2013年高考物理 臨考沖刺模擬五

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1、2013年高考物理臨考沖刺模擬五 1.第29屆奧運會將于今年8月在北京舉行，跳水比賽是我國的傳統(tǒng)優(yōu)勢項目．某運動員正在進行10m跳臺訓練，下列說法正確的是 A．為了研究運動員的技術動作，可將正在比賽的運動員視為質點 B．運動員在下落過程中，感覺水面在勻速上升 C．前一半時間內位移大，后一半時間內位移小 D．前一半位移用的時間長，后一半位移用的時間短 2.下列敘述正確的是： A．太陽輻射的能量主要來自太陽內部的核聚變反應 B．光電效應現(xiàn)象表明光具有波動性 A V L R E r S C P C．貝克勒爾

2、發(fā)現(xiàn)了鈾和含鈾礦物的天然放射現(xiàn)象 D．普朗克在研究黑體的熱輻射問題時提出了能量子假說 3.如圖所示的電路，閉合開關S，滑動變阻器滑片P向左移 動， 下 列結論正確的是 A．電流表讀數(shù)變小，電壓表讀數(shù)變大 B．小電泡L變亮 C．電容器C上電荷量減小 D．電源的總功率變大 4.小球自由落下，在與地面發(fā)生碰撞的瞬間，反彈速度與落地速度大小相等。若從釋放時開始計時，不計小球與地面發(fā)生碰撞的時間及空氣阻力。則下圖中能正確描述小球各物理量與時間的關系是 動能 時間 0 時間 0 位移 時間 0 重力勢能 時間

3、0 速度 A B C D · · · · · · · E +Q d c a b f e o 5.如圖所示勻強電場E的區(qū)域內

4、，在O點處放置一點電荷+Q，a、b、c、d、e、f為以O點為球心的球面上的點，aecf平面與電場平行，bedf平面與電場垂直，則下列說法中正確的是 A．b、d兩點的電場強度相同 B．a點的電勢等于f點的電勢 C．點電荷+q在球面上任意兩點之間移動時，電場力 一定做功 F L D．將點電荷+q在球面上任意兩點之間移動，從球面上 a 點移動到c點的電勢能變化量一定最大 6.如圖所示，質量m=1kg、長L=0.8m的均勻矩形薄板靜止在水平桌面 上，其右端與桌子邊緣相平．板與桌面間的動摩擦因數(shù)為μ=0.4．現(xiàn) 用F=5N的水平力向右推薄板，使它翻下桌子，力F做的功至少為 （g取

5、10m/s2） A．1J B．1.6J C．2J D．4J 7.某制藥廠的污水處理站的管道中安裝了如圖所示的流量計，該裝置由絕緣材料制成，長、寬、高分別為a、b、c，左右兩端開口，在垂直于上下底面方向加磁感應強度為B的勻強磁場，在前后兩個面的內側固定有金屬板作為電極，當含有大量正負離子（其重力不計）的污水充滿管口從左向右流經該裝置時，利用電壓表所顯示的兩個電極間的電壓U，就可測出污水流量Q（單位時間內流出的污水體積）．則下列說法正確的是 A．后表面的電勢一定高于前表面的電勢，與正負哪種離子多少無關 B．若污水中正負離子數(shù)相同，則前后表面的電勢差為零 C．流量Q越大，兩

6、個電極間的電壓U越大 D．污水中離子數(shù)越多，兩個電極間的電壓U越大 8.如圖所示，一個金屬薄圓盤水平放置在豎直向上的勻強磁場中，下 列做法中能使圓盤中產生感應電流的是 A．圓盤繞過圓心的豎直軸勻速轉動 B．圓盤以某一水平直徑為軸勻速轉動 C．圓盤在磁場中向右勻速平移 D．勻強磁場均勻增加 A B C h R 地球 9.如圖所示，從地面上A點發(fā)射一枚遠程彈道導彈，在引力作用下， 沿ACB橢圓軌道飛行擊中地面目標B，C為軌道的遠地點，距地面高 度為h．已知地球半徑為R，地球質量為M，引力常量為G．設距地 高度為h的圓軌道上衛(wèi)星運動周期為T0．下列結論正確的是

7、A．導彈在C點的速度大于 B．導彈在C點的加速度等于 C．地球球心為導彈橢圓軌道的一個焦點 D．導彈從A點運動到B點的時間一定小于T0 10如圖所示，一網球運動員將球在邊界處正上方水平向右擊出，球剛好過網落在圖中位置（不計空氣阻力），相關數(shù)據如圖，下列說法中正確的是 A．擊球點高度h1與球網高度h2之間的關系為h1 =1.8h2 B．若保持擊球高度不變，球的初速度只要不大于，一定落在對方界內 C．任意降低擊球高度（仍大于），只要擊球初速度合適，球一定能落在對方界內 D．任意增加擊球高度，只要擊球初速度合適，球一定能落在對方界內 a b B M

8、 N P Q R L C 11.如圖所示，MN和PQ為處于同一水平面內的兩根平行的光滑金屬導軌，導軌的電阻不計．垂直導軌放置一根電阻不變的金屬棒ab，金屬棒與導軌接觸良好．N、Q端接理想變壓器的原線圈，理想變壓器的輸出端有三組副線圈，分別接電阻元件R、電感元件L（電阻不為零）和電容元件C．在水平金屬導軌之間加豎直向下的磁感應強度隨時間均勻增加的勻強磁場，若用IR、IL、Ic分別表示通過R、L和C的電流，則下列判斷正確的是 A．若ab棒靜止，則IR=0、IL=0、IC=0 B．在ab棒向左勻速運動過程中， IR≠0、IL≠0、IC≠0 C．在ab棒向左勻速運動過程中， IR≠

9、0、IL≠0、IC=0 D．在ab棒向左勻加速運動過程中，則IR≠0、IL≠0、IC=0 12.利用氦-3（）和氘進行的聚變安全無污染，容易控 制。月球上有大量的氦-3，每個航天大國都將獲取氦-3作為開發(fā)月球的重要目標之一?！版隙鹨惶枴碧皆滦l(wèi)星執(zhí)行的一項重要任務就是評估月壤中氦-3的分布和儲量。已知兩個氘核聚變生成一個氦-3和一個中子的核反應方程是：2H→He＋n＋3.26 MeV 若有2g氘全部發(fā)生聚變，則釋放的能量是（NA為阿伏加德羅常數(shù)） A、0.5×3.26 MeV B、3.26 MeV C、0.5NA×3.26 MeV D、NA×3.26 M

10、eV 第二部分 非選擇題（共102分） 二、本題共8小題，滿分102分。其中13、14題為選做題，考生只能選其中一題作答。要按題目要求做答。解答題應寫出必要的文字說明、方程式和重要演算步驟。只寫出最后答案的不能得分。有數(shù)值計算的題，答案中必須明確寫出數(shù)值和單位。 13．（供選修3-3考生作答，11分） （1）（5分）以下是有關熱學內容的若干敘述： A．布朗運動雖然不是液體分子的運動，但是它可以說明分子在永不停息地做無規(guī)則運動 B．給自行車輪胎打氣，越來越費力，主要是由于打氣過程中分子間斥力逐漸增大，引力逐漸減小的緣故 C．系統(tǒng)的熵只能增大或不變，不可能減小 D．通常情況下，一

11、定質量的理想氣體在等溫膨脹的過程中，既不吸熱，也不放熱 E．非晶體的結構跟液體非常類似，可以看作是粘滯性極大的液體 F．所有的金屬在常溫下都呈固態(tài) G．液體表面層的分子比液體內部的分子有更大的分子勢能 H．由熱力學第二定律可以判斷物理過程能否自發(fā)進行 其中正確的是 _____（選填字母代號）． （2）（6分）如圖所示，彈簧一端固定于水平臺面上，另一端與質量為m活塞拴接 在一起，開口向下．質量為M的氣缸與活塞一起封閉了一定質量的氣體。 氣缸和活塞均可與外界進行熱交換。由于外界環(huán)境的溫度緩慢降低，被封 閉氣體向外界釋放熱量Q，同時其內能減少ΔU。已知大氣壓強為p0，氣

12、缸的橫截面積為S，氣缸壁厚忽略不計，重力加速度為g 。則 ①被封氣體的體積V　　　　。（填“增大”．“減小”．“不變”） ②活塞移動距離x為　　　?。粴飧滓苿泳嚯xy為　　　。 14.Ⅰ選修3-4模塊，本題共11分． （1）（5分）下列說法中正確的是 （ ） A．簡諧波沿長繩傳播，繩上相距半個波長的兩個質點振動位移的大小相等 B．機械波和電磁波一樣從空氣進入水中波長變短 C．某同學在做“用單擺測定重力加速度”的實驗，開始計時時，秒表提前按下。 D．在波的干涉中，振動加強的點一定處在波峰或波谷的疊加處 E．全息照片的拍攝利用了光的衍射原理 F．振蕩電

13、場和振蕩磁場交替產生，相互依存，形成不可分離的統(tǒng)一體，即電磁場。 G．除了從光源直接發(fā)出的光以外，我們通?？吹降慕^大部分 光都是偏振光。 H．太陽輻射的能量大部分集中在可見光及附近的區(qū)域 (2)（6分） 如圖所示，己知平行玻璃磚的折射率，厚度為.入射光線以入射角60°射到玻璃磚的上表面，經玻璃磚折射從下表面射出，出射光線與入射光線平行，求兩平行光線間距離.（結果可用根式表示） 15.（12分）某同學利用透明直尺和 光電計時器來驗證機械能守恒定 律，實驗的簡易示意圖如下，當 有不透光物體從光電門間通過 時，光電計時器就可以顯示物體 的擋光時間.所用的西甌XDS-007

14、光電門傳感器可測的最短時間為 0.01ms.將擋光效果好、寬度為d ＝3.8×10－3m的黑色磁帶貼在透 明直尺上，從一定高度由靜止釋 放，并使其豎直通過光電門.某同 學測得各段黑色磁帶通過光電門 的時間△ti與圖中所示的高度差 △hi，并將部分數(shù)據進行了處理， 結果如下表所示。（取g＝9.8m/s2，注：表格中M為直尺質量） i （10-3s） vi （m·s-1） △E ki= △hi （m） Mg△hi 1 1.21 3.13 2 1.15 3.31 0.58M 0.06 0.58M 3 1.00 3.78 2.2

15、4M 0.23 2.25M 4 0.95 4.00 3.10M 0.32 3.14M 5 0.90 0.41 （1）從表格中數(shù)據可知，直尺上磁帶通過光電門的瞬時速度是利用求出的，請你簡要分析該同學這樣做的理由是： _______________． （2）請將表格中數(shù)據填寫完整． （3）通過實驗得出的結論是： ． （4）根據該實驗請你判斷下列k-△h圖象中正確的是（ ） A O O O O △h △h △h

16、△h B C D △Ek △Ek △Ek △Ek 16.（12分）現(xiàn)有兩個電阻元件，其中一個是由金屬材料制成的，它的電阻隨溫度的升高而增大，而另一個是由某種半導體材料制成的，其電阻隨溫度的升高而減小?，F(xiàn)對其中一個元件R0進行測試，測得通過其中的電流與加在它兩端的電壓數(shù)據如下表所示： I/A 0.20 0.45 0.80 1.25 1.80 2.81 3.20 U/V 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.50 1.60 ⑴ 根據表中數(shù)據，判斷元件R0可能是由上述 _____材料制成的，并簡要說明理

17、由。 理由：_____________________ _____________________________ ⑵ 把元件R0接入如圖所示的電路中，閉合開關后，電流表讀數(shù)為1.80A。已知電路中電源的電動勢為3V，內阻不計。此時定值電阻R的電功率________W. ⑶ 請根據表中數(shù)據在（a）圖中作出I－U圖線。為了求出通過該元件R0的電流I與電壓U間的具體關系式，請你適當選取坐標軸，將表中有關數(shù)據進行適當計算，在（b）圖中作出線性圖線，并求出I和U之間的具體關系式。 I和U之間的具體關系式為：________________ 17.（15分）對于兩物體碰撞前后速度

18、在同一直線上，且無機械能損失的碰撞過程，可以簡化為如下模型：A、B兩物體位于光滑水平面上，僅限于沿同一直線運動，當它們之間的距離大于等于某一定值d時，相互作用力為零；當它們之間的距離小于d時，存在大小恒為F的斥力，設A物體質量m1=1.0kg，開始時靜止在直線上某點；B物體質量m2=3.0kg，以速度v0從遠處沿該直線向A 運動，如圖所示，若F=0.60N，v0=0.20m/s，求： （1）相互作用過程中A、B加速度的大??； （2）從開始相互作用到A、B間的距離最小時，系統(tǒng)（物體組）動能的減少量； 18.（16分）如圖所示，兩根足夠長的光滑平行金屬導軌相距為

19、L，導軌平面與水平面成θ角，上端通過導線連接阻值為R的電阻，阻值為r的金屬棒ab放在兩導軌上，棒與導軌垂直并保持良好接觸，整個裝置處在垂直導軌平面向上的磁場中，若所加磁場的磁感應強度大小恒為B，使金屬棒沿導軌由靜止向下運動，金屬棒運動的v-t圖像如圖（b）所示，當t=t0時刻，物體下滑距離為s。已知重力加速度為g。試求： （1）金屬棒ab勻速運動時電流強度I的大小和方向； （2）求導體棒質量m的大??； （3）在t0時間內電阻R產生的焦耳熱． 19.(18分）光滑的長軌道形狀如圖所示，底部為半圓型，半徑R，固定在豎直平面內。AB兩質量相同的小環(huán)用長為R的輕桿連

20、接在一起，套在軌道上。將AB兩環(huán)從圖示位置靜止釋放，A環(huán)離開底部2R。不考慮輕桿和軌道的接觸，即忽略系統(tǒng)機械能的損失，求： A B R 2R （1）AB兩環(huán)都未進入半圓型底部前，桿上的作用力 （2）A環(huán)到達最低點時，兩球速度大小 （3）若將桿換成長，A環(huán)仍從離開底部2R處靜止釋放， 經過半圓型底部再次上升后離開底部的最大高度 O M R2 R1 a b 18題圖 20.（18分）未來人類要通過可控熱核反應取得能源，要持續(xù)發(fā)生熱核反應必須把溫度高達幾百萬攝氏度以上的核材料約束在一定的空間內，約束的辦法有多種，其中技術上相對成熟的是用

21、磁場約束，稱為“托卡馬克”裝置，如圖為這種裝置的模型圖：垂直紙面的有環(huán)形邊界的勻強磁場（b區(qū)域）圍著磁感應強度為零的圓形a區(qū)域，a區(qū)域內的離子向各個方向運動，離子的速度只要不超過某值，就不能穿過環(huán)形磁場的外邊界而逃逸，從而被約束，設環(huán)形磁場的內半徑R1=0.5m，外半徑R2=1.0m，若磁場的磁感強度B0=1.0T，被約束的離子比荷q/m=4.0×107C/kg。（1）若a區(qū)域中沿半徑OM方向射入磁場的離子不能穿過磁場，粒子的速度不能超過多大？（2）若要使從a區(qū)域沿任何方向射入磁場的速率為2.0×107m/s的離子都不能越出磁場的外邊界，則b區(qū)域磁場的磁感應強度B至少要有多大？

22、（參考答案） 題號 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 答案 D ACD A D D B AC BD BCD AD AC C 13. 12．（11分） (1)（共5分） AEGH　 （全對得5分，不全對的每對一項得1分，錯一項扣1分，錯2項扣3分，錯3項本題不得分，本題不得負分） 　　　　 (2)（6分） ① 減小…………………………………（2分） ② 0 ；……………………………（兩空各2分） 14.Ⅰ選修3-4模塊，本題共11分． （1） A F G H

23、 (5分) 15.（1）瞬時速度等于極短時間或極短位移內的平均速度 (2分) （2）4.22 ； 4.00M或4.01M； 4.01M或4.02M (4分) （3）在誤差允許的范圍內，重力勢能的減少量等于動能的增量 (2分) （4）C (4分) 16.⑴ 半導體

24、 (2分) 隨著電流增大，即元件R0的發(fā)熱功率越大，對應電壓與電流的比值越小， 即電阻值越小 （2分) ⑵ 由表中數(shù)據可知,當電流為1.8A時，U0=1.2V 定值電阻兩端的電壓UR = U－U0 =1.8V 定值電阻消耗的功率P = UR I = 3.24W (2分)

25、⑶ I－U圖如圖(a) (2分) I/A U/V 0 （a） 0.4 0.8 1.2 1.6 0.8 1.6 2.4 3.2 I/A U2/V2 0 （b） 3.2 2.4 1.6 0.8 0.8 1.6 2.4 3.2 根據I－U圖的形狀可以猜想I與U2成線性關系，如圖(b) (2分) 從圖(b)可得直線的斜率為1.25，所以I = 1.25U2 (2分) 17.（）1

26、5分（解：（1） （6′） （2）兩者速度相同時，距離最近，由動量守恒 ……………………………（9分） 18.（16分） …………………………2分 …………………………2分 …………………………3分 …………………………2分 …………………………3分 …………………………2分 …………………………2分 19.（18分） ⑴ 對整體分析，自由落體，加速度g 以A為研究對象，A作自由落體則桿對A一定沒有作用力。 (或列式或以B研究）

27、 （4分） ⑵ AB都進入圓軌道后，兩環(huán)具有相同角速度，則兩環(huán)速度大小一定相等 （或通過速度分解得到兩環(huán)速度大小相同） （4分） 整體機械能守恒： （3分） （1分） ⑶ A再次上升后，位置比原來高h，如圖所示。 由動能定理（或機械能守恒）： （4分） ，

28、 （1分） B A 2R A B A離開底部 （1分） 注：由于桿超過了半圓直徑，所以兩環(huán)運動如圖。 O M R2 R1 a b r1 r2 20.解：（1）速度越大軌跡圓半徑越大，要使OM方向運動的離子不能穿越磁場，則其在環(huán)形磁場內的運動軌跡圓中敢大者與磁場外邊界圓相切（本段文字也可用圖形表達2分） 設軌跡圓的半徑為r1，則……….3分 代入數(shù)據解得……….1分 設該圓運動的離子速度為v1, ……….2分 即 ……….3分 （2）設離子以v2的速度沿與內邊界圓相切的方向射入磁場,且軌道與磁場外圓相切時,則以該速度沿各個方向射入磁場區(qū)的離子都不能穿出磁場邊界(也可用圖形表達2分) 設軌跡圓的半徑為r2,mj ……….3分 由 ……….2分