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1、1 13.4 只讀存儲(chǔ)器和閃速存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器和閃速存儲(chǔ)器一、只讀存儲(chǔ)器一、只讀存儲(chǔ)器可編程可編程ROM：用戶后寫(xiě)入內(nèi)容，有些可以多次寫(xiě)入。：用戶后寫(xiě)入內(nèi)容，有些可以多次寫(xiě)入。一次性編程的一次性編程的PROM 多次編程的多次編程的EPROM和和E2PROM。顧名思義，只讀的意思是在它工。顧名思義，只讀的意思是在它工作時(shí)作時(shí)只能讀出只能讀出，不能寫(xiě)入不能寫(xiě)入。然而其中存儲(chǔ)的原始數(shù)據(jù)，必須。然而其中存儲(chǔ)的原始數(shù)據(jù)，必須在它工作以前寫(xiě)入。只讀存儲(chǔ)器由于工作可靠，保密性強(qiáng)，在它工作以前寫(xiě)入。只讀存儲(chǔ)器由于工作可靠，保密性強(qiáng)，在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。主要有兩類(lèi)：在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。主要有
2、兩類(lèi)：掩模掩模ROM：掩模：掩模ROM實(shí)際上是一個(gè)存儲(chǔ)內(nèi)容固定的實(shí)際上是一個(gè)存儲(chǔ)內(nèi)容固定的ROM，由生產(chǎn)廠家提供產(chǎn)品。由生產(chǎn)廠家提供產(chǎn)品。2 21、掩模、掩模ROM(1)、掩模、掩模ROM的陣列結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)元的陣列結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)元 截止表示存截止表示存0導(dǎo)通表示存導(dǎo)通表示存1當(dāng)行選線與當(dāng)行選線與MOS管柵極管柵極連接時(shí)，連接時(shí)，MOS管導(dǎo)通，管導(dǎo)通，列線上為高電平，表示列線上為高電平，表示該存儲(chǔ)元存該存儲(chǔ)元存1。當(dāng)行選線與當(dāng)行選線與MOS管柵極管柵極不連接時(shí)，不連接時(shí)，MOS管截止，管截止，表示該存儲(chǔ)元存表示該存儲(chǔ)元存0。3 3 掩膜掩膜ROM實(shí)際上是一個(gè)存儲(chǔ)內(nèi)容固定的實(shí)際上是一個(gè)存儲(chǔ)內(nèi)容固定的RO
3、M，由生產(chǎn)廠家，由生產(chǎn)廠家提供產(chǎn)品。它包括廣泛使用的具有標(biāo)準(zhǔn)功能的程序或數(shù)據(jù)，或提供產(chǎn)品。它包括廣泛使用的具有標(biāo)準(zhǔn)功能的程序或數(shù)據(jù)，或提供用戶定做的具有特殊功能的程序或數(shù)據(jù)，當(dāng)然這些程序或提供用戶定做的具有特殊功能的程序或數(shù)據(jù)，當(dāng)然這些程序或數(shù)據(jù)均轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制碼。一旦數(shù)據(jù)均轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制碼。一旦ROM芯片片做成，就不能改變其芯片片做成，就不能改變其中的存儲(chǔ)內(nèi)容。大部分中的存儲(chǔ)內(nèi)容。大部分ROM芯片利用在行選線交叉點(diǎn)上的晶體芯片利用在行選線交叉點(diǎn)上的晶體管是導(dǎo)通或截止來(lái)表示存管是導(dǎo)通或截止來(lái)表示存1或存或存0。圖表示一個(gè)圖表示一個(gè)168位的位的ROM陣列結(jié)構(gòu)示意圖。地址輸入線有陣列結(jié)構(gòu)示意圖。地址
4、輸入線有4條，單譯碼結(jié)構(gòu)，因此條，單譯碼結(jié)構(gòu)，因此ROM的行選線為的行選線為16條，對(duì)應(yīng)條，對(duì)應(yīng)16個(gè)字個(gè)字16個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)字的長(zhǎng)度為個(gè)存儲(chǔ)單元，每個(gè)字的長(zhǎng)度為8位，所以列選線為位，所以列選線為8條。行、列條。行、列線交叉點(diǎn)是一個(gè)線交叉點(diǎn)是一個(gè)MOS管存儲(chǔ)元。當(dāng)行選線與管存儲(chǔ)元。當(dāng)行選線與MOS管柵極連接時(shí)，管柵極連接時(shí)，MOS管導(dǎo)通，列線上為高電平，表示該存儲(chǔ)元存管導(dǎo)通，列線上為高電平，表示該存儲(chǔ)元存1。當(dāng)行選線。當(dāng)行選線與與MOS管柵極不連接時(shí)，管柵極不連接時(shí)，MOS管截止，表示該存儲(chǔ)元存管截止，表示該存儲(chǔ)元存0。此。此處存處存1、存、存0的工作，在生產(chǎn)商廠制造的工作，在生產(chǎn)商廠制造R
5、OM芯片時(shí)就做好了。芯片時(shí)就做好了。4 4（2）、掩模）、掩模ROM的邏輯符號(hào)和內(nèi)部邏輯框圖的邏輯符號(hào)和內(nèi)部邏輯框圖 圖圖(a)是掩膜是掩膜ROM的邏輯符號(hào)，的邏輯符號(hào)，(b)為內(nèi)部邏輯框圖。為內(nèi)部邏輯框圖。ROM有三組信號(hào)線：有三組信號(hào)線：地址線地址線8條條，所以，所以ROM的存儲(chǔ)容量為的存儲(chǔ)容量為28=256個(gè)個(gè)字，字，數(shù)據(jù)線數(shù)據(jù)線4條條，對(duì)應(yīng)字長(zhǎng)，對(duì)應(yīng)字長(zhǎng)4位。位?？刂凭€兩條控制線兩條E0、E1，二者是，二者是“與與”的關(guān)系，可以連在一起。當(dāng)允許的關(guān)系，可以連在一起。當(dāng)允許ROM讀出時(shí)，讀出時(shí)，E0=E1為為低電平，低電平，ROM的輸出緩沖器被打開(kāi)，的輸出緩沖器被打開(kāi)，4位數(shù)據(jù)位數(shù)據(jù)O3
6、O0便讀出。便讀出。5 52、可編程、可編程ROM 。它的存儲(chǔ)內(nèi)容。它的存儲(chǔ)內(nèi)容可以根據(jù)需要寫(xiě)入，當(dāng)需要更新時(shí)將原存儲(chǔ)內(nèi)容抹去，再寫(xiě)可以根據(jù)需要寫(xiě)入，當(dāng)需要更新時(shí)將原存儲(chǔ)內(nèi)容抹去，再寫(xiě)入新的內(nèi)容。入新的內(nèi)容。(1)、EPROM存儲(chǔ)元存儲(chǔ)元 當(dāng)當(dāng)G1柵有電子積累時(shí)，柵有電子積累時(shí)，該該MOS管的開(kāi)啟電壓變管的開(kāi)啟電壓變得很高，即使得很高，即使G2柵為高柵為高電平，該管仍不能導(dǎo)通，電平，該管仍不能導(dǎo)通，相當(dāng)于存儲(chǔ)了相當(dāng)于存儲(chǔ)了“0”。反反之，之，G1柵無(wú)電子積累時(shí)，柵無(wú)電子積累時(shí)，MOS管的開(kāi)啟電壓較低，管的開(kāi)啟電壓較低，當(dāng)當(dāng)G2柵為高電平時(shí)，該柵為高電平時(shí)，該管可以導(dǎo)通，相當(dāng)于存管可以導(dǎo)通，相當(dāng)
7、于存儲(chǔ)了儲(chǔ)了“1”。6 6n現(xiàn)以浮柵雪崩注入型現(xiàn)以浮柵雪崩注入型MOS管為存儲(chǔ)元的管為存儲(chǔ)元的EPROM為例進(jìn)行說(shuō)為例進(jìn)行說(shuō)明，結(jié)構(gòu)如圖明，結(jié)構(gòu)如圖(a)所示，圖所示，圖(b)是電路符號(hào)。是電路符號(hào)。n若在漏極若在漏極D端加上約幾十伏的脈沖電壓，使得溝道中的電場(chǎng)端加上約幾十伏的脈沖電壓，使得溝道中的電場(chǎng)足夠強(qiáng)，則會(huì)造成雪崩，產(chǎn)生很多高能量電子。此時(shí)，若在足夠強(qiáng)，則會(huì)造成雪崩，產(chǎn)生很多高能量電子。此時(shí)，若在G2柵上加上正電壓，形成方向與溝道垂直的電場(chǎng)，便可使溝道中柵上加上正電壓，形成方向與溝道垂直的電場(chǎng)，便可使溝道中的電子穿過(guò)氧化層而注入到的電子穿過(guò)氧化層而注入到G1柵，從而使柵，從而使G1柵積
8、累負(fù)電荷。柵積累負(fù)電荷。n由于由于G1柵周?chē)际墙^緣的二氧化硅層，泄漏電流極小，所以柵周?chē)际墙^緣的二氧化硅層，泄漏電流極小，所以一旦電子注入到一旦電子注入到G1柵后，就能長(zhǎng)期保存。柵后，就能長(zhǎng)期保存。n當(dāng)當(dāng)G1柵有電子積累時(shí)，該柵有電子積累時(shí)，該MOS管的開(kāi)啟電壓變得很高，即使管的開(kāi)啟電壓變得很高，即使G2柵為高電平，該管仍不能導(dǎo)通，相當(dāng)于存儲(chǔ)了柵為高電平，該管仍不能導(dǎo)通，相當(dāng)于存儲(chǔ)了“0”。反之，。反之，G1柵無(wú)電子積累時(shí)，柵無(wú)電子積累時(shí)，MOS管的開(kāi)啟電壓較低，當(dāng)管的開(kāi)啟電壓較低，當(dāng)G2柵為高電柵為高電平時(shí)，該管可以導(dǎo)通，相當(dāng)于存儲(chǔ)了平時(shí)，該管可以導(dǎo)通，相當(dāng)于存儲(chǔ)了“1”。7 7n圖圖(
9、d)示出了讀出時(shí)的電路，它采用二維譯碼方式：示出了讀出時(shí)的電路，它采用二維譯碼方式：x地址譯地址譯碼器的輸出碼器的輸出xi與與G2柵極相連，以決定柵極相連，以決定T2管是否選中；管是否選中；y地址譯碼地址譯碼器的輸出器的輸出yi與與T1管柵極相連，控制其數(shù)據(jù)是否讀出。當(dāng)片選信管柵極相連，控制其數(shù)據(jù)是否讀出。當(dāng)片選信號(hào)號(hào)CS為高電平即該片選中時(shí)，方能讀出數(shù)據(jù)。為高電平即該片選中時(shí)，方能讀出數(shù)據(jù)。n這種器件的上方有一個(gè)石英窗口，如圖這種器件的上方有一個(gè)石英窗口，如圖(c)所示。當(dāng)用光子能所示。當(dāng)用光子能量較高的紫外光照射量較高的紫外光照射G1浮柵時(shí)，浮柵時(shí)，G1中電子獲得足夠能量，從中電子獲得足夠
10、能量，從而穿過(guò)氧化層回到襯底中，如圖而穿過(guò)氧化層回到襯底中，如圖(e)所示。這樣可使浮柵上的所示。這樣可使浮柵上的電子消失，達(dá)到抹去存儲(chǔ)信息的目的，相當(dāng)于存儲(chǔ)器又存了電子消失，達(dá)到抹去存儲(chǔ)信息的目的，相當(dāng)于存儲(chǔ)器又存了全全“1”。n這種這種EPROM出廠時(shí)為全出廠時(shí)為全“1”狀態(tài)，使用者可根據(jù)需要寫(xiě)狀態(tài)，使用者可根據(jù)需要寫(xiě)“0”。寫(xiě)。寫(xiě)“0”電路如圖電路如圖(f)所示，所示，xi和和yi選擇線為高電位，選擇線為高電位，P端端加加20多伏的正脈沖，脈沖寬度為多伏的正脈沖，脈沖寬度為0.11ms。EPROM允許多次允許多次重寫(xiě)。抹去時(shí)，用重寫(xiě)。抹去時(shí)，用40W紫外燈，相距紫外燈，相距2cm，照射幾
11、分鐘即可。，照射幾分鐘即可。8 8(2)、E2PROM存儲(chǔ)元存儲(chǔ)元 9 9n這種存儲(chǔ)器在出廠時(shí)，存儲(chǔ)內(nèi)容為全這種存儲(chǔ)器在出廠時(shí)，存儲(chǔ)內(nèi)容為全“1”狀態(tài)。使用時(shí)，可根狀態(tài)。使用時(shí)，可根據(jù)要求把某些存儲(chǔ)元寫(xiě)據(jù)要求把某些存儲(chǔ)元寫(xiě)“0”。寫(xiě)。寫(xiě)“0”電路如圖電路如圖(d)所示。漏極所示。漏極D加加20V正脈沖正脈沖P2,G2柵接地，浮柵上電子通過(guò)隧道返回襯底，相柵接地，浮柵上電子通過(guò)隧道返回襯底，相當(dāng)于寫(xiě)當(dāng)于寫(xiě)“0”。E2PROM允許改寫(xiě)上千次，改寫(xiě)（先抹后寫(xiě)）大允許改寫(xiě)上千次，改寫(xiě)（先抹后寫(xiě)）大約需約需20ms，數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)，數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)20年以上。年以上。nE2PROM讀出時(shí)的電路如圖讀出時(shí)的電路如圖
12、(e)所示，這時(shí)所示，這時(shí)G2柵加?xùn)偶?V電壓，若電壓，若G1柵有電子積累，柵有電子積累，T2管不能導(dǎo)通，相當(dāng)于存管不能導(dǎo)通，相當(dāng)于存“1”；若；若G1柵無(wú)電柵無(wú)電子積累，子積累，T2管導(dǎo)通，相當(dāng)于存管導(dǎo)通，相當(dāng)于存“0”。nEEPROM，叫做電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器。其存儲(chǔ)元是一個(gè)，叫做電擦除可編程只讀存儲(chǔ)器。其存儲(chǔ)元是一個(gè)具有兩個(gè)柵極的具有兩個(gè)柵極的NMOS管，如圖管，如圖(a)和和(b)所示，所示，G1是控制柵，它是控制柵，它是一個(gè)浮柵，無(wú)引出線；是一個(gè)浮柵，無(wú)引出線；G2是抹去柵，它有引出線。在是抹去柵，它有引出線。在G1柵和柵和漏極漏極D之間有一小面積的氧化層，其厚度極薄，可產(chǎn)生隧道效
13、之間有一小面積的氧化層，其厚度極薄，可產(chǎn)生隧道效應(yīng)。如圖應(yīng)。如圖(c)所示，當(dāng)所示，當(dāng)G2柵加?xùn)偶?0V正脈沖正脈沖P1時(shí)，通過(guò)隧道效應(yīng)，時(shí)，通過(guò)隧道效應(yīng)，電子由襯底注入到電子由襯底注入到G1浮柵，相當(dāng)于存儲(chǔ)了浮柵，相當(dāng)于存儲(chǔ)了“1”。利用此方法可。利用此方法可將存儲(chǔ)器抹成全將存儲(chǔ)器抹成全“1”狀態(tài)。狀態(tài)。1010二、閃速存儲(chǔ)器二、閃速存儲(chǔ)器 FLASH存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器也翻譯成也翻譯成閃速存儲(chǔ)器閃速存儲(chǔ)器，它是高密度非，它是高密度非失易失性的讀失易失性的讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。寫(xiě)存儲(chǔ)器。高密度高密度意味著它具有巨大比特意味著它具有巨大比特?cái)?shù)目的存儲(chǔ)容量。數(shù)目的存儲(chǔ)容量。非易失性非易失性意味著存放的數(shù)據(jù)在沒(méi)有
14、電意味著存放的數(shù)據(jù)在沒(méi)有電源的情況下可以長(zhǎng)期保存?？傊?，它既有源的情況下可以長(zhǎng)期保存?？傊?，它既有RAM的優(yōu)點(diǎn)，的優(yōu)點(diǎn)，又有又有ROM的優(yōu)點(diǎn)，稱得上是存儲(chǔ)技術(shù)劃時(shí)代的進(jìn)展。的優(yōu)點(diǎn)，稱得上是存儲(chǔ)技術(shù)劃時(shí)代的進(jìn)展。11111、FLASH存儲(chǔ)元存儲(chǔ)元“0”狀態(tài)狀態(tài)：當(dāng)控制柵加上足：當(dāng)控制柵加上足夠的正電壓時(shí)，浮空柵將儲(chǔ)夠的正電壓時(shí)，浮空柵將儲(chǔ)存許多電子帶負(fù)電，這意味存許多電子帶負(fù)電，這意味著浮空柵上有很多負(fù)電荷，著浮空柵上有很多負(fù)電荷，這種情況我們定義存儲(chǔ)元處這種情況我們定義存儲(chǔ)元處于于0狀態(tài)。狀態(tài)。“1”狀態(tài)狀態(tài)：如果控制柵不：如果控制柵不加正電壓，浮空柵則只有加正電壓，浮空柵則只有少許電子或不帶
15、電荷，這少許電子或不帶電荷，這種情況我們定義為存儲(chǔ)元種情況我們定義為存儲(chǔ)元處于處于1狀態(tài)。狀態(tài)。浮空柵上的電荷量決定了讀取浮空柵上的電荷量決定了讀取操作時(shí)，加在柵極上的控制電操作時(shí)，加在柵極上的控制電壓能否開(kāi)啟壓能否開(kāi)啟MOS管，并產(chǎn)生管，并產(chǎn)生從漏極從漏極D到源極到源極S的電流。的電流。1212nFLASH存儲(chǔ)元在存儲(chǔ)元在EPROM存儲(chǔ)元基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，由此可存儲(chǔ)元基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，由此可以看出創(chuàng)新與繼承的關(guān)系。以看出創(chuàng)新與繼承的關(guān)系。n如圖所示為閃速存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)元，由單個(gè)如圖所示為閃速存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)元，由單個(gè)MOS晶體管組成，晶體管組成，除漏極除漏極D和源極和源極S外，還有一個(gè)控制柵和
16、浮空柵。當(dāng)控制柵加上外，還有一個(gè)控制柵和浮空柵。當(dāng)控制柵加上足夠的正電壓時(shí)，浮空柵將儲(chǔ)存許多電子帶負(fù)電，這意味著浮足夠的正電壓時(shí)，浮空柵將儲(chǔ)存許多電子帶負(fù)電，這意味著浮空柵上有很多負(fù)電荷，這種情況定義存儲(chǔ)元處于空柵上有很多負(fù)電荷，這種情況定義存儲(chǔ)元處于0狀態(tài)。如果狀態(tài)。如果控制柵不加正電壓，浮空柵只有少許電子或不帶電荷，這種情控制柵不加正電壓，浮空柵只有少許電子或不帶電荷，這種情況定義為存儲(chǔ)元處于況定義為存儲(chǔ)元處于1狀態(tài)。浮空柵上的電荷量決定了讀取操狀態(tài)。浮空柵上的電荷量決定了讀取操作時(shí)，加在柵極上的控制電壓能否開(kāi)啟作時(shí)，加在柵極上的控制電壓能否開(kāi)啟MOS管，并產(chǎn)生從漏極管，并產(chǎn)生從漏極D到源
17、極到源極S的電流。的電流。13132、FLASH存儲(chǔ)元的基本操作存儲(chǔ)元的基本操作：實(shí)際上是寫(xiě)操作。所有存儲(chǔ)元的原始狀態(tài)均處：實(shí)際上是寫(xiě)操作。所有存儲(chǔ)元的原始狀態(tài)均處“1”狀態(tài)，這是因?yàn)椴脸僮鲿r(shí)控制柵不加正電壓。編程操作的目狀態(tài)，這是因?yàn)椴脸僮鲿r(shí)控制柵不加正電壓。編程操作的目的是為存儲(chǔ)元的浮空柵補(bǔ)充電子，從而使存儲(chǔ)元改寫(xiě)成的是為存儲(chǔ)元的浮空柵補(bǔ)充電子，從而使存儲(chǔ)元改寫(xiě)成“0”狀狀態(tài)。如果某存儲(chǔ)元仍保持態(tài)。如果某存儲(chǔ)元仍保持“1”狀態(tài)，則控制柵就不加正電壓。狀態(tài)，則控制柵就不加正電壓。如圖如圖(a)表示編程操作時(shí)存儲(chǔ)元寫(xiě)表示編程操作時(shí)存儲(chǔ)元寫(xiě)0、寫(xiě)、寫(xiě)1的情況。實(shí)際上編程時(shí)的情況。實(shí)際上編程時(shí)
18、只寫(xiě)只寫(xiě)0，不寫(xiě)，不寫(xiě)1，因?yàn)榇鎯?chǔ)元擦除后原始狀態(tài)全為，因?yàn)榇鎯?chǔ)元擦除后原始狀態(tài)全為1。要寫(xiě)。要寫(xiě)0，就，就是要在控制柵是要在控制柵C上加正電壓。一旦存儲(chǔ)元被編程，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)上加正電壓。一旦存儲(chǔ)元被編程，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)可保持可保持100年之久而無(wú)需外電源。年之久而無(wú)需外電源。1414：控制柵加上正電壓。浮空柵上的負(fù)電荷量將決定：控制柵加上正電壓。浮空柵上的負(fù)電荷量將決定是否可以開(kāi)啟是否可以開(kāi)啟MOS晶體管。如果存儲(chǔ)元原存晶體管。如果存儲(chǔ)元原存1，可認(rèn)為浮空柵，可認(rèn)為浮空柵不帶負(fù)電，控制柵上的正電壓足以開(kāi)啟晶體管。如果存儲(chǔ)元不帶負(fù)電，控制柵上的正電壓足以開(kāi)啟晶體管。如果存儲(chǔ)元原存原存0，可認(rèn)為浮空柵
19、帶負(fù)電，控制柵上的正電壓不足以克服，可認(rèn)為浮空柵帶負(fù)電，控制柵上的正電壓不足以克服浮動(dòng)?xùn)派系呢?fù)電量，晶體管不能開(kāi)啟導(dǎo)通。浮動(dòng)?xùn)派系呢?fù)電量，晶體管不能開(kāi)啟導(dǎo)通。當(dāng)當(dāng)MOS晶體管開(kāi)啟導(dǎo)通時(shí)，電源晶體管開(kāi)啟導(dǎo)通時(shí)，電源VD提供從漏極提供從漏極D到源極到源極S的電的電流。讀出電路檢測(cè)到有電流，表示存儲(chǔ)元中存流。讀出電路檢測(cè)到有電流，表示存儲(chǔ)元中存1，若讀出電路檢，若讀出電路檢測(cè)到無(wú)電流，表示存儲(chǔ)元中存測(cè)到無(wú)電流，表示存儲(chǔ)元中存0，如圖，如圖(b)所示。所示。1515：所有的存儲(chǔ)元中浮空柵上的負(fù)電荷要全部：所有的存儲(chǔ)元中浮空柵上的負(fù)電荷要全部洩洩放放出去。為此晶體管源極出去。為此晶體管源極S加上正電壓，
20、這與編程操作正好相加上正電壓，這與編程操作正好相反，見(jiàn)圖反，見(jiàn)圖(c)所示。源極所示。源極S上的正電壓吸收浮空柵中的電子，上的正電壓吸收浮空柵中的電子，從而使全部存儲(chǔ)元變成從而使全部存儲(chǔ)元變成1狀態(tài)。狀態(tài)。16163、FLASH存儲(chǔ)器的陣列結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器的陣列結(jié)構(gòu)（參見(jiàn)教材（參見(jiàn)教材P85下面；下面；P86上面表）上面表）1717FLASH存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)化陣列結(jié)構(gòu)如圖所示。在某一時(shí)間只存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)化陣列結(jié)構(gòu)如圖所示。在某一時(shí)間只有一條行選擇線被激活。讀操作時(shí)，假定某個(gè)存儲(chǔ)元原有一條行選擇線被激活。讀操作時(shí)，假定某個(gè)存儲(chǔ)元原存存1，那么晶體管導(dǎo)通，與它所在位線接通，有電流通過(guò)，那么晶體管導(dǎo)通，與它所在位線接通，有電流通過(guò)位線，所經(jīng)過(guò)的負(fù)載上產(chǎn)生一個(gè)電壓降。這個(gè)電壓降送位線，所經(jīng)過(guò)的負(fù)載上產(chǎn)生一個(gè)電壓降。這個(gè)電壓降送到比較器的一個(gè)輸入端，與另一端輸入的參照電壓做比到比較器的一個(gè)輸入端，與另一端輸入的參照電壓做比較，比較器輸出一個(gè)標(biāo)志為邏輯較，比較器輸出一個(gè)標(biāo)志為邏輯1的電平。如果某個(gè)存儲(chǔ)的電平。如果某個(gè)存儲(chǔ)元原先存元原先存0，那么晶體管不導(dǎo)通，位線上沒(méi)有電流，比較，那么晶體管不導(dǎo)通，位線上沒(méi)有電流，比較器輸出端則產(chǎn)生一個(gè)標(biāo)志為邏輯器輸出端則產(chǎn)生一個(gè)標(biāo)志為邏輯0的電平。的電平。
只讀存儲(chǔ)器和閃速存儲(chǔ)器課件
