高三化學(xué)二輪復(fù)習(xí) 第1部分 專題6 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 突破點(diǎn)21 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的綜合題-人教高三化學(xué)試題

《高三化學(xué)二輪復(fù)習(xí) 第1部分 專題6 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 突破點(diǎn)21 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的綜合題-人教高三化學(xué)試題》由會員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《高三化學(xué)二輪復(fù)習(xí) 第1部分 專題6 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 突破點(diǎn)21 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的綜合題-人教高三化學(xué)試題（16頁珍藏版）》請在裝配圖網(wǎng)上搜索。

1、專題六　物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 建知識網(wǎng)絡(luò)　明內(nèi)在聯(lián)系 突破點(diǎn)21　物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的綜合題 提煉1　原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1.基態(tài)原子的核外電子排布 (1)排布規(guī)律 能量最低原理 原子核外電子總是先占有能量最低的原子軌道 泡利不相容原理 每個原子軌道上最多只能容納2個自旋方向相反的電子 洪特規(guī)則 當(dāng)電子排布在同一能級的不同軌道時，基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個軌道，而且自旋狀態(tài)相同 特別提醒　能量相同的原子軌道在全滿(p6、d10、f14)、半滿(p3、d5、f7)和全空(p0、d0、f0)狀態(tài)時，體系的能量最低。如24Cr的基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22

2、s22p63s23p63d54s1，而不是1s22s22p63s23p63d44s2。 (2)四種表示方法 表示方法 舉例 電子排布式 Cr：1s22s22p63s23p63d54s1 簡化表示式 Cu：[Ar]3d104s1 價電子排布式 Fe：3d64s2 電子排布圖(或 軌道表示式) 2.元素第一電離能和電負(fù)性的變化規(guī)律 同周期(從左到右) 同主族(自上而下) 第一電離能 增大趨勢(注意ⅡA、ⅤA的特殊性) 依次減小 電負(fù)性 依次增大 依次減小 特別提醒　同周期元素，ⅡA族(np0)和ⅤA族(ns2np3)，因p軌道處于全空或半滿狀態(tài)，比

3、較穩(wěn)定，所以其第一電離能大于同周期右側(cè)相鄰的ⅢA族、ⅥA族元素，如第一電離能Mg>Al，P>S。 提煉2　分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1.共價鍵的分類 分類依據(jù) 類型 形成共價鍵的原子軌道重疊方式 σ鍵 “頭碰頭”重疊 π鍵 “肩并肩”重疊 形成共價鍵的電子對是否偏移 極性鍵 共用電子對發(fā)生偏移 非極性鍵 共用電子對不發(fā)生偏移 原子間共用電 子對的數(shù)目 單鍵 原子間有一對共用電子對 雙鍵 原子間有兩對共用電子對 三鍵 原子間有三對共用電子對 【特別提醒】　 ①單鍵為σ鍵；雙鍵或三鍵，其中一個為σ鍵，其余為π鍵。 ②配位鍵為一種特殊的共價鍵，共用電子

4、由成鍵原子單方面提供。 ③s軌道形成的共價鍵全部是σ鍵；雜化軌道形成的共價鍵全部為σ鍵。 2．價層電子對互斥理論的兩大應(yīng)用 應(yīng)用Ⅰ：判斷分子空間構(gòu)型 (1)判斷思路：價層電子對數(shù)目→價層電子對空間構(gòu)型分子的空間構(gòu)型 (2)各種電子對的計算方法及其關(guān)系 價層電子對數(shù)＝中心原子形成σ鍵電子對數(shù)＋中心原子上的孤電子對數(shù) ①中心原子形成σ鍵電子對數(shù)＝與中心原子結(jié)合的原子數(shù)目 ②中心原子上的孤電子對數(shù)＝(a－xb) 其中a為中心原子價電子數(shù)(若為離子，則加上陰離子所帶的負(fù)電荷數(shù)或減去陽離子所帶的正電荷數(shù))。 x為與中心原子結(jié)合的原子數(shù)。 b為與中心原子結(jié)合的原子最多能接受的電子數(shù)。

5、 (3)常見的分子空間構(gòu)型與價層電子對空間構(gòu)型的關(guān)系 價層電 子對數(shù) σ鍵電 子對數(shù) 孤電子 對數(shù) 價層電子對 空間構(gòu)型 分子空 間構(gòu)型 實例 2 2 0 直線形 直線形 BeCl2 3 3 0 平面三角形 平面三角形 BF3 2 1 V形 SnBr2 4 4 0 正四面體形 正四面體形 CH4 3 1 三角錐形 NH3 2 2 V形 H2O 應(yīng)用Ⅱ：判斷雜化軌道類型 (1)判斷思路：價層電子對數(shù)目→雜化軌道數(shù)目→雜化類型 (2)相互關(guān)系 價層電子對數(shù) 雜化軌道數(shù) 雜化類型 2

6、2 sp 3 3 sp2 4 4 sp3 3.分子構(gòu)型與分子極性的關(guān)系 提煉3　晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 1.晶體類型的判斷 (1)據(jù)各類晶體的概念判斷，即根據(jù)構(gòu)成晶體的粒子和粒子間的作用力類別進(jìn)行判斷。如由分子通過分子間作用力(范德華力、氫鍵)形成的晶體屬于分子晶體；由原子通過共價鍵形成的晶體屬于原子晶體；由陰、陽離子通過離子鍵形成的晶體屬于離子晶體；由金屬陽離子和自由電子通過金屬鍵形成的晶體屬于金屬晶體。 (2)據(jù)各類晶體的特征性質(zhì)判斷，如低熔、沸點(diǎn)的晶體屬于分子晶體；熔、沸點(diǎn)較高，且在水溶液中或熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的晶體屬于離子晶體；熔、沸點(diǎn)很高，不導(dǎo)電，不溶于一般溶劑的晶

7、體屬于原子晶體；能導(dǎo)電、傳熱、具有延展性的晶體屬于金屬晶體。 2．立方體(長方體)晶胞組成的計算方法 3．晶胞各物理量的計算 對于立方晶胞，可簡化成下面的公式進(jìn)行各物理量的計算：a3×ρ×NA＝n×M，a表示晶胞的棱長，ρ表示密度，NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，n表示1 mol晶胞中所含晶體的物質(zhì)的量，M表示晶體的摩爾質(zhì)量。 回訪1　(2016·全國乙卷)鍺(Ge)是典型的半導(dǎo)體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉栴}： (1)基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為[Ar]________________，有________個未成對電子。 (2)Ge與C是同族元素，C原子之間可

8、以形成雙鍵、三鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或三鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是_______________________ _______________________________________________________________。 (3)比較下列鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其變化規(guī)律及原因 _________________________________________________________________ ______________________________________________________________。 GeCl4

9、GeBr4 GeI4 熔點(diǎn)/℃ －49.5 26 146 沸點(diǎn)/℃ 83.1 186 約400 (4)光催化還原CO2制備CH4反應(yīng)中，帶狀納米Zn2GeO4是該反應(yīng)的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是________________。 (5)Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中Ge原子的雜化方式為________，微粒之間存在的作用力是______________________________________________。 (6)晶胞有兩個基本要素： ①原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對位置。下圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù)A為(0,0,0)

10、；B為(，0，)；C為(，，0)。則D原子的坐標(biāo)參數(shù)為________。 ②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀。已知Ge單晶的晶胞參數(shù)a＝565.76 pm，其密度為________g·cm－3(列出計算式即可)。 [解析]　(1)鍺元素在周期表的第四周期、第ⅣA族，因此核外電子排布式為[Ar]3d104s24p2，p軌道上的2個電子是未成對電子。 (2)鍺雖然與碳為同族元素，但比碳多了兩個電子層，因此鍺的原子半徑大，原子間形成的σ單鍵較長，p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵。 (3)由鍺鹵化物的熔沸點(diǎn)由Cl到I呈增大的趨勢且它們的熔沸點(diǎn)較低，可判斷它們均為分子晶

11、體，而相同類型的分子晶體，其熔沸點(diǎn)取決于分子量的大小，因為分子量越大，分子間的作用力就越大，熔沸點(diǎn)就越高。 (4)Zn和Ge為同周期元素，Ge在Zn的右邊，因此Ge的電負(fù)性比Zn的強(qiáng)；O為活潑的非金屬元素，電負(fù)性強(qiáng)于Ge和Zn，因此三者電負(fù)性由大至小的順序為O、Ge、Zn。 (5)Ge單晶為金剛石型結(jié)構(gòu)，金剛石中碳原子的雜化方式為sp3，因此Ge原子的雜化方式也為sp3。微粒之間存在的作用力為共價鍵。 (6)①根據(jù)題給圖示可知，D原子的坐標(biāo)參數(shù)為(，，)。 ②每個晶胞中含有鍺原子8×1/8＋6×1/2＋4＝8(個)，每個晶胞的質(zhì)量為，晶胞的體積為(565.76×10－10cm)3，所以

12、晶胞的密度為。 [答案]　(1)3d104s24p2　2 (2)Ge原子半徑大，原子間形成的σ單鍵較長，p-p軌道肩并肩重疊程度很小或幾乎不能重疊，難以形成π鍵 (3)GeCl4、GeBr4、GeI4的熔、沸點(diǎn)依次增高。原因是分子結(jié)構(gòu)相似，相對分子量依次增大，分子間相互作用力逐漸增強(qiáng) (4)O>Ge>Zn (5)sp3　共價鍵 (6)①?、凇?07 回訪2　(2016·全國甲卷)東晉《華陽國志·南中志》卷四中已有關(guān)于白銅的記載，云南鎳白銅(銅鎳合金)聞名中外，曾主要用于造幣，亦可用于制作仿銀飾品?；卮鹣铝袉栴}： (1)鎳元素基態(tài)原子的電子排布式為________________

13、________________， 3d能級上的未成對電子數(shù)為________。 (2)硫酸鎳溶于氨水形成[Ni(NH3)6]SO4藍(lán)色溶液。 ①[Ni(NH3)6]SO4中陰離子的立體構(gòu)型是________。 ②在[Ni(NH3)6]2＋中Ni2＋與NH3之間形成的化學(xué)鍵稱為________，提供孤電子對的成鍵原子是________。 ③氨的沸點(diǎn)________(填“高于”或“低于”)膦(PH3)，原因是______________； 氨是________分子(填“極性”或“非極性”)，中心原子的軌道雜化類型為________。 (3)單質(zhì)銅及鎳都是由________鍵形成的晶

14、體；元素銅與鎳的第二電離能分別為：ICu＝1 958 kJ·mol－1、INi＝1 753 kJ·mol－1，ICu>INi的原因是_____________ ______________________________________________________________。 (4)某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。 ①晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為________。 ②若合金的密度為d g·cm－3，晶胞參數(shù)a＝______________ nm。 [解析]　(1)Ni是28號元素，根據(jù)核外電子的排布規(guī)律可知，其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p

15、63d84s2。根據(jù)洪特規(guī)則可知，Ni原子3d能級上8個電子盡可能分占5個不同的軌道，其未成對電子數(shù)為2。 (2)①SO中，S原子的價層電子對數(shù)為＝4，成鍵電子對數(shù)為4，故SO的立體構(gòu)型為正四面體。 ②[Ni(NH3)6]2＋中，由于Ni2＋具有空軌道，而NH3中N原子含有孤電子對，兩者可通過配位鍵形成配離子。 ③由于NH3分子間可形成氫鍵，故NH3的沸點(diǎn)高于PH3。NH3分子中，N原子形成3個σ鍵，且有1個孤電子對，N原子的軌道雜化類型為sp3，立體構(gòu)型為三角錐形。由于空間結(jié)構(gòu)不對稱，NH3屬于極性分子。 (3)Cu、Ni均屬于金屬晶體，它們均通過金屬鍵形成晶體。因Cu元素基態(tài)原子的

16、價層電子排布式為3d104s1,3d能級全充滿，較穩(wěn)定，失去第2個電子較難，因此ICu>INi。 (4)①由晶胞結(jié)構(gòu)圖可知，Ni原子處于立方晶胞的頂點(diǎn)，Cu原子處于立方晶胞的面心，根據(jù)均攤法，每個晶胞中含有Cu原子的個數(shù)為6×＝3，含有Ni原子的個數(shù)為8×＝1，故晶胞中Cu原子與Ni原子的數(shù)量比為3∶1。 ②根據(jù)m＝ρV可得，1 mol晶胞的質(zhì)量為(64×3＋59)g＝a3×d g·cm－3×NA，則a＝cm＝×107 nm。 [答案]　(1)1s22s22p63s23p63d84s2或[Ar]3d84s2　2 (2)①正四面體　②配位鍵　N?、鄹哂凇H3分子間可形成氫鍵　極性　sp

17、3　(3)金屬　銅失去的是全充滿的3d10電子，鎳失去的是4s1電子　(4)①3∶1 ②×107 回訪3　(2016·全國丙卷)砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，可用于制作微型激光器或太陽能電池的材料等。回答下列問題： 【導(dǎo)學(xué)號：14942081】 (1)寫出基態(tài)As原子的核外電子排布式______________________________。 (2)根據(jù)元素周期律，原子半徑Ga________As，第一電離能Ga________As。(填“大于”或“小于”) (3)AsCl3分子的立體構(gòu)型為________，其中As的雜化軌道類型為________。 (4)GaF3

18、的熔點(diǎn)高于1 000 ℃，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9 ℃，其原因是 ______________________________________________________________。 (5)GaAs的熔點(diǎn)為1 238 ℃，密度為ρ g·cm－3，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體的類型為________，Ga與As以________鍵鍵合。Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，原子半徑分別為rGa pm和rAs pm，阿伏加德羅常數(shù)值為NA，則GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為________________。 [解析]　(1)As元

19、素在周期表中處于第ⅤA族，位于P元素的下一周期，則基態(tài)As原子核外有33個電子，根據(jù)核外電子排布規(guī)律寫出其核外電子排布式：1s22s22p63s23p63d104s24p3或[Ar]3d104s24p3。(2)同周期主族元素的原子半徑隨原子序數(shù)的遞增而逐漸減小，Ga與As在周期表中同位于第四周期，Ga位于第ⅢA族，則原子半徑：Ga>As。Ga、As原子的價電子排布式分別為4s24p1、4s24p3，其中As原子的4p軌道處于半充滿的穩(wěn)定狀態(tài)，其第一電離能較大，則第一電離能：Ga

20、且含有1對未成鍵的孤對電子，則As的雜化軌道類型為sp3雜化，AsCl3分子的立體構(gòu)型為三角錐形。 (4)GaF3的熔點(diǎn)高于1 000 ℃，GaCl3的熔點(diǎn)為77.9 ℃，其原因是GaF3是離子晶體，GaCl3是分子晶體，而離子晶體的熔點(diǎn)高于分子晶體。(5)GaAs的熔點(diǎn)為1 238 ℃，其熔點(diǎn)較高，據(jù)此推知GaAs為原子晶體，Ga與As原子之間以共價鍵鍵合。分析GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)，4個Ga原子處于晶胞體內(nèi)，8個As原子處于晶胞的頂點(diǎn)、6個As原子處于晶胞的面心，結(jié)合“均攤法”計算可知，每個晶胞中含有4個Ga原子，含有As原子個數(shù)為8×1/8＋6×1/2＝4(個)，Ga和As的原子半徑分別為

21、rGa pm＝rGa×10－10 cm，rAs pm＝rAs×10－10 cm，則原子的總體積為V原子＝4×π×[(rGa×10－10 cm)3＋(rAs×10－10 cm)3]＝×10－30(r＋r)cm3。又知Ga和As的摩爾質(zhì)量分別為MGa g·mol－1和MAs g·mol－1，晶胞的密度為ρ g·cm－3，則晶胞的體積為V晶胞＝4(MGa＋MAs)/ρNA cm3，故GaAs晶胞中原子的體積占晶胞體積的百分率為×100%＝×100%＝×100%。 [答案]　(1)1s22s22p63s23p63d104s24p3或[Ar]3d104s24p3　(2)大于　小于　(3)三角錐形　sp

22、3　(4)GaF3為離子晶體，GaCl3為分子晶體　(5)原子晶體　共價 ×100% [題型分析]　物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的綜合型題是近幾年全國卷的選考題之一，一般為第37題，分值為15分。該題主要考查：(1)原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)：基態(tài)原子核外電子排布、第一電離能和電負(fù)性遞變規(guī)律等；(2)分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)：共價鍵類型的判斷、原子軌道雜化類型、分子構(gòu)型判斷等；(3)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)：晶體類型的判斷、晶體熔沸點(diǎn)高低的比較、氫鍵對溶解性的影響、晶體密度和晶體參數(shù)的計算、晶體空間利用率的計算等。 [典型例題]　A、B、C、D為前四周期元素且原子序數(shù)依次增大。BA3能使?jié)駶櫟募t色石蕊試紙變藍(lán)，A、B、C原子的電

23、子數(shù)之和等于25，DC晶體中D＋的3d能級上已充滿電子。 請回答下列問題： (1)這四種元素中，第一電離能最大的是________(填元素符號)；D的基態(tài)原子的核外電子排布式為________________________________________________ ____________________。 (2)在BA3、AC中，沸點(diǎn)較高的是________________(填化學(xué)式)，原因是________________。DA的晶體類型是________。 (3)BA4C晶體中含有離子鍵、極性鍵和________，在該晶體中B原子價層電子對數(shù)為________(填數(shù)字)

24、。 (4)化合物BC3的立體構(gòu)型為________________，中心原子的軌道雜化類型為________。BC3溶于水，其水溶液具有漂白性。工業(yè)上，以石墨為電極，電解BA4C和AC溶液可以制得BC3，寫出該電池總反應(yīng)的化學(xué)方程式： ______________________________________________________________。 (5)B、D形成晶體的晶胞如圖所示(灰球表示D元素原子)。 已知緊鄰的白球與灰球之間的距離為a cm。 ①該晶胞的化學(xué)式為______________________________________________。 ②

25、B元素原子的配位數(shù)為________。 ③該晶胞的密度為________g·cm－3。(NA代表阿伏加德羅常數(shù)的值) 【解題指導(dǎo)】　解答本題時可先推斷相關(guān)元素，然后根據(jù)題設(shè)問題并聯(lián)系教材知識分析、整合和遷移，解決新問題。審題時抓住“前四周期”、“原子序數(shù)依次增大”等信息。 [解析]　BA3能使?jié)駶櫟募t色石蕊試紙變藍(lán)，說明B為N，A為H。C元素原子的電子數(shù)為25－1－7＝17，C的原子序數(shù)為17，故C為Cl；又因為DC晶體中D＋的3d能級上已充滿電子，說明D的原子序數(shù)為29，故D為Cu。 (1)四種元素中，第一電離能最大的是N，不是Cl，因為基態(tài)氮原子的2p能級上達(dá)到半充滿結(jié)構(gòu)，N的第一

26、電離能大于O的，而Cl的第一電離能小于O的，故N的第一電離能大于Cl的。 (2)NH3分子間存在氫鍵，故NH3的沸點(diǎn)高于HCl的。氫化亞銅晶體屬于離子晶體。 (3)NH4Cl晶體中存在離子鍵、極性鍵和配位鍵，氮原子的價層電子對數(shù)為＝4。 (4)NCl3的中心原子是N原子，其中N的價層電子對數(shù)為4，成鍵電子對數(shù)為3，孤電子對數(shù)為1，故NCl3的立體構(gòu)型為三角錐形，中心原子的雜化軌道類型為sp3。電解氯化銨溶液和鹽酸可生成三氯化氮和氫氣。 (5)①觀察晶胞圖示知，12個銅原子位于棱上、8個氮原子位于頂點(diǎn)，1個晶胞中含氮原子個數(shù)為8×＝1；含銅原子個數(shù)為12×＝3，故氮化銅的化學(xué)式為Cu

27、3N。 ②頂點(diǎn)上1個氮原子周圍緊密相鄰的銅原子有3個，設(shè)想由8個立方體構(gòu)成大立方體，可知氮原子上下、前后、左右共有6個銅原子緊密相鄰，即氮的配位數(shù)為6。 ③ρ＝ g·cm－3＝ g·cm－3。 [答案]　(1)N　1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1　(2)NH3　分子間存在氫鍵　離子晶體　(3)配位鍵　4 (4)三角錐形　sp3　NH4Cl＋2HClNCl3＋3H2↑ (5)①Cu3N?、??、? 1．在書寫基態(tài)原子核外電子排布時，區(qū)別電子排布式、價層電子排布式(或外圍電子排布式)和電子排布圖。 2．在計算晶體密度時，要注意單位換算。例如，1

28、m＝100 cm＝1×109 nm＝1×1012 pm。 3．配位鍵屬于共價鍵。 4．分析物質(zhì)性質(zhì)時，容易混淆物質(zhì)揮發(fā)性和穩(wěn)定性，前者與分子間作用力有關(guān)，后者與分子中化學(xué)鍵強(qiáng)弱有關(guān)。氫鍵包括分子間氫鍵和分子內(nèi)氫鍵。 [針對訓(xùn)練] 1．(2016·河南六市聯(lián)考)現(xiàn)有前四周期元素A、B、C、D、E，原子序數(shù)依次增大。A的基態(tài)原子核外電子占據(jù)3個能級，最外層電子數(shù)是電子層數(shù)的2倍。基態(tài)B原子與A同周期，p能級達(dá)到半充滿，C原子電子層數(shù)與最外層電子數(shù)相等，B和E同主族，基態(tài)D原子的價層電子排布通式為ns2np1。 請回答下列問題： (1)基態(tài)E原子的價電子排布式為________。 (2

29、)上述5種元素中，電負(fù)性最大的元素是________，1 mol AB－中含有π鍵的數(shù)目是________。 (3)BO的空間構(gòu)型為________，寫出它的一種等電子體：________。 (白球為B，黑球為D) (4)B、C可組成一種新型無機(jī)非金屬材料CB，具有耐高溫，耐磨性能。它的晶體類型為________，其晶胞與金剛石晶胞相似，已知晶胞邊長為a pm，則該晶胞的密度為________(用含a、NA的代數(shù)式表示)g/cm3。 (5)D、B可組成第三代半導(dǎo)體材料，其晶胞如圖所示，它的化學(xué)式為________。 [解析]　根據(jù)提供信息，可以推斷A為C，B為N，C為Al，D為G

30、a，E為As。(1)基態(tài)As原子的價電子排布式為4s24p3。(2)根據(jù)電負(fù)性大的元素位于元素周期表右上方，則5種元素中，電負(fù)性最大的為N，CN－的電子式為[：C??N：]－，C和N之間為三鍵，而1個三鍵中含有1個σ鍵，2個π鍵，則1 mol CN－含有2 mol π鍵。(3)NO中N無孤電子對，空間構(gòu)型為平面三角形；NO與CO互為等電子體。 (4)AlN具有耐高溫、耐磨性能，則為原子晶體，AlN晶胞與金剛石晶胞相似，則一個AlN晶胞中含4個Al、4個N，故晶胞的密度為＝ g·cm－3。(5)N的個數(shù)為6×＋4＝6，Ga的個數(shù)為12×＋2×＋3＝6，故該晶體的化學(xué)式為GaN。 [答案]　(

31、1)4s24p3 (2)N　2NA (3)平面三角形　CO (4)原子晶體　 (5)GaN 2．(2016·遼南協(xié)作校聯(lián)考)A、B、C、D、E、F均為前四周期元素且原子序數(shù)依次增大，A是宇宙中最豐富的元素。B的基態(tài)原子中占據(jù)啞鈴形原子軌道的電子數(shù)為1，C原子核外成對電子數(shù)比未成對電子數(shù)多1，前四周期元素中D的電負(fù)性只比氟元素小，E是第三周期中原子半徑最小的元素，F(xiàn)位于ds區(qū)且原子的最外層電子數(shù)與A的相同。請回答下列問題： (1)F晶體中原子堆積模型為________________，二價F離子的電子排布式為________________。 (2)B、C、D基態(tài)原子第一電離能由

32、大到小的順序為________________。 (3)CE3中C原子的雜化軌道類型為________，C的氣態(tài)氫化物分子的空間構(gòu)型為________，將其水溶液滴入F的氫氧化物懸濁液中，反應(yīng)的離子方程式為__________________________________________________________________ ______________________________________________________________。 (4)已知F和E的電負(fù)性分別為1.9和3.0，則F與E形成的化合物屬于________(填“離子”或“共價”)化合物。 (5

33、)立方BC的結(jié)構(gòu)和硬度都與金剛石相似，晶胞邊長為361.5 pm，立方BC的密度是________________________________________________(只要求列算式)。 [解析]　根據(jù)題給信息推斷A、B、C、D、E、F依次為H、B、N、O、Cl、Cu。(1)金屬銅、銀、金均為面心立方最密堆積；銅原子失去最外層的一個電子和次外層的一個電子，得到銅離子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d9。(2)因N原子的2p軌道處于半充滿狀態(tài)，相對較穩(wěn)定，第一電離能大于后面的O，所以B、N、O第一電離能由大到小的順序為N>O>B。(3)NCl3的中心原子N的價層電子對數(shù)

34、為4，為sp3雜化；NH3空間構(gòu)型為三角錐形；NH3和氫氧化銅懸濁液反應(yīng)的離子方程式為Cu(OH)2＋4NH3===[Cu(NH3)4]2＋＋2OH－。(4)二者電負(fù)性之差為3.0－1.9＝1.10<1.7，屬于共價化合物。(5)BN結(jié)構(gòu)與金剛石相似，晶胞中含有8個原子，即4個B原子，4個N原子，則晶胞中含有4個BN。晶胞質(zhì)量為，則密度為。 [答案]　(1)面心立方最密堆積　1s22s22p63s23p63d9 (2)N>O>B (3)sp3雜化　三角錐形　4NH3＋Cu(OH)2===[Cu(NH3)4]2＋＋2OH－ (4)共價 (5) 3．(2016·甘肅第一次診斷)E、G、

35、M、Q、T是五種原子序數(shù)依次增大的前四周期元素。E、G、M是位于p區(qū)的同一周期的元素，M的價層電子排布為nsnnp2n，E與M原子核外的未成對電子數(shù)相等；QM2與GM具有相等的價電子總數(shù)；T為過渡元素，其原子核外沒有未成對電子。請回答下列問題： 【導(dǎo)學(xué)號：14942082】 (1)T元素原子的價電子排布式是__________________________________。 (2)E、G、M三種元素的第一電離能由大到小的順序為________(用元素符號表示)，其原因為_______________________________________________________ _

36、_____________________________________________________________。 (3)E、G、M的最簡單氫化物中，鍵角由大到小的順序為________________(用分子式表示)，其中G的最簡單氫化物的分子立體構(gòu)型名稱為________，M的最簡單氫化物的分子中中心原子的雜化類型為________。M和Q的最簡單氫化物的沸點(diǎn)大小順序為________________(寫化學(xué)式)。 (4)EM、GM＋、G2互為等電子體，EM的結(jié)構(gòu)式為(若有配位鍵，請用“→”表示)________。E、M電負(fù)性相差1.0，由此可以判斷EM應(yīng)該為極性較強(qiáng)的分子，

37、但實際上EM分子的極性極弱，請解釋其原因：______________________ _______________________________________________________________。 (5)TQ在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方TQ晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，該晶體的密度為ρ g·cm－3。如果TQ的摩爾質(zhì)量為M g·mol－1，阿伏加德羅常數(shù)為NA mol－1，則a、b之間的距離為________cm。 [解析]　E為C元素，G為N元素，M為O元素，Q為S元素，T為Zn元素。(1)鋅為30號元素，基態(tài)鋅原子的電子排布式為1s22s22p63

38、s23p63d104s2，價電子排布式為3d104s2。(3)甲烷為正四面體形，氨氣為三角錐形，水為V形，水分子中氧原子采取sp3雜化；由于H2O、H2S都為分子晶體，沸點(diǎn)與相對分子質(zhì)量有關(guān)，相對分子質(zhì)量越大，沸點(diǎn)越高，但是由于水分子間存在氫鍵，所以H2O的沸點(diǎn)高于H2S。(5)該晶胞中共含有4個ZnS，所以其晶胞的邊長為 cm，Zn2＋與S2－的距離為晶胞邊長的。 [答案]　(1)3d104s2 (2)N>O>C　同周期從左至右隨原子序數(shù)遞增，元素第一電離能依次增大，但N原子的價電子排布為2s22p3，屬于半充滿狀態(tài)，較穩(wěn)定，導(dǎo)致氮元素第一電離能大于氧元素 (3)CH4>NH3>H2O　三角錐形　sp3　H2O>H2S (4)CO　從電負(fù)性分析，CO中的共用電子對偏向氧原子，但分子中形成配位鍵的電子對是由氧原子單方面提供的，抵消了共用電子對偏向O而產(chǎn)生的極性 (5)