數(shù)電模電測試題

《數(shù)電模電測試題》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《數(shù)電模電測試題（7頁珍藏版）》請在裝配圖網(wǎng)上搜索。

1、第一部分：模電數(shù)電基礎知識 技術測試題 姓名： 安江濤 得分： 1. 電阻的特性有（A）,電容的特性有（B）,電感的特性有（C）二極管的特性有（D） A 分壓、限流 B 、通交隔直 C 、通直阻交 D、單向導通 2. 電阻越大，說明（A） A 、阻礙電流的能力越大 B、同一時間內(nèi)消耗的能量越多 C、功率越大D、電壓越大 3回憶總結：盡可能多的寫出你接觸到的電阻阻值（從小到大） 18Q ,1K,4.7K,10K 4. 回憶總結：盡可能多的寫出你所知道的電阻的作用 （每種作用要聯(lián)想實際電路畫出最好 ）：1.分壓限流（穩(wěn)壓二極管 電路）2.上下拉 3. RC 震蕩電路 5.

2、 關于上拉電阻，正確的有 （AC） A、上拉，就是通過一個電阻將信號接電源，一般用于時鐘信號數(shù)據(jù)信號等。 B TTL驅動CMOS時,如果TTL輸出最低高電平低于 CMOS最低高電平時，提高輸出高電平值 C加大輸出的驅動能力 D 、提高抗電磁能力，空腳易受電磁干擾 6. 關于下拉電阻正確的有（AD ） A、下拉，就是通過一個電阻將信號接地，一般用于保護信號。 B TTL驅動CMOS時,如果TTL輸出最低高電平低于 CMOS最低高電平時，提高輸出高電平值 C加大輸出的驅動能力 D 、提高抗電磁能力，空腳易受電磁干擾 7. 關于上下拉電阻的選擇， 結合開關管特性和下級電路的輸入特性進

3、行設定，要考慮的因素以下正確的有（ AB） A、驅動能力與功耗的平衡。以上拉電阻為例，一般地說，上拉電阻越小，驅動能力越強，但功耗越大，設計是應 注意兩者之間的均衡。 B下級電路的驅動需求。同樣以上拉電阻為例，當輸出高電平時，開關管斷開，上拉電阻應適當選擇以能夠向下 級電路提供足夠的電流。 C高低電平的設定。不同電路的高低電平的門檻電平會有不同，電阻應適當設定以確保能輸出正確的電平。以上 拉電阻為例，當輸出低電平時，開關管導通，上拉電阻和開關管導通電阻分壓值應確保在零電平門檻之下。 D頻率特性::以上拉電阻為例，上拉電阻和開關管漏源級之間的電容和下級電路之間的輸入電容會形成 RC延遲，

4、 電阻越大，延遲越大。上拉電阻的設定應考慮電路在這方面的需求。下拉電阻的設定的原則和上拉電阻一樣的 8. 關于電容，以下說法正確的有 （BCD A 、兩片相距很近的金屬中間被某物質（固體、氣體或液體）所隔開，就構成了電容器。兩片金屬稱為極板，中間 的物質叫做介質。電容器也分為容量固定的與容量可變的。但常見的是固定容量的電容，最多見的是電解電容 和瓷片電容。 B 、在電子線路中，電容用來通過交流而阻隔直流，也用來存儲和釋放電荷以充當濾波器，平滑輸出脈動信號 C、電容通交流，交流頻率越高越容易通過，越低越不容易通過，可以說：通高阻低。 D 、大電容主要用來通低頻、小電容主要用來通高頻。

5、 9?電容是通交隔直，說明交流電流可以穿過電容內(nèi)部，對嗎？（ 錯） 10. 直流和交流都能對電容充電嗎 ?（對）。聯(lián)想51單片機的上電復位電路：直流充電過程中會有瞬時電流嗎 ?（會） 充電完成后還有電流嗎 ?（沒有） 11. 電容越大，對電荷的存儲能力越強， 對嗎?（對）。理論上講，電容越大，容抗就越小，頻率越高就越能通過，對嗎？ （不對）。但實際上，為什么高頻旁路電容卻選擇小電容，低頻旁路電容選擇卻大電容 （或者用一句話說：高頻通不過大 電容，低頻通不過小電容）?電容上的電荷量不會突變，而是時間的函數(shù)。充放電都需要時間。 12. 容抗和阻抗類似，都是對電流的阻礙作用，只不過容抗

6、主要是在交流電路里面說的，對嗎 ？（對） 13. 回憶總結：盡可能多的寫出你所接觸的帶電壓參數(shù)電容容值 （從小到大）：6pf , O.1uf , 1OOuf 14. 回憶總結：盡可能多的寫出你所知道的在電路中電容的作用 （每種作用要聯(lián)想實際電路畫出做好 ）:濾波，去耦， 旁路。 15. 關于電容容值大小選擇問題：同容抗下，頻率越高，容量可以選的越小。另外就是對脈沖電路中，因為電容是充電 后保持電壓緩慢放電，負載電流越大，容量就要越大，經(jīng)驗是，音頻信號耦合是在 1U以下，高頻調(diào)制在 1n以下，電 源和濾波是在100U以上，對嗎？（對） 16. 電感是衡量線圈產(chǎn)生電磁感應能力的物理

7、量 ，電感的特性與電容的特性正好相反，它具有阻止交流電通過而讓直流 電順利通過的特性，對嗎？（對） 17. 感抗和容抗類似，都是指在交流電路中對電流的阻礙作用，對嗎？（對） 18. 電感量越大，電感的阻礙作用就越大；交流電的頻率高，也難以通過線圈，電感的阻礙作用也大，對嗎 ？對） 19. 濾波作用時，電感一般是串 _聯(lián)（串并聯(lián)）在電路里，電容一般是聯(lián) 并 聯(lián)（串并聯(lián)）在電路里。 20. LC振蕩電路主要用來產(chǎn)生 交流 信號，電路中的選頻網(wǎng)絡由 電感 和 電容 組成。常見的LC正弦波 振蕩電路有 LC 振蕩電路、 LC 振蕩電路和 LC 振蕩電路，它們的選頻網(wǎng)絡采用 LC并聯(lián)諧振回

8、路。 LC振蕩電路運用了電容跟電感的儲能特性，讓電磁兩種能量交替轉化，也就是說電能跟磁能都會有一個最大最小值， 也就有了振蕩。不過這只是理想情況，實際上所有電子元件都會有損耗，能量在電容跟電感之間互相轉化的過程中要 么被損耗，要么泄漏出外部，能量會不斷減小，所以實際上的 LC振蕩電路都需要一個放大元件，要么是三極管，要么 是集成運放等數(shù)電IC,利用這個放大元件，通過各種信號反饋方法使得這個不斷被消耗的振蕩信號被反饋放大，從而 最終輸出一個幅值跟頻率比較穩(wěn)定的信號。 21. 硅二極管的導通電壓是（0.7V），導通后，不管外界電源給二極管兩端增加多高電壓 （不損壞的可承受范圍內(nèi)），二 極管

9、兩端的電壓始終在導通電壓附件（變化很小）,對嗎？（對） 22. 回憶總結：盡可能多的寫出你所接觸到的二極管型號： 4148. 23. 回憶總結二極管 在電路中的作用：如果起限幅作用，一般和負載 并（串并聯(lián)）。如果起整流（半波和全波整流） 作用，一般和負載 串（串并聯(lián)）。如果起穩(wěn)壓作用，是利用 反向擊穿 特性制成的,一般和負載 并聯(lián) （ 串 并聯(lián)） 24. 關于三極管作用以下說法正確的有（ ABCD A、放大作用，（工作時，三極管工作在放大區(qū)）用來組成放大電路 B電子開關作用（工作時，三極管工作在飽和區(qū)和截止區(qū)） C不一樣的三極管的作用都是不一樣的。有穩(wěn)壓三極管，整流三極管，放

10、大三極管，導通電路三極管等 ,三極管控制電的流量?三極管有3條線，一條入，一條出,另一條是控制的 （A）,截止狀態(tài)的是（B）,飽和狀態(tài)的是（C） |3.3也 和水龍頭差不多，水龍頭控制水的流量 25.如下圖NPN三極管三種狀態(tài)，放大狀態(tài)的是 8V T T 12V 3V 26.如下圖PNP三極管三種狀態(tài)，放大狀態(tài)的是 8V T 12V T 13V （/） （A）,截止狀態(tài)的是（C）,飽和狀態(tài)的是（B） :T lav a 27.回憶總結：盡可能多的寫出你所接觸到的三極管: 9012,9013 28. TTL工作電平是：（B） CMOS工作電平有：（A

11、） A 3.3V B 、5V C 、 9V D 、12V 29. TTL電平輸出高電平是（A）輸出低電平是（B） 、＜ 0.8V 、＜ 0.8V D 、＜ 0.3VCC D 、 ＜ 0.3VCC A >2.4V B 、>2.0V C 、 < 1.2V D 30. TTL電平輸入高電平是（A）輸入低電平是（B） A >2.

12、4V B 、>2.0V C 、 < 1.2V D 31. CM0S電平輸出高電平是（A）輸出低電平是（D） A >0.9VCC B 、>0.7VCC C 、 < 0.1VCC 32. CMOS電平輸入高電平是（A）輸入低電平是（D） A >0.9VCC B 、 >0.7VCC C 、 < 0.1VCC 33. 關于TTL和CMO以下說法正確的有（AB ） A、coms電路是電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對干擾信號的捕捉能力很強。所以，不用的管腳不要懸空，要 接上拉電阻或者下拉電阻 B TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短 （5-10ns），但是功耗大，COMS電路的速度慢，傳輸延

13、遲時間長 （25-5Ons）, 但功耗低。 C COMS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關，頻率越高，芯片集越熱，這是正?，F(xiàn)象。 D TTL電路是電流控制器件，懸空時相當于輸入端接高電平。因為這時可以看作是輸入端接一個無窮大的電阻。 34. COMS電路當產(chǎn)生鎖定效應時， COMS的內(nèi)部電流能達到 40mA以上，很容易燒毀芯片。關于鎖定效應，正確的有 （B） A、鎖定效應是指：COMS電路由于輸入太大的電流，內(nèi)部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大。 B、 防御措施可以是在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過不超過規(guī)定電壓 C、 防御措施：芯片的電源輸入端加

14、去耦電路，防止 VDD端出現(xiàn)瞬間的高壓。 D、 防御措施：在 VDD和外電源之間加線流電阻，即使有大的電流也不讓它進去。 35.16進制0XAB變?yōu)槎M制是（1010 1011）, 0XFE 變?yōu)槎M制是（1111 1110） 36.二進制 0110 1011 1010 0101 變?yōu)槭M制是（0x6BA5 ） 37. （560） 10=（ 230） 16=（0010 0011 0000 ） 2=（0x0230） 8421BCD 38. 對160個符號進行二進制編碼，至少需要（ 8）位二進制數(shù) 39. 三態(tài)門的三種輸出狀態(tài)是（ 0 ）, （ 1 ）,（高阻 ） 40. 邏輯代數(shù)

15、又稱布爾代數(shù)，基本的邏輯關系有（ 與）（或）（非）三種。 41. 含用觸發(fā)器的數(shù)字電路屬于 時序邏輯電路 （組合邏輯電路、時序邏輯電路） 42. 時序邏輯電路按其觸發(fā)器有無統(tǒng)一時鐘控制信號分為 43. TTL與非門輸入端懸空，則可以看作輸入電平為 44. 要對256個存貯單元進行編址，則所需的地址線是 45. 我們講話的聲音通過話簡轉變?yōu)殡娦盘栔笫?號要通過AD轉換電路。 46. 串行傳輸?shù)臄?shù)據(jù)轉換為并行數(shù)據(jù)時，可采用 — 時序電路和（ 異步）時序電路。（蒙的） （ 同步） 高（高、低電平）。 8 條。 模擬（模擬、數(shù)字）信號；若要轉換為計計算機能夠處理的信 寄存器。

16、 數(shù)據(jù)（地址、數(shù)據(jù)、控 47. 存儲器中，通過 地址 （地址、數(shù)據(jù)、控制、電源）線要找到相應的存儲單元；通過 制、電源）線送入或輸出的數(shù)據(jù)。 48. 只讀存儲器是 ROM （RAM、ROM、PLD ）。 49. 用紅綠黃三個指示燈反映三種設備的工作情況：綠燈亮表示全部正常；紅燈亮表示一臺不正常；黃燈亮表示兩臺不 正常。紅黃等亮表示全部不正常。請列出控制電路真值表，寫出邏輯表達式，畫出電路。 紅1亮、0不亮 黃 綠 1、2、3三臺設備1正常0不正常 0 0 1 111 0 1 0 100 1 0 0 110 1 1 0 000  50.

17、 如圖電路中，寫出表達式，并畫出真值表。F = !((!C)||(A&& B) ) x A B C F 0 0 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 0 51. 共陰的LED數(shù)碼管，若要顯示字形“ L”，則 a= 0 ， b= 0 ， c== J_， d= 1 ， e= 1 ， f= 0 ， g= 0。(選擇 0 或 1 填入) 52. 數(shù)模電結吉合:石十一雷達探測器測速系統(tǒng)：現(xiàn)有二雷達探測傳感器 — (HB100微波模塊模塊)，輸出的是正弦波信號， 但這個正弦波信號極弱。原理是通過測頻率測速。請設計硬件電路和軟件程序。 (思路提醒：單片機不好直接測試正弦 波頻率，需要轉換成方波，但因信號弱，需要加放大電路進行放大。雷達傳感器 -放大器-轉換成方波的比較器-單片機, 可先用Protues進行硬軟件仿真)