微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)詞匯

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1、最新 精品 Word 歡迎下載 可修改 微電子學(xué)專(zhuān)業(yè)詞匯 Abrupt junction 突變結(jié) Accelerated testing 加速實(shí)驗(yàn) Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 積累、堆積 Accumulating contact 積累接觸 Accumulation region 積累區(qū) Accumulation layer 積累層 Active region 有源區(qū) Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activat

2、ion energy 激活能 Active region 有源（放大）區(qū) Admittance 導(dǎo)納 Allowed band 允帶 Alloy-junction device合金結(jié)器件 Aluminum(Aluminium) 鋁 Aluminum - oxide 鋁氧化物 Aluminum passivation 鋁鈍化 Ambipolar 雙極的 Ambient temperature 環(huán)境溫度 Amorphous 無(wú)定形的，非晶體的 Amplifier 功放 擴(kuò)音器 放大器 Analogue(Analog) comparator 模擬比較器 Angstrom 埃

3、 Anneal 退火 Anisotropic 各向異性的 Anode 陽(yáng)極 Arsenic (AS) 砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇過(guò)程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩擊穿 Avalanche excitation雪崩激發(fā) Background carrier 本底載流子 Background doping 本底摻雜 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流電阻 Ball bond 球形鍵合 Band 能帶 Band gap 能帶間隙

4、 Barrier 勢(shì)壘 Barrier layer 勢(shì)壘層 Barrier width 勢(shì)壘寬度 Base 基極 Base contact 基區(qū)接觸 Base stretching 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng) Base transit time 基區(qū)渡越時(shí)間 Base transport efficiency基區(qū)輸運(yùn)系數(shù) Base-width modulation基區(qū)寬度調(diào)制 Basis vector 基矢 Bias 偏置 Bilateral switch 雙向開(kāi)關(guān) Binary code 二進(jìn)制代碼Binary compound semiconductor 二元化合物半導(dǎo)體 B

5、ipolar 雙極性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)雙極晶體管 Bloch 布洛赫 Blocking band 阻擋能帶 Blocking contact 阻擋接觸 Body - centered 體心立方 Body-centred cubic structure 體立心結(jié)構(gòu) Boltzmann 波爾茲曼 Bond 鍵、鍵合 Bonding electron 價(jià)電子 Bonding pad 鍵合點(diǎn) Bootstrap circuit 自舉電路 Bootstrapped emitter follower 自舉射極跟隨器Boron 硼

6、 Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 邊界條件 Bound electron 束縛電子 Breadboard 模擬板、實(shí)驗(yàn)板 Break down 擊穿 Break over 轉(zhuǎn)折 Brillouin 布里淵 Brillouin zone 布里淵區(qū) Built-in 內(nèi)建的 Build-in electric field 內(nèi)建電場(chǎng) Bulk 體/體內(nèi) Bulk absorption 體吸收 Bulk generation 體產(chǎn)生 Bulk recombination 體復(fù)合 Burn - in 老化 Burn out

7、 燒毀 Buried channel 埋溝 Buried diffusion region 隱埋擴(kuò)散區(qū) Can 外殼 Capacitance 電容 Capture cross section 俘獲截面 Capture carrier 俘獲載流子 Carrier 載流子、載波 Carry bit 進(jìn)位位 Carry-in bit 進(jìn)位輸入 Carry-out bit 進(jìn)位輸出 Cascade 級(jí)聯(lián) Case 管殼 Cathode 陰極 Center 中心 Ceramic 陶瓷（的） Channel 溝道 Channel breakdown 溝道擊穿 Channel

8、 current 溝道電流 Channel doping 溝道摻雜 Channel shortening 溝道縮短 Channel width 溝道寬度 Characteristic impedance 特征阻抗 Charge 電荷、充電 Charge-compensation effects 電荷補(bǔ)償效應(yīng) Charge conservation 電荷守恒 Charge neutrality condition 電中性條件 Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 電荷驅(qū)動(dòng)/交換/共享/轉(zhuǎn)移/存儲(chǔ) Chemmical e

9、tching 化學(xué)腐蝕法 Chemically-Polish 化學(xué)拋光 Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化學(xué)機(jī)械拋光 Chip 芯片 Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 Clamping diode 箝位二極管 Cleavage plane 解理面 Clock rate 時(shí)鐘頻率 Clock generator 時(shí)鐘發(fā)生器 Clock flip-flop 時(shí)鐘觸發(fā)器 Close-packed structure 密堆積結(jié)構(gòu) Close-loop gain 閉環(huán)增益 Collector 集電極 Colli

10、sion 碰撞 Compensated OP-AMP 補(bǔ)償運(yùn)放 Common-base/collector/emitter connection 共基極/集電極/發(fā)射極連接 Common-gate/drain/source connection 共柵/漏/源連接 Common-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模輸入 Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Compatibility 兼容性 Compensation 補(bǔ)償 Compensated impurities 補(bǔ)償雜質(zhì) Compensa

11、ted semiconductor 補(bǔ)償半導(dǎo)體 Complementary Darlington circuit 互補(bǔ)達(dá)林頓電路 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 Complementary error function 余誤差函數(shù) Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)/ 測(cè)試 /制 造 Compound Semiconductor 化合物半

12、導(dǎo)體 Conductance 電導(dǎo) Conduction band (edge) 導(dǎo)帶(底) Conduction level/state 導(dǎo)帶態(tài) Conductor 導(dǎo)體 Conductivity 電導(dǎo)率 Configuration 組態(tài) Conlomb 庫(kù)侖 Conpled Configuration Devices 結(jié)構(gòu)組態(tài) Constants 物理常數(shù) Constant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源擴(kuò)散 Contact 接觸 Contamination 治污 Continuity equati

13、on 連續(xù)性方程 Contact hole 接觸孔 Contact potential 接觸電勢(shì) Continuity condition 連續(xù)性條件 Contra doping 反摻雜 Controlled 受控的 Converter 轉(zhuǎn)換器 Conveyer 傳輸器 Copper interconnection system 銅互連系統(tǒng)Couping 耦合 Covalent 共階的 Crossover 跨交 Critical 臨界的 Crossunder 穿交 Crucible坩堝 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶

14、體缺陷/晶面/晶向/晶 格 Current density 電流密度 Curvature 曲率 Cut off 截止 Current drift/dirve/sharing 電流漂移/驅(qū)動(dòng)/共享 Current Sense 電流取樣 Curvature 彎曲 Custom integrated circuit 定制集成電路 Cylindrical 柱面的 Czochralshicrystal 直立單晶 Czochralski technique 切克勞斯基技術(shù)（Cz法直拉晶體J） Dangling bonds 懸掛鍵 Dark current 暗電流 Dead

15、time 空載時(shí)間 Debye length 德拜長(zhǎng)度 De.broglie 德布洛意 Decderate 減速 Decibel (dB) 分貝 Decode 譯碼 Deep acceptor level 深受主能級(jí) Deep donor level 深施主能級(jí) Deep impurity level 深度雜質(zhì)能級(jí) Deep trap 深陷阱 Defeat 缺陷 Degenerate semiconductor 簡(jiǎn)并半導(dǎo)體 Degeneracy 簡(jiǎn)并度 Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 攝氏/開(kāi)氏溫度

16、 Delay 延遲 Density 密度 Density of states 態(tài)密度 Depletion 耗盡 Depletion approximation 耗盡近似 Depletion contact 耗盡接觸 Depletion depth 耗盡深度 Depletion effect 耗盡效應(yīng) Depletion layer 耗盡層 Depletion MOS 耗盡MOS Depletion region 耗盡區(qū) Deposited film 淀積薄膜 Deposition process 淀積工藝 Design rules 設(shè)計(jì)規(guī)則 Die 芯片（復(fù)數(shù)dic

17、e） Diode 二極管 Dielectric 介電的 Dielectric isolation 介質(zhì)隔離 Difference-mode input 差模輸入 Differential amplifier 差分放大器 Differential capacitance 微分電容 Diffused junction 擴(kuò)散結(jié) Diffusion 擴(kuò)散 Diffusion coefficient 擴(kuò)散系數(shù) Diffusion constant 擴(kuò)散常數(shù) Diffusivity 擴(kuò)散率 Diffusion capacitance/barrier/current/furnace

18、擴(kuò)散電容/勢(shì)壘/電流/爐 Digital circuit 數(shù)字電路 Dipole domain 偶極疇 Dipole layer 偶極層 Direct-coupling 直接耦合 Direct-gap semiconductor 直接帶隙半導(dǎo)體 Direct transition 直接躍遷 Discharge 放電 Discrete component 分立元件 Dissipation 耗散 Distribution 分布 Distributed capacitance 分布電容 Distributed model 分布模型 Displacement 位移 Disloc

19、ation 位錯(cuò) Domain 疇 Donor 施主 Donor exhaustion 施主耗盡 Dopant 摻雜劑 Doped semiconductor 摻雜半導(dǎo)體 Doping concentration 摻雜濃度 Double-diffusive MOS(DMOS)雙擴(kuò)散MOS. Drift 漂移 Drift field 漂移電場(chǎng) Drift mobility 遷移率 Dry etching 干法腐蝕 Dry/wet oxidation 干/濕法氧化 Dose 劑量 Duty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP）

20、雙列直插式封裝 Dynamics 動(dòng)態(tài) Dynamic characteristics 動(dòng)態(tài)屬性 Dynamic impedance 動(dòng)態(tài)阻抗 Early effect 厄利效應(yīng) Early failure 早期失效 Effective mass 有效質(zhì)量 Einstein relation(ship) 愛(ài)因斯坦關(guān)系 Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性電可擦除只讀存儲(chǔ)器 Electrode 電極 Electrominggratim 電遷移 Electron affinity 電子親和勢(shì) E

21、lectronic -grade 電子能 Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蝕劑的電子束曝光 Electron gas 電子氣 Electron-grade water 電子級(jí)純水 Electron trapping center 電子俘獲中心 Electron Volt (eV) 電子伏 Electrostatic 靜電的 Element 元素/元件/配件 Elemental semiconductor 元素半導(dǎo)體 Ellipse 橢圓 Ellipsoid 橢球 Emitter 發(fā)射極 Emitter-coupled l

22、ogic 發(fā)射極耦合邏輯Emitter-coupled pair 發(fā)射極耦合對(duì) Emitter follower 射隨器 Empty band 空帶 Emitter crowding effect 發(fā)射極集邊（擁擠）效應(yīng) Endurance test =life test 壽命測(cè)試 Energy state 能態(tài) Energy momentum diagram 能量-動(dòng)量(E-K)圖 Enhancement mode 增強(qiáng)型模式 Enhancement MOS 增強(qiáng)性MOS Entefic (低)共溶的 Environmental test 環(huán)境測(cè)試 Epitaxial

23、 外延的 Epitaxial layer 外延層 Epitaxial slice 外延片 Expitaxy 外延 Equivalent curcuit 等效電路 Equilibrium majority /minority carriers 平衡多數(shù)/少數(shù)載流子 Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽?。ň幊蹋┐鎯?chǔ)器 Error function complement 余誤差函數(shù) Etch 刻蝕 Etchant 刻蝕劑 Etching mask 抗蝕劑掩模 Excess carrier 過(guò)剩載流子 Excitation energ

24、y 激發(fā)能 Excited state 激發(fā)態(tài) Exciton 激子 Extrapolation 外推法 Extrinsic 非本征的 Extrinsic semiconductor 雜質(zhì)半導(dǎo)體 Face - centered 面心立方 Fall time 下降時(shí)間 Fan-in 扇入 Fan-out 扇出 Fast recovery 快恢復(fù) Fast surface states 快界面態(tài) Feedback 反饋 Fermi level 費(fèi)米能級(jí) Fermi-Dirac Distribution 費(fèi)米-狄拉克分布 Femi potential 費(fèi)米勢(shì) Fick

25、equation 菲克方程（擴(kuò)散） Field effect transistor 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 Field oxide 場(chǎng)氧化層 Filled band 滿(mǎn)帶 Film 薄膜 Flash memory 閃爍存儲(chǔ)器 Flat band 平帶 Flat pack 扁平封裝 Flicker noise 閃爍（變）噪聲 Flip-flop toggle 觸發(fā)器翻轉(zhuǎn) Floating gate 浮柵 Fluoride etch 氟化氫刻蝕 Forbidden band 禁帶 Forward bias 正向偏置 Forward blocking /conducting正向阻斷

26、/導(dǎo)通 Frequency deviation noise頻率漂移噪聲 Frequency response 頻率響應(yīng) Function 函數(shù) Gain 增益 Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化鉀 Gamy ray r 射線 Gate 門(mén)、柵、控制極 Gate oxide 柵氧化層 Gauss（ian） 高斯 Gaussian distribution profile 高斯摻雜分布Generation-recombination 產(chǎn)生-復(fù)合 Geometries 幾何尺寸 Germanium(Ge) 鍺 Graded 緩變的 Graded (grad

27、ual) channel 緩變溝道 Graded junction 緩變結(jié) Grain 晶粒 Gradient 梯度 Grown junction 生長(zhǎng)結(jié) Guard ring 保護(hù)環(huán) Gummel-Poom model 葛謀-潘 模型 Gunn - effect 狄氏效應(yīng) Hardened device 輻射加固器件 Heat of formation 形成熱 Heat sink 散熱器、熱沉 Heavy/light hole band 重/輕 空穴帶 Heavy saturation 重?fù)诫s Hell - effect 霍爾效應(yīng) Heterojunction

28、異質(zhì)結(jié) Heterojunction structure 異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu) Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）異質(zhì)結(jié)雙極型晶體 High field property 高場(chǎng)特性 High-performance MOS.( H-MOS)高性能MOS. Hormalized 歸一化 Horizontal epitaxial reactor 臥式外延反應(yīng)器 Hot carrior 熱載流子 Hybrid integration 混合集成 Image - force 鏡象力 Impact ionization 碰撞電離 Impedance

29、 阻抗 Imperfect structure 不完整結(jié)構(gòu) Implantation dose 注入劑量 Implanted ion 注入離子 Impurity 雜質(zhì) Impurity scattering 雜志散射 Incremental resistance 電阻增量（微分電阻）In-contact mask 接觸式掩模 Indium tin oxide (ITO) 銦錫氧化物 Induced channel 感應(yīng)溝道 Infrared 紅外的 Injection 注入 Input offset voltage 輸入失調(diào)電壓 Insulator 絕緣體 Insu

30、lated Gate FET(IGFET)絕緣柵FET Integrated injection logic集成注入邏輯 Integration 集成、積分 Interconnection 互連 Interconnection time delay 互連延時(shí) Interdigitated structure 交互式結(jié)構(gòu) Interface 界面 Interference 干涉 International system of unions國(guó)際單位制 Internally scattering 谷間散射 Interpolation 內(nèi)插法 Intrinsic 本征的 Intr

31、insic semiconductor 本征半導(dǎo)體 Inverse operation 反向工作 Inversion 反型 Inverter 倒相器 Ion 離子 Ion beam 離子束 Ion etching 離子刻蝕 Ion implantation 離子注入 Ionization 電離 Ionization energy 電離能 Irradiation 輻照 Isolation land 隔離島 Isotropic 各向同性 Junction FET(JFET) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 Junction isolation 結(jié)隔離 Junction spacing

32、結(jié)間距 Junction side-wall 結(jié)側(cè)壁 Latch up 閉鎖 Lateral 橫向的 Lattice 晶格 Layout 版圖 Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格結(jié)合力/晶胞/晶格/晶格常熟 /晶格缺陷/晶格畸變 Leakage current （泄）漏電流 Level shifting 電平移動(dòng) Life time 壽命 linearity 線性度 Linked bond 共價(jià)鍵 Liquid Nitrogen 液氮 Liquid－phase epitaxial growth te

33、chnique 液相外延生長(zhǎng)技術(shù) Lithography 光刻 Light Emitting Diode(LED) 發(fā)光二極管 Load line or Variable 負(fù)載線 Locating and Wiring 布局布線 Longitudinal 縱向的 Logic swing 邏輯擺幅 Lorentz 洛淪茲 Lumped model 集總模型 Majority carrier 多數(shù)載流子 Mask 掩膜板，光刻板 Mask level 掩模序號(hào) Mask set 掩模組 Mass - action law質(zhì)量守恒定律 Master-slave D flip

34、-flop主從D觸發(fā)器 Matching 匹配 Maxwell 麥克斯韋 Mean free path 平均自由程 Meandered emitter junction梳狀發(fā)射極結(jié) Mean time before failure (MTBF) 平均工作時(shí)間 Megeto - resistance 磁阻 Mesa 臺(tái)面 MESFET-Metal Semiconductor金屬半導(dǎo)體FET Metallization 金屬化 Microelectronic technique 微電子技術(shù) Microelectronics 微電子學(xué) Millen indices 密勒指

35、數(shù) Minority carrier 少數(shù)載流子 Misfit 失配 Mismatching 失配 Mobile ions 可動(dòng)離子 Mobility 遷移率 Module 模塊 Modulate 調(diào)制 Molecular crystal分子晶體 Monolithic IC 單片IC MOSFET金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶體管 Multiplication 倍增 Modulator 調(diào)制 Multi-chip IC 多芯片IC Multi-chip module(MCM) 多芯片模塊 Multiplic

36、ation coefficient倍增因子 Naked chip 未封裝的芯片（裸片） Negative feedback 負(fù)反饋 Negative resistance 負(fù)阻 Nesting 套刻 Negative-temperature-coefficient 負(fù)溫度系數(shù) Noise margin 噪聲容限 Nonequilibrium 非平衡 Nonrolatile 非揮發(fā)（易失）性 Normally off/on 常閉/開(kāi) Numerical analysis 數(shù)值分析 Occupied band 滿(mǎn)帶 Officienay 功率 Offset 偏移、失調(diào) On

37、 standby 待命狀態(tài) Ohmic contact 歐姆接觸 Open circuit 開(kāi)路 Operating point 工作點(diǎn) Operating bias 工作偏置 Operational amplifier (OPAMP)運(yùn)算放大器 Optical photon =photon 光子 Optical quenching光猝滅 Optical transition 光躍遷 Optical-coupled isolator光耦合隔離器 Organic semiconductor有機(jī)半導(dǎo)體 Orientation 晶向、定向 Outline 外形 Out-o

38、f-contact mask非接觸式掩模 Output characteristic 輸出特性 Output voltage swing 輸出電壓擺幅 Overcompensation 過(guò)補(bǔ)償 Over-current protection 過(guò)流保護(hù) Over shoot 過(guò)沖 Over-voltage protection 過(guò)壓保護(hù) Overlap 交迭 Overload 過(guò)載 Oscillator 振蕩器 Oxide 氧化物 Oxidation 氧化 Oxide passivation 氧化層鈍化 Package 封裝 Pad 壓焊點(diǎn) Parameter 參

39、數(shù) Parasitic effect 寄生效應(yīng) Parasitic oscillation 寄生振蕩 Passination 鈍化 Passive component 無(wú)源元件 Passive device 無(wú)源器件 Passive surface 鈍化界面 Parasitic transistor 寄生晶體管 Peak-point voltage 峰點(diǎn)電壓 Peak voltage 峰值電壓 Permanent-storage circuit 永久存儲(chǔ)電路 Period 周期 Periodic table 周期表 Permeable - base 可滲透基區(qū) Pha

40、se-lock loop 鎖相環(huán) Phase drift 相移 Phonon spectra 聲子譜 Photo conduction 光電導(dǎo) Photo diode 光電二極管 Photoelectric cell 光電池 Photoelectric effect 光電效應(yīng) Photoenic devices 光子器件 Photolithographic process 光刻工藝 (photo) resist （光敏）抗腐蝕劑 Pin 管腳 Pinch off 夾斷 Pinning of Fermi level 費(fèi)米能級(jí)的釘扎（效應(yīng)） Planar proces

41、s 平面工藝 Planar transistor 平面晶體管 Plasma 等離子體 Plezoelectric effect 壓電效應(yīng) Poisson equation 泊松方程 Point contact 點(diǎn)接觸 Polarity 極性 Polycrystal 多晶 Polymer semiconductor聚合物半導(dǎo)體 Poly-silicon 多晶硅 Potential (電)勢(shì) Potential barrier 勢(shì)壘 Potential well 勢(shì)阱 Power dissipation 功耗 Power transistor 功率晶體管 Preampl

42、ifier 前置放大器 Primary flat 主平面 Principal axes 主軸 Print-circuit board(PCB) 印制電路板 Probability 幾率 Probe 探針 Process 工藝 Propagation delay 傳輸延時(shí) Pseudopotential method 膺勢(shì)發(fā) Punch through 穿通 Pulse triggering/modulating 脈沖觸發(fā)/調(diào)制Pulse Widen Modulator(PWM) 脈沖寬度調(diào)制 Punchthrough 穿通 Push-pull stage 推挽級(jí)

43、Quality factor 品質(zhì)因子 Quantization 量子化 Quantum 量子 Quantum efficiency量子效應(yīng) Quantum mechanics 量子力學(xué) Quasi - Fermi－level準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí) Quartz 石英 Radiation conductivity 輻射電導(dǎo)率 Radiation damage 輻射損傷 Radiation flux density 輻射通量密度 Radiation hardening 輻射加固 Radiation protection 輻射保護(hù) Radiative - recombination輻照復(fù)

44、合 Radioactive 放射性 Reach through 穿通 Reactive sputtering source 反應(yīng)濺射源 Read diode 里德二極管 Recombination 復(fù)合 Recovery diode 恢復(fù)二極管 Reciprocal lattice 倒核子 Recovery time 恢復(fù)時(shí)間 Rectifier 整流器（管） Rectifying contact 整流接觸 Reference 基準(zhǔn)點(diǎn) 基準(zhǔn) 參考點(diǎn) Refractive index 折射率 Register 寄存器 Registration 對(duì)準(zhǔn) Regulat

45、e 控制 調(diào)整 Relaxation lifetime 馳豫時(shí)間 Reliability 可靠性 Resonance 諧振 Resistance 電阻 Resistor 電阻器 Resistivity 電阻率 Regulator 穩(wěn)壓管（器） Relaxation 馳豫 Resonant frequency共射頻率 Response time 響應(yīng)時(shí)間 Reverse 反向的 Reverse bias 反向偏置 Sampling circuit 取樣電路 Sapphire 藍(lán)寶石（Al2O3） Satellite valley 衛(wèi)星谷 Saturated curr

46、ent range電流飽和區(qū) Saturation region 飽和區(qū) Saturation 飽和的 Scaled down 按比例縮小 Scattering 散射 Schockley diode 肖克萊二極管 Schottky 肖特基 Schottky barrier 肖特基勢(shì)壘 Schottky contact 肖特基接觸 Schrodingen 薛定厄 Scribing grid 劃片格 Secondary flat 次平面 Seed crystal 籽晶 Segregation 分凝 Selectivity 選擇性 Self aligned 自對(duì)準(zhǔn)的

47、 Self diffusion 自擴(kuò)散 Semiconductor 半導(dǎo)體 Semiconductor-controlled rectifier 可控硅 Sendsitivity 靈敏度 Serial 串行/串聯(lián) Series inductance 串聯(lián)電感 Settle time 建立時(shí)間 Sheet resistance 薄層電阻 Shield 屏蔽 Short circuit 短路 Shot noise 散粒噪聲 Shunt 分流 Sidewall capacitance 邊墻電容 Signal 信號(hào) Silica glass 石英玻璃 Silicon 硅

48、 Silicon carbide 碳化硅 Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅 Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅 Silicon On Insulator 絕緣硅 Siliver whiskers 銀須 Simple cubic 簡(jiǎn)立方 Single crystal 單晶 Sink 沉 Skin effect 趨膚效應(yīng) Snap time 急變時(shí)間 Sneak path 潛行通路 Sulethreshold 亞閾的 Solar battery/cell 太陽(yáng)能電池 Solid circuit 固體電路 Solid Solubil

49、ity 固溶度 Sonband 子帶 Source 源極 Source follower 源隨器 Space charge 空間電荷 Specific heat(PT) 熱 Speed-power product 速度功耗乘積 Spherical 球面的 Spin 自旋 Split 分裂 Spontaneous emission 自發(fā)發(fā)射 Spreading resistance擴(kuò)展電阻 Sputter 濺射 Stacking fault 層錯(cuò) Static characteristic 靜態(tài)特性 Stimulated emission 受激發(fā)射 Stimula

50、ted recombination 受激復(fù)合 Storage time 存儲(chǔ)時(shí)間 Stress 應(yīng)力 Straggle 偏差 Sublimation 升華 Substrate 襯底 Substitutional 替位式的 Superlattice 超晶格 Supply 電源 Surface 表面 Surge capacity 浪涌能力 Subscript 下標(biāo) Switching time 開(kāi)關(guān)時(shí)間 Switch 開(kāi)關(guān) Tailing 擴(kuò)展 Terminal 終端 Tensor 張量 Tensorial 張量的 Thermal activation 熱激發(fā) T

51、hermal conductivity 熱導(dǎo)率 Thermal equilibrium 熱平衡 Thermal Oxidation 熱氧化 Thermal resistance 熱阻 Thermal sink 熱沉 Thermal velocity 熱運(yùn)動(dòng) Thermoelectricpovoer 溫差電動(dòng)勢(shì)率 Thick-film technique 厚膜技術(shù) Thin-film hybrid IC薄膜混合集成電路 Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶體 Threshlod 閾值 Thyistor 晶閘管 Transconductance 跨導(dǎo)

52、 Transfer characteristic 轉(zhuǎn)移特性 Transfer electron 轉(zhuǎn)移電子 Transfer function 傳輸函數(shù) Transient 瞬態(tài)的 Transistor aging(stress) 晶體管老化 Transit time 渡越時(shí)間 Transition 躍遷 Transition-metal silica 過(guò)度金屬硅化物 Transition probability 躍遷幾率 Transition region 過(guò)渡區(qū) Transport 輸運(yùn) Transverse 橫向的 Trap 陷阱 Trapping 俘獲 Tra

53、pped charge 陷阱電荷 Triangle generator 三角波發(fā)生器 Triboelectricity 摩擦電 Trigger 觸發(fā) Trim 調(diào)配 調(diào)整 Triple diffusion 三重?cái)U(kuò)散 Truth table 真值表 Tolerahce 容差 Tunnel(ing) 隧道（穿） Tunnel current 隧道電流 Turn over 轉(zhuǎn)折 Turn - off time 關(guān)斷時(shí)間 Ultraviolet 紫外的 Unijunction 單結(jié)的 Unipolar 單極的 Unit cell 原（元）胞 Unity-gain freq

54、uency 單位增益頻率 Unilateral-switch單向開(kāi)關(guān) Vacancy 空位 Vacuum 真空 Valence(value) band 價(jià)帶 Value band edge 價(jià)帶頂 Valence bond 價(jià)鍵 Vapour phase 汽相 Varactor 變?nèi)莨?Varistor 變阻器 Vibration 振動(dòng) Voltage 電壓 Wafer 晶片 Wave equation 波動(dòng)方程 Wave guide 波導(dǎo) Wave number 波數(shù) Wave-particle duality 波粒二相性 Wear-out 燒毀 Wire r

55、outing 布線 Work function 功函數(shù) Worst-case device 最壞情況器件 Yield 成品率 Zener breakdown 齊納擊穿 Zone melting 區(qū)熔法 英文 中文 出自/類(lèi)別 縮寫(xiě) silica glass structure 石英玻璃結(jié)構(gòu) Silicom Ltd. Silicom 公司 company silicon 硅 Si silicon 硅 silicon avalanche rectifier 硅雪崩整流器 silicon band gap 硅禁帶寬度 silicon bilateral switch 硅

56、雙通開(kāi)關(guān) SBS silicon bilateral switch 硅雙向開(kāi)關(guān) silicon carbide 碳化硅 silicon carbide acceptor 碳化硅受主 silicon carbide band gap 碳化硅禁帶寬度 silicon carbide decomposition 碳化硅施主 silicon carbide donor 碳化硅的分解 silicon carbide electron mobility 碳化硅的電子遷移率 silicon carbide hole mobility 碳化硅空穴遷移率 silicon carbide lam

57、p 碳化硅發(fā)光管 碳化硅燈 silicon carbide luminescence 碳化硅發(fā)光 silicon carbide polytype 碳化硅的多種類(lèi)型 silicon chip 硅芯片 Silicon Composers, Inc. 硅制造公司 company silicon crystal 硅晶體 silicon crystal acceptor 硅晶體受主 silicon crystal donor 硅晶體施主 silicon diode 硅二極管 silicon diode array tube 硅二極管陣列管 silicon dioxide 二氧化硅

58、 silicon electron mobility 硅的電子遷移率 silicon EPD etch 硅EPD腐蝕法 silicon epitaxy 硅外延 silicon evaporation 硅蒸發(fā) silicon evaporation process 硅蒸發(fā)工藝 silicon gate 硅柵 silicon gate MOS 硅柵金屬氧化物半導(dǎo)體 Silicon General 硅通用 company silicon germanium compound 鍺-硅合金 silicon hole mobility 硅的空穴遷移率 silicon integrate

59、d circuit 硅集成電路 SIC Silicon Integrated Systems Corporation 硅集成系統(tǒng)公司公司 company silicon melting point 硅熔點(diǎn) silicon monolithic integrated circuit 硅單片集成電路 silicon monoxide 一氧化硅 silicon monoxide source 一氧化硅源 silicon MOS transistor 硅金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管 silicon nitride 氮化硅 silicon nitride passivation 氮化硅鈍化

60、silicon on sapphire 硅-藍(lán)寶石工藝，藍(lán)寶石上外延硅 silicon on sapphire system 藍(lán)寶石外延硅系統(tǒng) silicon oxidation relationship 硅氧化關(guān)系式 silicon oxide 氧化硅 silicon oxide absorption peak 硅氧化物吸收峰 silicon oxide growth 硅氧化物生長(zhǎng) silicon photocell 硅光電池 silicon planar transistor 硅平面晶體管 silicon precision alloy transistor 硅精密合金晶體

61、管 SPC silicon PROM fuse 硅可編程序只讀存儲(chǔ)器熔絲 silicon rectifier 硅整流器 silicon rectifier diode 硅整流二極管 silicon rectifying bridge 硅整流橋組 silicon rectifying cell 硅整流元件 silicon resistor 硅電阻 silicon solar cell 硅太陽(yáng)能電池 silicon source 硅源 silicon steel 硅鋼 Silicon Storage Technology, Inc. 硅存儲(chǔ)科技公司 company silic

62、on sublimation 硅升華 silicon sublimation process 硅升華工藝 silicon substrate 硅襯底 silicon symmetrical switch 硅對(duì)稱(chēng)開(kāi)關(guān) Silicon Systems 硅系統(tǒng) company silicon tetrabromide process 四溴化硅工人藝 silicon tetrahalide 硅的鹵化物 silicon thyristor 硅閘流管 silicon transistor 硅晶體管 silicon unilateral switch 硅單向開(kāi)關(guān) silicon wafe

63、r 硅圓片 silicon warpage 翹曲 Silicon-controlled rectifier 硅控整流器 silicon-controlled rectifier 晶閘管整流器 SCR silicon-controlled rectifier 晶閘管整流器 silicon-controlled switch 晶閘管開(kāi)關(guān) silicone 硅酮 silicone heat-sink compound 硅酮散熱化合物 silicone-assisted photoresist 硅酮助光致 故醇 Siliconix Inc. Siliconix company si

64、licon-on-insulator 絕緣體襯底硅 SOL silk screen method 絲網(wǎng)印制法 silk-covered wire 絲包線 silver 銀 silver migration 銀遷移 silver solder 銀焊料 silver spraying 銀噴鍍 silver-bonded diode 銀鍵二極管 silvered mica capacitor 鍍銀云母電容器 silver-plated copper 鍍銀銅 SPC silverstat regulator 銀接觸型調(diào)壓器 similarity measure 相似性測(cè)度 si

65、mple arithmetic expression 簡(jiǎn)單算術(shù)表達(dá)式 SAE simple arithmetic expression 簡(jiǎn)單算術(shù)表達(dá)式 SAE simple buffering 簡(jiǎn)單緩沖 simple electronic computer 簡(jiǎn)便式電子計(jì)算機(jī) SEC simple harmonic current 簡(jiǎn)諧波電流 simple harmonic electromotive force 簡(jiǎn)諧電動(dòng)勢(shì) simple loop of bubble 磁泡簡(jiǎn)單環(huán) simple name 簡(jiǎn)單名 simple programming language 簡(jiǎn)單程序設(shè)計(jì)

66、語(yǔ)言 SPL simple scanning 簡(jiǎn)單掃描 simple sound source 單聲源 simple steady state vibration 單穩(wěn)態(tài)振動(dòng) simple target 單目標(biāo) Simple Technologies Simple 科技 company simple tone 單音，純音 simplex 單工，單路，單向 SPX simplex 單工，單向 simplex channel 單向通道 simplex coil 單工線圈 simplex mode 單工方式 simplex operation 單工運(yùn)用 simplex system 單工系統(tǒng) simplex transmission 單工傳輸 simplexes circuit 單工電路 simplicity 簡(jiǎn)明性 simplified computer code 計(jì)算機(jī)簡(jiǎn)化碼 SCC Simtek Corporation Simtek 公司 company simulate