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可編程只讀存儲器
1.一次編程型只讀存儲器（PROM) 我們已經知道ROM是一個“與”、“或”、規(guī)律陣列結構，當ROM制造完畢，用戶不能轉變其已經存儲的內容。而PROM則不同，制造這種器件時，使存儲陣列（“或”陣列）的全部存儲單元的內容全為1（或0），用戶依據(jù)自己的需要可以對全部的存儲單元進行一次性改寫。
圖1是熔斷絲結構的PROM基本存儲單元示意圖。出廠時全部的基本存儲單元為1，即存儲陣列中的熔絲都是通的。若用戶通過大電流將當熔絲燒斷，則該基本存儲單元改寫成為0。PROM的熔絲燒斷不能再接上，因而只能編程一次，故稱為一次編程型
2、只讀存儲器。
圖1 熔斷絲構成的
PROM基本存儲單元圖2 PROM的陣列圖 為了表明PLD存儲內容狀況，經常用陣列圖表示。圖2所示的是PROM陣列圖。它由一個固定的“與”陣列（地址譯碼器）和一個可編程的“或”陣列（存儲陣列）構成。同ROM相比，二者差別在于“或”陣列是否能用戶編程。圖中黑點表示固定連接，叉點表示編程點。為了表示的便利，經常把PROM不行編程的“或”陣列（地址譯碼器）表示成象ROM那樣，用一方框示出。圖3 用PROM構成階梯波發(fā)生器圖4 階梯波 圖5 PROM編程陣列圖同ROM一樣，利用PROM可以實現(xiàn)任何組合規(guī)律函數(shù)。二者區(qū)分在于前者由制造器件時確定，后
3、者可以由用戶一次性編程確定。PROM廣泛應用于波形轉換、字符集組建等。如圖3，利用PROM構成的階梯波信號發(fā)生器，輸出電壓vO的波形由PROM存儲內容打算。PROM的四個輸出端掌握反相比例運算的運放輸入端的四個電子開關（實際中可可由D/A轉換器實現(xiàn)，見第11章）。當D=1時，開關接基準電壓-VR；當D=0時，開關接“地”。若要產生如圖4所示的周期階梯波信號，則PROM的編程表如下表所示。PROM的編程陣列圖如圖6所示。
圖6中PROM包含了一個4/16線固定的“與”陣列地址譯碼器及一個16字×4位的可編程“或”存儲陣列。
4、
2.可改寫型只讀存儲器（EPROM） 圖7 EPROM2716管腳排列及功能說明
PROM只能一次編程，而可改寫型只讀存儲器可多次擦除并重新寫入新內容。最為典型的是紫外線擦除，在EPROM器件外殼上有透亮?????的石英窗口，用紫外線（或X射線）照耀，來完成擦除操作。
EPROM2716是一種常見的容量為2K（2048×8Bit）的可改寫型只讀存儲器。圖7是其外引線排列和功能說明。編程時，VPP接25V電源，片選信號端 接高電平，在編程掌握端PD/PGM加脈寬為50ms的正脈沖。工作使用中，VPP與VCC一起接5V電源，PD/PGM與 連接一起作為片選信號，當消失低電平0時
5、便選中該片，可從該片讀取數(shù)據(jù)。
在實際設計的工業(yè)掌握機等應用中,經常是RAM和EPROM（往往固化系統(tǒng)程序）一起使用，完成信息處理任務。如圖8，采納1片EPROM2716和3片RAM6116將字數(shù)擴展8K存儲器的接線圖，圖中4個芯片由2/4線譯碼器低電平有效輸出端選擇，各芯片所占據(jù)的地址范圍和對應單元號見表2。 端、I/O（數(shù)據(jù)）端、A10～A0地址輸入端都對應并聯(lián)在一起。 圖8 由1片EPROM2716和4片RAM6116組成的64K存儲器 表2 各芯片所占據(jù)的地址范圍和對應單元號
3.電擦除型只讀存儲器（EEPROM）
EEPROM是在EPROM基礎上進展而來的一種可以實現(xiàn)快速擦除只讀存儲器。它克服了EPROM對比射時間和照s度的技術要求及擦除的速度也比較慢的缺陷，所以這種擦除方式操作起來非常便利。EEPROM的內部“與”陣列和“或”陣列和EPROM相像，只是寫入方式不同。
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