用址不允許運(yùn)用(地址沖突地址沖突)；無無0000H0000H地址；地址；留意：留意：還余還余4 4根高位根高位地址線：地址線：A12A15A12A15A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12A13A14A15RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CPUA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CSROMRAMA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9D0D1D2D3D4D5D6D7D0D1D2D3D4D5D6D7A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRD0D

24、1D2D3D4D5D6D7CSROMRAMA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9D0D1D2D3D4D5D6D7WRWRWRRDRDRDA10A11A12A13A14A15A10A11第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.3 微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展C.C.存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的擴(kuò)展存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的擴(kuò)展線選法線選法線選法最多可擴(kuò)展的芯片數(shù)線選法最多可擴(kuò)展的芯片數(shù)=剩余的高位地址線數(shù)剩余的高位地址線數(shù)問題：地址不延續(xù)？地址沖突？問題：地址不延續(xù)？地址沖突？(無無0000H0000H地址地址?)?)如何求如何求取各芯片的地址范圍？取各芯片的地址范圍？A0A1A2A3A4A5A6A

25、7A8A9A10A11A12A13A14A15RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CPUA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CSROMRAMA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9D0D1D2D3D4D5D6D7D0D1D2D3D4D5D6D7A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CSROMRAMA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9D0D1D2D3D4D5D6D7WRWRWRRDRDRDA10A11A12A13A14A15A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9

26、RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CSROMRAMA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9D0D1D2D3D4D5D6D7A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CSROMRAMA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9D0D1D2D3D4D5D6D7WRWRRDRDA10A11A12A13第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.3 微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展C.C.存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的擴(kuò)展存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的擴(kuò)展部分譯碼部分譯碼對(duì)其他的高位地址線部分譯碼對(duì)其他的高位地址線部分譯碼 優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：地址延續(xù)；地址延續(xù)；按需設(shè)計(jì)，按需設(shè)計(jì)，使譯碼

27、器使譯碼器比較簡(jiǎn)單；比較簡(jiǎn)單；缺陷：缺陷：存在地址重存在地址重疊疊影響了影響了地址區(qū)的有地址區(qū)的有效運(yùn)用；效運(yùn)用；A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12A13A14A15RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CPUA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CSROMRAMA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9D0D1D2D3D4D5D6D7D0D1D2D3D4D5D6D7A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CSROMRAMA0A1A2A3A4A5A6

28、A7A8A9D0D1D2D3D4D5D6D7WRWRWRRDRDRDA10A10NOTA10第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.3 微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展C.C.存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的擴(kuò)展存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的擴(kuò)展部分譯碼部分譯碼問題：擴(kuò)展問題：擴(kuò)展8 8片存儲(chǔ)器需什么譯碼器？擴(kuò)展片存儲(chǔ)器需什么譯碼器？擴(kuò)展1616片存儲(chǔ)器？片存儲(chǔ)器？3232？6464？A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9A10A11A12A13A14A15RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CPUA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CSROMRAMA0A1A2

29、A3A4A5A6A7A8A9A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9D0D1D2D3D4D5D6D7D0D1D2D3D4D5D6D7A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CSROMRAMA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9D0D1D2D3D4D5D6D7WRWRWRRDRDRDA10A11A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CSROMRAMA0A1A2A3A4A5A6A7A8A9D0D1D2D3D4D5D6D7A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9RDWRD0D1D2D3D4D5D6D7CSROMRAM

30、A0A1A2A3A4A5A6A7A8A9D0D1D2D3D4D5D6D7WRWRRDRDA10A11CSC0C02-4譯碼器 第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.3 微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展C.C.存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的擴(kuò)展存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的擴(kuò)展全譯碼全譯碼對(duì)剩余的高位地址線全譯碼對(duì)剩余的高位地址線全譯碼(剩余地址線數(shù)剩余地址線數(shù)=CPU=CPU地址線數(shù)地址線數(shù)-存儲(chǔ)器芯片地址線數(shù)存儲(chǔ)器芯片地址線數(shù))優(yōu)點(diǎn)：地址延續(xù)且獨(dú)一確定優(yōu)點(diǎn)：地址延續(xù)且獨(dú)一確定(無重疊無重疊)；可獲得最大地址；可獲得最大地址空間；空間；缺陷：譯碼器相對(duì)比較復(fù)雜；缺陷：譯碼器相對(duì)比較復(fù)雜；目的：目的：A.A.

31、地址獨(dú)一確定地址獨(dú)一確定(無重疊無重疊)；B.B.獲得最大地址空間；獲得最大地址空間；方法：余方法：余1 1根地址線：根地址線：1-21-2譯碼譯碼(反相器反相器)余余2 2根地址線：根地址線：2-42-4譯碼器譯碼器 余余3 3根地址線：根地址線：3-83-8譯碼器譯碼器 余余4 4根地址線：根地址線：4-164-16譯碼器譯碼器 余余5 5根地址線：根地址線：5-325-32譯碼器譯碼器(2-4(2-4譯碼器譯碼器+3-8+3-8譯碼器；譯碼器；反相器反相器+4-16+4-16譯譯碼器碼器)余余6 6根地址線：根地址線：6-646-64譯碼器譯碼器(2-4(2-4譯碼器譯碼器+4-16+4

32、-16譯碼器譯碼器;3-8 3-8譯碼器譯碼器+3-8+3-8譯碼器譯碼器)最簡(jiǎn)單容易的最簡(jiǎn)單容易的選擇，實(shí)際上選擇，實(shí)際上用現(xiàn)有的譯碼用現(xiàn)有的譯碼器可以構(gòu)造恣器可以構(gòu)造恣意位的譯碼器意位的譯碼器 第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.3 微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展C.C.存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的擴(kuò)展存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的擴(kuò)展全譯碼全譯碼構(gòu)造構(gòu)造5-325-32譯碼器譯碼器問題：如何用反相器問題：如何用反相器+4-16+4-16譯碼器構(gòu)造譯碼器構(gòu)造5-325-32譯碼器？譯碼器？用用2-42-4譯碼器接低位地址線，譯碼器接低位地址線，3-83-8譯碼器接譯碼器接高位地址線？高位地址線？如

33、何構(gòu)造如何構(gòu)造6-646-64譯碼器？譯碼器？(思索：存儲(chǔ)器采用行譯碼思索：存儲(chǔ)器采用行譯碼+列譯碼以簡(jiǎn)化譯碼器構(gòu)造，列譯碼以簡(jiǎn)化譯碼器構(gòu)造，why?)why?)A11A12A13A14A15Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7CSA0A1A23-8譯碼器Y0Y1Y2Y3A1A0CS2-4譯碼器Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7CSA0A1A23-8譯碼器Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7CSA0A1A23-8譯碼器Y0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7CSA0A1A23-8譯碼器A11A12A13A11A12A13A11A12A13第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.3 微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)

34、器的組成與擴(kuò)展D.D.運(yùn)用舉例運(yùn)用舉例關(guān)于線選法關(guān)于線選法eg.eg.某系統(tǒng)需求配置一個(gè)某系統(tǒng)需求配置一個(gè)4k4k*8 8位的靜態(tài)位的靜態(tài)RAMRAM。試問：用幾片試問：用幾片2114(1k2114(1k*4 4位位)組成該存儲(chǔ)器？用線選法如組成該存儲(chǔ)器？用線選法如何構(gòu)成這個(gè)存儲(chǔ)器：試畫出連線簡(jiǎn)圖，并注明各芯片所何構(gòu)成這個(gè)存儲(chǔ)器：試畫出連線簡(jiǎn)圖，并注明各芯片所占的存儲(chǔ)空間。占的存儲(chǔ)空間。關(guān)于全譯碼關(guān)于全譯碼(對(duì)其他的高位地址線全譯碼對(duì)其他的高位地址線全譯碼)eg.eg.用四片用四片1k1k*8 8位的靜態(tài)位的靜態(tài)RAMRAM。一片。一片2424譯碼器，一片譯碼器，一片416416譯碼器，請(qǐng)構(gòu)成

35、譯碼器，請(qǐng)構(gòu)成4k4k*8 8位容量的存儲(chǔ)器，畫出銜接圖。并位容量的存儲(chǔ)器，畫出銜接圖。并要求：地址獨(dú)一確定；給出每塊芯片的尋址范圍；擴(kuò)展要求：地址獨(dú)一確定；給出每塊芯片的尋址范圍；擴(kuò)展到到64k64k*8 8位還要增添什么器件。位還要增添什么器件。關(guān)于部分譯碼關(guān)于部分譯碼(對(duì)其他的高位地址線部分譯碼對(duì)其他的高位地址線部分譯碼;存在地存在地址重疊址重疊影響了地址區(qū)的有效運(yùn)用，也限制了存儲(chǔ)器的影響了地址區(qū)的有效運(yùn)用，也限制了存儲(chǔ)器的擴(kuò)展擴(kuò)展)第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.3 微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器2.3 微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展微型計(jì)算

36、機(jī)存儲(chǔ)器的組成與擴(kuò)展第二章微型計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器作業(yè)作業(yè)1.UVEPROM1.UVEPROM和和EEPROMEEPROM都可以改寫芯片的內(nèi)容都可以改寫芯片的內(nèi)容,在運(yùn)用上他們有什么不同？在運(yùn)用上他們有什么不同？2.EPROM,PROM,2.EPROM,PROM,動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)RAM,RAM,靜態(tài)靜態(tài)RAMRAM等存儲(chǔ)器等存儲(chǔ)器,哪幾類是可以隨時(shí)讀寫的？哪幾類是可以隨時(shí)讀寫的？3.3.某某ROMROM芯片有芯片有1010個(gè)地址輸入端和個(gè)地址輸入端和4 4個(gè)數(shù)據(jù)輸出端個(gè)數(shù)據(jù)輸出端,該芯片的存儲(chǔ)容量是該芯片的存儲(chǔ)容量是多少位？多少位？4.4.闡明靜態(tài)闡明靜態(tài)RAMRAM和動(dòng)態(tài)和動(dòng)態(tài)RAMRAM的主要區(qū)別的主要

37、區(qū)別,運(yùn)用時(shí)應(yīng)如何選用？運(yùn)用時(shí)應(yīng)如何選用？5.5.現(xiàn)有現(xiàn)有1k1k*8 8位的位的RAMRAM芯片假設(shè)干片芯片假設(shè)干片,假設(shè)用線選法組成存儲(chǔ)器假設(shè)用線選法組成存儲(chǔ)器,有效的尋有效的尋址范圍最大是多少千字節(jié)？假設(shè)用址范圍最大是多少千字節(jié)？假設(shè)用1 1個(gè)個(gè)3838譯碼器來產(chǎn)生片選信號(hào)譯碼器來產(chǎn)生片選信號(hào),那么那么有效的尋址范圍最大又是多少？假設(shè)要將尋址范圍擴(kuò)展到有效的尋址范圍最大又是多少？假設(shè)要將尋址范圍擴(kuò)展到64kB,64kB,應(yīng)選用應(yīng)選用什么樣的譯碼器來產(chǎn)生片選信號(hào)？什么樣的譯碼器來產(chǎn)生片選信號(hào)？6.6.某系統(tǒng)需求配置一個(gè)某系統(tǒng)需求配置一個(gè)4k4k*8 8位的靜態(tài)位的靜態(tài)RAMRAM。試問。試

38、問:用幾片用幾片2114(1k2114(1k*4 4位位)組組成該存儲(chǔ)器？用線選法如何構(gòu)成這個(gè)存儲(chǔ)器成該存儲(chǔ)器？用線選法如何構(gòu)成這個(gè)存儲(chǔ)器:試畫出銜接簡(jiǎn)圖試畫出銜接簡(jiǎn)圖,并注明各并注明各芯片所占的存儲(chǔ)空間。芯片所占的存儲(chǔ)空間。7.7.用四片用四片1k1k*8 8位的靜態(tài)位的靜態(tài)RAMRAM。一片。一片2424譯碼器譯碼器,一片一片416416譯碼器譯碼器,請(qǐng)構(gòu)成請(qǐng)構(gòu)成4k4k*8 8位容量的存儲(chǔ)器位容量的存儲(chǔ)器,畫出銜接圖。并要求畫出銜接圖。并要求:1):1)地址獨(dú)一確定地址獨(dú)一確定;2);2)給出每給出每塊芯片的尋址范圍塊芯片的尋址范圍;3);3)擴(kuò)展到擴(kuò)展到64k64k*8 8位還要增添什么器件位還要增添什么器件?