高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí) 專(zhuān)題31 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課件.ppt

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專(zhuān)題31物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 考點(diǎn)78原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考點(diǎn)79分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)考點(diǎn)80晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 考點(diǎn)78原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 600分知識(shí)700分考法考法1 原子核外電子排布的表示方法考法2 電離能的比較與應(yīng)用考法3 元素電負(fù)性的大小比較 1 能層 能級(jí)與原子軌道 1 能層 n 按核外電子能量的高低及離核平均距離的遠(yuǎn)近 把核外電子的運(yùn)動(dòng)區(qū)域分為不同的能層 電子層 n的取值為1 2 3 4 5 6 7 對(duì)應(yīng)的符號(hào)是英文字母K L M N O P Q 不同能層的能級(jí)組成在多電子原子中 同一能層 電子層 的電子 能量也不同 把它們分為不同的能級(jí)或電子亞層 因?yàn)檫@些不同的能量狀態(tài)是不連續(xù)的 像樓梯的臺(tái)階一樣 因此稱(chēng)為能級(jí) 任一能層的能級(jí)總是從s能級(jí)開(kāi)始 能層的能級(jí)數(shù)等于該能層的序數(shù) 如 第一能層只有1個(gè)能級(jí) 1s 第二能層有2個(gè)能級(jí) 2s和2p 第三層能級(jí)有3個(gè)能級(jí) 3s 3p和3d 依次類(lèi)推 不同能層中各能級(jí)之間的能量大小關(guān)系a 不同能層中同一能級(jí) 能層序數(shù)越大 能量越高 如 1s 2s 3s 4s b 同一能層中 各能級(jí)的能量 s p d f 如 第四能層中4s 4p 4d 4f c 能層和形狀相同的原子軌道的能量相等 如 2px 2py 2pz 1 能層 能級(jí)與原子軌道 2 原子軌道電子云輪廓圖給出了電子在核外經(jīng)常出現(xiàn)的區(qū)域 這種電子云輪廓圖稱(chēng)為原子軌道 2 核外電子排布遵循的三個(gè)原理 1 能量最低原理原子的核外電子排布遵循的構(gòu)造原理使整個(gè)原子的能量處于最低狀態(tài) 隨著原子核電荷數(shù)的遞增 絕大多數(shù)元素的原子核外電子排布將遵循1s 2s 2p 3s 3p 4s 3d 4p 5s 4d 5p 6s 即各能級(jí)能量高低順序?yàn)閚s n 2 f n 1 d np 2 泡利不相容原理1個(gè)原子軌道最多只容納2個(gè)電子 且它們的自旋狀態(tài)相反 3 洪特規(guī)則當(dāng)電子排布在同一能級(jí)的不同軌道時(shí) 總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)1個(gè)軌道 而且自旋狀態(tài)相同 3 原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì) 1 第一電離能 含義 氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量叫作第一電離能 符號(hào)為I 單位為kJ mol 1 意義 元素的第一電離能可以衡量元素的原子失去1個(gè)電子的難易程度 第一電離能數(shù)值越小 原子越易失去一個(gè)電子 該元素的金屬性越強(qiáng) 反之 第一電離能數(shù)值越大 原子越難失去一個(gè)電子 規(guī)律a 同周期 從左到右 總體呈現(xiàn)逐漸增大的變化趨勢(shì) b 同族元素 從上到下 第一電離能逐漸減小 c 同種原子 逐級(jí)電離能越來(lái)越大 I1 I2 I3 3 原子結(jié)構(gòu)與元素性質(zhì) 2 電負(fù)性 含義 電負(fù)性是元素的原子在化合物中吸引鍵合電子能力的標(biāo)度 元素的電負(fù)性越大 表示其原子在化合物中吸引鍵合電子的能力越強(qiáng) 標(biāo)準(zhǔn) 以氟的電負(fù)性為4 0和鋰的電負(fù)性為1 0作為相對(duì)標(biāo)準(zhǔn) 計(jì)算得出其他元素的電負(fù)性 稀有氣體未計(jì) 變化規(guī)律 同周期 從左到右 元素的電負(fù)性逐漸增大 同主族 從上到下 元素的電負(fù)性逐漸減小 返回 考法1粒子核外電子排布的表示方法1 基態(tài)原子的核外電子排布式 1 簡(jiǎn)單原子的核外電子排布式按照構(gòu)造原理將電子依次填充到能量逐漸升高的軌道中 如6C 1s22s22p2 19K 1s22s22p63s23p64s1 2 復(fù)雜原子的核外電子排布式對(duì)于復(fù)雜原子的核外電子排布式 應(yīng)先按能量最低原理從低到高排列 然后將同一層的電子排到一起 能級(jí)交錯(cuò) 電子層數(shù)較大的某些軌道的能量反而低于電子層數(shù)較小的某些軌道能量的現(xiàn)象 如4s的能量反而比3d的能量小 填充電子時(shí)應(yīng)先充滿(mǎn)4s 而后才填入3d軌道 如 26Fe 先按能量從低到高排列為1s22s22p63s23p64s23d6 然后將同一能層的排到一起 即該原子的電子排布式為1s22s22p63s23p64s23d64s2 考法1粒子核外電子排布的表示方法1 基態(tài)原子的核外電子排布式 3 部分原子的核外電子排布式的特殊性少數(shù)元素的基態(tài)原子的電子排布對(duì)于構(gòu)造原理有1個(gè)電子的偏差 因?yàn)槟芰肯嗤脑榆壍涝谌錆M(mǎn) 如p6和d10 半充滿(mǎn) 如p3和d5 和全空 p0和d0 狀態(tài)時(shí) 體系的能量較低 原子較穩(wěn)定 4 基態(tài)原子外圍電子排布式 價(jià)電子 的書(shū)寫(xiě)外圍電子排布式的書(shū)寫(xiě)在基態(tài)原子的電子排布式的基礎(chǔ)上去除原子實(shí) 如鐵的外圍電子排布式 可以先寫(xiě)出含原子實(shí)的核外電子排布式 如 Ar 3d64s2 再除去原子實(shí) 得鐵的外圍電子排布式為3d64s2 考法1粒子核外電子排布的表示方法2 基態(tài)離子核外電子排布式的書(shū)寫(xiě) 1 先正確書(shū)寫(xiě)基態(tài)原子的核外電子排布式 2 再由外到內(nèi)失電子 如要寫(xiě)基態(tài)Fe3 的核外電子排布式 先寫(xiě)出基態(tài)Fe原子的電子排布式 1s22s22p63s23p63d64s2 再由外到內(nèi)失3個(gè)電子 則基態(tài)Fe3 的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d5 3 核外電子排布圖 軌道表示式 用方框表示原子軌道 用 或 表示自旋方向不同的電子 按排入各電子層中各能級(jí)的先后順序和在軌道中的排布情況 返回 考法2電離能的比較與應(yīng)用1 第一電離能的比較同周期元素從左往右 第一電離能呈增大的趨勢(shì) 注意第 A族與第 A族 第 A族與第 A族的反常 即同周期從左往右第一電離能大小的關(guān)系為 A A A A A A A 由于第 A族的元素原子p軌道上有一個(gè)單電子 不穩(wěn)定 比第 A族的相鄰元素更容易失去一個(gè)電子 故其第一電離能小 如I1 Be B Mg Al 與此相類(lèi)似的還有同周期相鄰的第 A A族的元素 第 A族的元素p軌道處于半充滿(mǎn)狀態(tài) 屬穩(wěn)定結(jié)構(gòu) 第一電離能數(shù)值較大 如N的第一電離能大于O的 P的第一電離能大于S的 2 電離能的應(yīng)用同一元素逐級(jí)電離能的變化體現(xiàn)了核外電子排布 若電離能突變 則失去該電子后為穩(wěn)定結(jié)構(gòu) 若I2 I1 則元素通常顯 1價(jià) 為第 A族 若I3 I2 則元素通常顯 2價(jià) 為第 A族 考法2電離能的比較與應(yīng)用 返回 考法3元素電負(fù)性的大小比較1 利用周期律判斷在元素周期表中 同周期從左至右 元素的電負(fù)性逐漸變大 同主族從上至下 元素的電負(fù)性逐漸減小 如電負(fù)性 CCl Br I 2 利用化合價(jià)及物質(zhì)類(lèi)別判斷我們常常應(yīng)用化合價(jià)及物質(zhì)類(lèi)別判斷 如O與Cl的電負(fù)性比較 HClO中Cl為 1價(jià) O為 2價(jià) 可知O的電負(fù)性大于Cl 返回 考點(diǎn)79分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 600分知識(shí)700分考法考法4 共價(jià)鍵的類(lèi)型與分子的性質(zhì)考法5 分子空間構(gòu)型與原子雜化軌道類(lèi)型的判斷考法6 配位鍵與配位化合物 1 共價(jià)鍵 1 共價(jià)鍵是常見(jiàn)化學(xué)鍵之一 它的本質(zhì)是在原子之間形成共用電子對(duì) 具有飽和性和方向性 2 分類(lèi) 1 共價(jià)鍵 3 鍵參數(shù) 概念a 鍵能 氣態(tài)基態(tài)原子形成1mol化學(xué)鍵釋放的最低能量 b 鍵長(zhǎng) 共價(jià)鍵中兩個(gè)原子之間的核間距 c 鍵角 兩個(gè)共價(jià)鍵之間的夾角 鍵能越大 鍵長(zhǎng)越短 分子越穩(wěn)定 2 分子的極性 1 極性分子 正電中心和負(fù)電中心不重合的分子 2 非極性分子 正電中心和負(fù)電中心重合的分子 3 分子的立體結(jié)構(gòu) 1 雜化軌道理論 概念在外界條件的影響下 原子內(nèi)部能量相近的原子軌道重新組合的過(guò)程叫原子軌道的雜化 組合后形成的一組新的原子軌道 叫雜化原子軌道 簡(jiǎn)稱(chēng)為雜化軌道 分類(lèi) 3 分子的立體結(jié)構(gòu) 2 價(jià)層電子對(duì)互斥模型 特點(diǎn) 價(jià)層電子對(duì)在球面上彼此相距最遠(yuǎn)時(shí) 排斥力最小 體系的能量最低 孤電子對(duì)的排斥力較大 價(jià)層電子對(duì)互斥模型 4 配位鍵與配位化合物 1 配位鍵成鍵的兩個(gè)原子一方提供孤電子對(duì) 一方提供空軌道而形成的共價(jià)鍵為配位鍵 配位鍵可以用A B表示 A表示提供孤電子對(duì)的原子 即電子對(duì)給予體 B表示接受孤電子對(duì)的原子 即電子對(duì)接受體 2 配位化合物由提供孤對(duì)電子的配體與接受孤對(duì)電子的中心離子以配位鍵結(jié)合而形成的化合物 3 配位數(shù)直接同中心離子配位的原子數(shù)目叫中心離子的配位數(shù) 如 Cu NH3 4 SO4中Cu2 的配位數(shù)為4 4 形成條件中心離子 絕大多數(shù)為過(guò)渡金屬離子 有空軌道 而配位體 主要是第 A A A族元素 能提供孤電子對(duì) 5 等電子原理的應(yīng)用 1 等電子原理原子總數(shù)相同 價(jià)電子總數(shù)相同的分子具有相似的化學(xué)鍵特征 使它們的許多性質(zhì) 物理性質(zhì) 相近 此原理稱(chēng)為等電子原理 2 等電子原理的應(yīng)用 利用等電子原理可以判斷一些微粒的結(jié)構(gòu)及空間構(gòu)型 等電子原理在制造新材料等方面也有重要的應(yīng)用 如晶體硅 鍺是良好的半導(dǎo)體材料 它們的等電子體磷化鋁 AlP 砷化鎵 GaAs 也都是良好的半導(dǎo)體材料 返回 考法4共價(jià)鍵的類(lèi)型與分子的極性1 共價(jià)鍵類(lèi)型的判斷 1 鍵和 鍵的判斷通過(guò)物質(zhì)的結(jié)構(gòu)式 可以快速有效地判斷鍵的種類(lèi)及數(shù)目 共價(jià)單鍵全為 鍵 雙鍵中有一個(gè) 鍵和一個(gè) 鍵 三鍵中有一個(gè) 鍵和兩個(gè) 鍵 一般 鍵比 鍵穩(wěn)定 2 極性鍵和非極性鍵的判斷看是否由同種元素的原子構(gòu)成 若為同種元素原子構(gòu)成的A A型 則為非極性鍵 若為不同種元素原子構(gòu)成的A B型 則為極性鍵 2 鍵的極性與分子極性的關(guān)系 考法4共價(jià)鍵的類(lèi)型與分子的極性 返回 考法5分子空間構(gòu)型與原子雜化軌道類(lèi)型的判斷1 原子雜化軌道類(lèi)型的判斷 1 根據(jù) 鍵數(shù)目判斷看中心原子有沒(méi)有形成雙鍵或三鍵 如果有1個(gè)三鍵 其中有2個(gè) 鍵 用去了2個(gè)p軌道 形成的是sp雜化 如果有1個(gè)雙鍵則其中有1個(gè) 鍵 形成的是sp2雜化 如果全部是單鍵 形成的是sp3雜化 2 根據(jù)雜化軌道數(shù)判定雜化軌道數(shù) 中心原子的孤電子對(duì)數(shù)與相連的其他原子個(gè)數(shù)之和 若雜化軌道數(shù)為2 為sp雜化 若雜化軌道數(shù)為3 為sp2雜化 若雜化軌道數(shù)為4 為sp3雜化 2 分子空間構(gòu)型的判斷根據(jù)中心原子的雜化軌道類(lèi)型判斷價(jià)層電子對(duì)的空間構(gòu)型 而分子的空間構(gòu)型指的是成鍵電子對(duì)空間構(gòu)型 不包括孤電子對(duì) 當(dāng)中心原子無(wú)孤電子對(duì)時(shí) 兩者的構(gòu)型一致 當(dāng)中心原子有孤電子對(duì)時(shí) 兩者的構(gòu)型不一致 返回 考法5分子空間構(gòu)型與原子雜化軌道類(lèi)型的判斷1 原子雜化軌道類(lèi)型的判斷 考法6配位鍵與配位化合物1 配位鍵配位鍵是一類(lèi)特殊的共價(jià)鍵 共用電子對(duì)是由成鍵原子單方面提供 H 沒(méi)有電子 只有空軌道 H2O分子中的O原子 NH3分子中的N原子都具有孤電子對(duì) 所以能通過(guò)配位鍵形成H3O NH4配位鍵與其他的鍵完全等同 鍵能 鍵長(zhǎng)都完全相同 2 配位化合物的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)中心離子與配體構(gòu)成了配合物的內(nèi)配位層 或稱(chēng)為內(nèi)界 配離子內(nèi)部以配位鍵結(jié)合 在一定程度上喪失了Zn2 和NH3各自獨(dú)立時(shí)的化學(xué)性質(zhì) 通常把它們放在括號(hào)內(nèi) Cl 稱(chēng)為外配位層 或稱(chēng)為外界 內(nèi)外界之間通過(guò)離子鍵結(jié)合 在水中全部電離 考法6配位鍵與配位化合物 返回 考法7分子間作用力與分子的性質(zhì)1 分子間作用力對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響 1 范德華力主要影響物質(zhì)的熔沸點(diǎn) 硬度等物理性質(zhì) 范德華力越強(qiáng) 物質(zhì)的熔 沸點(diǎn)越高 硬度越大 一般來(lái)說(shuō) 組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì) 隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增加 范德華力逐漸增大 2 分子間氫鍵可使物質(zhì)的熔 沸點(diǎn)升高 并對(duì)在水溶液中的電離和溶解性等產(chǎn)生影響 如NH3易溶于水 是因?yàn)榕c水分子間形成氫鍵 H2O的沸點(diǎn)比H2S高 也是因?yàn)樾纬煞肿娱g氫鍵 考法7分子間作用力與分子的性質(zhì)2 微粒間作用力的判斷 1 離子晶體中存在離子鍵 可能存在共價(jià)鍵 如MgCl2晶體中只存在離子鍵 NaOH晶體中既有離子鍵又有共價(jià)鍵 2 原子晶體中只存在共價(jià)鍵 如SiO2晶體只存在Si O原子間的共價(jià)鍵 3 分子晶體中 分子之間存在分子間作用力 分子內(nèi)部可能存在共價(jià)鍵 如干冰中CO2分子間存在分子間作用力 CO2分子內(nèi)存在共價(jià)鍵 固態(tài)稀有氣體晶體中只存在分子間作用力 不存在化學(xué)鍵 4 只有電負(fù)性強(qiáng)的N O F三元素的原子與氫原子形成氫鍵 5 強(qiáng)度關(guān)系 共價(jià)鍵 氫鍵 范德華力 返回 考法8氫鍵對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響1 增強(qiáng)物質(zhì)的溶解性 如NH3 C2H5OH等易溶于水 2 使物質(zhì)的熔 沸點(diǎn)升高 如HF分子間形成氫鍵 沸點(diǎn) HF HCl H2O分子間形成氫鍵 沸點(diǎn) H2O H2S 特別提示 分子間的氫鍵比分子內(nèi)氫鍵對(duì)物質(zhì)熔沸點(diǎn)影響更大 3 對(duì)酸性的影響 由于鄰羥基苯甲醛形成分子內(nèi)氫鍵 使酸性 考法8氫鍵對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響 考法9等電子原理的應(yīng)用1 等電子體的判斷方法 1 同主族變換 如CO2與CS2 CF4與CCl4是等電子體 考法9等電子原理的應(yīng)用2 等電子原理的應(yīng)用 1 利用等電子原理可以判斷一些簡(jiǎn)單分子或離子的立體構(gòu)型 如SiCl4 SiO44 SO42 的原子數(shù)目和價(jià)電子總數(shù)都相等 它們互為等電子體 中心原子都是sp3雜化 都形成正四面體立體結(jié)構(gòu) 返回 考點(diǎn)80晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 600分知識(shí)700分考法考法10 晶體類(lèi)型的判斷與熔沸點(diǎn)的比較考法11 晶體結(jié)構(gòu)的分析與計(jì)算 1 四種晶體的比較 2 幾種常見(jiàn)的晶體 2 幾種常見(jiàn)的晶體 2 分子晶體 干冰晶體中 每個(gè)CO2分子周?chē)染嗲揖o鄰的CO2分子有12個(gè) 冰的結(jié)構(gòu)模型中 每個(gè)水分子與相鄰的4個(gè)水分子以氫鍵相連接 含1molH2O的冰中 最多可形成2mol氫鍵 3 離子晶體 NaCl型 在晶體中 每個(gè)Na 同時(shí)吸引6個(gè)Cl 每個(gè)Cl 同時(shí)吸引6個(gè)Na 配位數(shù)為6 每個(gè)晶胞含4個(gè)Na 和4個(gè)Cl CsCl型 在晶體中 每個(gè)Cl 吸引8個(gè)Cs 每個(gè)Cs 吸引8個(gè)Cl 配位數(shù)為8 2 幾種常見(jiàn)的晶體 4 石墨晶體石墨層狀晶體中 層與層之間的作用是分子間作用力 平均每個(gè)正六邊形擁有的碳原子個(gè)數(shù)是2 C原子采取的雜化方式是sp2 5 常見(jiàn)金屬晶體的原子堆積模型 返回 考法10晶體類(lèi)型的判斷與熔 沸點(diǎn)的比較1 晶體類(lèi)型的判斷 1 根據(jù)晶體的構(gòu)成特點(diǎn)判斷晶體類(lèi)型 根據(jù)各類(lèi)晶體的概念判斷 即根據(jù)構(gòu)成晶體的粒子和粒子間的作用力類(lèi)別進(jìn)行判斷 如通過(guò)分子間作用力形成的晶體屬于分子晶體 由原子通過(guò)共價(jià)鍵形成的晶體屬于原子晶體 由陰 陽(yáng)離子通過(guò)離子鍵形成的晶體屬于離子晶體 由金屬陽(yáng)離子和自由電子作用形成的晶體屬于金屬晶體 根據(jù)物質(zhì)的分類(lèi)判斷 金屬氧化物 強(qiáng)堿和絕大多數(shù)的鹽是離子晶體 大多數(shù)非金屬單質(zhì) 除金剛石 石墨 晶體硅 晶體硼外 氣態(tài)氫化物 非金屬氧化物 除SiO2外 酸 絕大多數(shù)有機(jī)物 除有機(jī)鹽外 是分子晶體 常見(jiàn)的原子晶體單質(zhì)有金剛石 晶體硅 晶體硼等 常見(jiàn)的原子晶體化合物有碳化硅 二氧化硅 氮化硅等 金屬單質(zhì) 汞除外 與合金是金屬晶體 考法10晶體類(lèi)型的判斷與熔 沸點(diǎn)的比較1 晶體類(lèi)型的判斷 2 根據(jù)晶體的性質(zhì)判斷晶體的類(lèi)型根據(jù)各類(lèi)晶體的特征性質(zhì)判斷 如低熔 沸點(diǎn)的化合物形成分子晶體 熔 沸點(diǎn)較高 且在水溶液中或熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的化合物形成離子晶體 熔 沸點(diǎn)很高 不導(dǎo)電 不溶于一般溶劑的物質(zhì)形成原子晶體 晶體能導(dǎo)電 傳熱 具有延展性的為金屬晶體 考法10晶體類(lèi)型的判斷與熔 沸點(diǎn)的比較2 晶體熔 沸點(diǎn)的比較 1 不同類(lèi)型的物質(zhì) 原子晶體 離子晶體 分子晶體 金屬晶體的熔 沸點(diǎn)有的很高 如鎢 鉑等 有的則很低 如汞 銫等 2 同一類(lèi)型的物質(zhì) 比較其內(nèi)部結(jié)構(gòu)粒子間作用力 作用力越大 熔沸點(diǎn)越高 原子晶體 一般地說(shuō) 原子半徑越小 形成共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)越短 鍵能越大 其晶體熔沸點(diǎn)越高 離子晶體 要比較離子鍵的強(qiáng)弱 一般地說(shuō) 陰 陽(yáng)離子的電荷數(shù)越大 離子半徑越小 晶格能越大 則離子間作用就越強(qiáng) 其晶體熔 沸點(diǎn)越高 分子晶體 組成結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì) 相對(duì)分子質(zhì)量越大 熔 沸點(diǎn)越高 組成結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì) 分子的極性越大 熔 沸點(diǎn)就越高 在同分異構(gòu)體中 一般地說(shuō) 支鏈數(shù)越多 熔 沸點(diǎn)越低 金屬晶體 金屬離子的電荷數(shù)越多 半徑越小 金屬鍵越強(qiáng) 熔 沸點(diǎn)越高 3 常溫常壓下?tīng)顟B(tài) 熔點(diǎn) 固態(tài)物質(zhì) 液態(tài)物質(zhì) 沸點(diǎn) 液態(tài)物質(zhì) 氣態(tài)物質(zhì) 返回 考法11晶體結(jié)構(gòu)的分析與計(jì)算1 晶體結(jié)構(gòu)的分析 1 判斷某種微粒周?chē)染嗲揖o鄰的微粒數(shù)目時(shí) 要注意運(yùn)用三維想象法 如NaCl晶體中 Na 周?chē)腘a 數(shù)目 Na 用 表示 每個(gè)面上有4個(gè) 共計(jì)12個(gè) 2 記住干冰 冰 金剛石 SiO2 石墨 CsCl NaCl K Cu等晶體的空間結(jié)構(gòu) 當(dāng)題中信息給出與某種晶體空間結(jié)構(gòu)相同時(shí) 可以直接套用該種結(jié)構(gòu) 考法11晶體結(jié)構(gòu)的分析與計(jì)算2 晶胞化學(xué)式的計(jì)算立方體晶胞中不同位置的粒子數(shù)的計(jì)算 1 處于頂點(diǎn)的粒子 同時(shí)為8個(gè)晶胞所共有 每個(gè)粒子有1 8屬于該晶胞 2 處于棱上的粒子 同時(shí)為4個(gè)晶胞所共有 每個(gè)粒子有1 4屬于該晶胞 3 處于面上的粒子 同時(shí)為2個(gè)晶胞所共有 每個(gè)粒子有1 2屬于該晶胞 4 處于晶胞內(nèi)部的粒子 則完全屬于該晶胞 注意 均攤法計(jì)算晶胞中微粒個(gè)數(shù)時(shí) 要注意晶胞的形狀 不同形狀的晶胞 先分析任意位置上的一個(gè)粒子被幾個(gè)晶胞所共有 如六棱柱晶胞中 頂點(diǎn) 側(cè)棱 底面上的棱 面心依次被6 3 4 2個(gè)晶胞所共有 考法11晶體結(jié)構(gòu)的分析與計(jì)算3 晶體的密度及微粒間距離的計(jì)算 考法11晶體結(jié)構(gòu)的分析與計(jì)算 考法11晶體結(jié)構(gòu)的分析與計(jì)算