《計算機組成原理》典型例題講解.doc

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分析設(shè)計計算： 1.CPU結(jié)構(gòu)如圖1所示，其中有一個累加寄存器AC，一個狀態(tài)條件寄存器，各部分之間的連線表示數(shù)據(jù)通路，箭頭表示信息傳送方向。 （1） 標(biāo)明圖中四個寄存器的名稱。 （2） 簡述指令從主存取到控制器的數(shù)據(jù)通路。 （3） 簡述數(shù)據(jù)在運算器和主存之間進行存 / 取訪問的數(shù)據(jù)通路。 圖1 解： （1） a為數(shù)據(jù)緩沖寄存器 DR ，b為指令寄存器 IR ，c為主存地址寄存器，d為程序計數(shù)器PC。 （2） 主存 M →緩沖寄存器 DR →指令寄存器 IR →操作控制器。 （3） 存貯器讀 ：M →緩沖寄存器DR →ALU →AC 存貯器寫 ：AC →緩沖寄存器DR →M 2. 某機器中，配有一個ROM芯片，地址空間0000H—3FFFH。現(xiàn)在再用幾個16K8的芯片構(gòu)成一個32K8的RAM區(qū)域，使其地址空間為8000H—FFFFH。假設(shè)此RAM芯片有/CS和/WE信號控制端。CPU地址總線為A15—A0,數(shù)據(jù)總線為D7—D0,控制信號為R//W，MREQ(存儲器請求)，當(dāng)且僅當(dāng)MREQ和R//W同時有效時，CPU才能對有存儲器進行讀(或?qū)?。 （1）滿足已知條件的存儲器，畫出地址碼方案。 （2）畫出此CPU與上述ROM芯片和RAM芯片的連接圖。 解：存儲器地址空間分布如圖1所示，分三組，每組16K8位。 由此可得存儲器方案要點如下： （1） 用兩片16K*8 RAM芯片位進行串聯(lián)連接，構(gòu)成32K*8的RAM區(qū)域。片內(nèi)地址 ：A0 ——A13 ，片選地址為：A14——A15； （2） 譯碼使用2 ：4 譯碼器； （3） 用 /MREQ 作為2 ：4譯碼器使能控制端，該信號低電平（有效）時，譯碼器工作。 （4） CPU的R / /W信 號與RAM的/WE端連接，當(dāng)R // W = 1時存儲器執(zhí)行讀操作， 當(dāng)R // W = 0時，存儲器執(zhí)行寫操作。如圖1 ROM 16K*8 空 RAM 16K*8 RAM 16K*8 0000 3FFF 8000 FFFF 圖1 CPU與芯片連接如圖2： 圖2 3. 某機器中，已知配有一個地址空間為(0000—1FFF)16的ROM區(qū)域，現(xiàn)在用一個SRAM芯片（8K8位）形成一個16K16位的ROM區(qū)域，起始地址為（2000）16 。假設(shè)SRAM芯片有/CS和/WE控制端，CPU地址總線A15——A0 ，數(shù)據(jù)總線為D15——D0 ，控制信號為R / /W（讀 / 寫），/MREQ（當(dāng)存儲器讀或?qū)憰r，該信號指示地址總線上的地址是有效的）。要求： （1） 滿足已知條件的存儲器，畫出地址碼方案。 （2） 畫出ROM與RAM同CPU連接圖。 解 ：存儲器地址空間分布如圖1所示，分三組，每組8K16位。 由此可得存儲器方案要點如下： （5） 組內(nèi)地址 ：A12 ——A0 （A0為低位）； （6） 組號譯碼使用2 ：4 譯碼器； （7） RAM1 ，RAM 2 各用兩片SRAM芯片位進行并聯(lián)連接，其中一片組成高8位，另一片組成低8位。 （8） 用 /MREQ 作為2 ：4譯碼器使能控制端，該信號低電平（有效）時，譯碼器工作。 （9） CPU的R / /W信 號與SRAM的/WE端連接，當(dāng)R // W = 1時存儲器執(zhí)行讀操作， 當(dāng)R // W = 0時，存儲器執(zhí)行寫操作。如圖2 圖1 圖2 4. 參見下圖數(shù)據(jù)通路，畫出數(shù)據(jù)指令“STA R1,(R2)”的指令周期流程圖，其含義是將寄存器R1的內(nèi)容傳送至（R2）為地址的存貯單元中。標(biāo)出各微操作信號序列。 解： PC→AR M→DR DR→IR DR→M R1→DR R2→AR PCO ，G ，ARi R / /W = 1 (讀) R1O , G , DRi DRO ，G ，IRi R2O ，G ，ARi R / /W = 0 (寫) 5. 用16K1位的動態(tài)RAM芯片構(gòu)成64K8位的存儲器，要求： (1)畫出該存儲器組成的邏輯框圖 (2)設(shè)存儲器的讀寫周期均為0.5μs，CPU在1μs 內(nèi)至少要訪問內(nèi)存一次。試問采用那種刷新方式比較合理？兩次刷新的最大時間間隔是多少？對全部存儲單元刷新一遍所需的實際刷新時間是多少？ 解：（1）根據(jù)題意，存儲器總?cè)萘繛?4KB，故地址線總需16位?，F(xiàn)使用16K1位的DRAM芯片，共需32片。芯片本身地址線占14位，所以采用位并聯(lián)與地址串聯(lián)相結(jié)合的方法來組成整個存儲器 ，其組成邏輯框圖如圖所示，其中使用一片2：4譯碼器 (2) 根據(jù)已知條件，CPU在1μs內(nèi)至少需要訪存一次，所以整個存儲器的平均讀/寫周期與單個存儲器片的讀/寫周期相差不多，應(yīng)采用異步式刷新方式比較合理。 DRAM存儲器來講，兩次刷新的最大時間間隔是2ms. DRAM芯片讀/寫周期為0.5μs。假定16K1位的RAM芯片由128128矩陣存儲元構(gòu)成，刷新時只對128行進行異步式刷新，則刷新間隔為2ms/128 =15.6μs，可取刷新信號周期為15μs . 6.某16位機運算器框圖如圖所示，其中ALU為加法器，SA,SB為鎖存器，4個通用寄存器的讀/寫控制符號如下表所示： (1) 請設(shè)計微指令格式（具體考慮控制字段，順序控制字段只畫框圖） (2) “ADD R0,R1”指令完成（R0） + (R1) R1的操作，畫出微程序流程圖. 解：(1)微指令格式如下： 1 2位 1 2位 1 1 1 1 1 1 R RA0RA1 W WA0WA1 LDSA LDSB LSB LSB reset I P字段 下址字段 其中LDSA,LDSB為鎖存器打入信號， CLR為SB清零信號； LSB為SB送原碼控制信號， /LSB為SB送反碼控制信號； I為公共微程序信號 (2)流程圖如圖: 7. 某計算機的數(shù)據(jù)通路如圖所示，其中M—主存， MBR—主存數(shù)據(jù)寄存器， MAR—主存地址寄存器， R0-R3—通用寄存器， IR—指令寄存器， PC—程序計數(shù)器（具有自增能力）， C、D--暫存器， ALU—算術(shù)邏輯單元（此處做加法器看待）， 移位器—左移、右移、直通傳送。所有雙向箭頭表示信息可以雙向傳送。 請按數(shù)據(jù)通路圖畫出“ADD（R1），（R2）+”指令的指令周期流程圖。該指令的含義是兩個數(shù)進行求和操作。其中源操作地址在寄存器R1中，目的操作數(shù)尋址方式為自增型寄存器間接尋址（先取地址后加1）。 解：“ADD （R1），（R2）+”指令是SS型指令，兩個操作數(shù)均在主存中。其中源操作數(shù)地址在R1中，所以是R1間接尋址。目的操作數(shù)地址在R2中，由R2間接尋址，但R2的內(nèi)容在取出操作數(shù)以后要加1進行修改。指令周期流程圖如圖 8. 下圖所示的處理機邏輯框圖中，有兩條獨立的總線和兩個獨立的存貯器。已知指令存貯器IM最大容量為16384字（字長18位），數(shù)據(jù)存貯器DM最大容量是65536字（字長16位）。 設(shè)處理機指令格式為： 17 10 9 0 OP X 加法指令可寫為“ADD X(R1)”。其功能是（AC0） + （（Ri）+ X）→AC1，其中（（Ri）+ X）部分通過尋址方式指向數(shù)據(jù)存貯器，現(xiàn)取Ri為R1。 （1） 請寫出下列各寄存器的位數(shù)：程序計數(shù)器PC； 指令寄存器IR；累加寄存器 AC0和AC1；通用寄存器R0—R3；指令存儲器的地址寄存器IAR；指令存儲器的數(shù)據(jù)緩沖寄存器IDR；數(shù)據(jù)存儲器的地址寄存器DAR；數(shù)據(jù)存儲器的數(shù)據(jù)緩沖寄存器DDR。 （2） 試畫出ADD指令從取指令開始到執(zhí)行結(jié)束的指令周期流程圖。 解： （1） PC=14位 IR=18位 AC0=AC1=16位 R0—R3=16位 IAR=14位 IDR=18位 DAR=16位 DDR=16位 （2） 加法指令“ADD X（Ri）”是一條隱含指令，其中一個操作數(shù)來自AC0，另一個操作數(shù)在數(shù)據(jù)存貯器中，地址由通用寄存器的內(nèi)容（Ri）加上指令格式中的X量值決定，可認為這是一種變址尋址。指令周期流程圖如圖3。 圖3 9.某計算機有8條微指令I(lǐng)1—I8，每條微指令所包含的微命令控制信號見下表，a—j 分別對應(yīng)10種不同性質(zhì)的微命令信號。假設(shè)一條微指令的控制字段僅限8位，請安排微指令的控制字段格式。 解：（答案不唯一）為了壓縮指令字的長度，必須設(shè)法把一個微指令周期中的互斥性微命令信號組合在一個小組中，進行分組譯碼。 經(jīng)分析，（e ,f ,h）和（b, i, j）可分別組成兩個小組或兩個字段，然后進行譯碼，可得六個微命令信號，剩下的a, c, d, g 四個微命令信號可進行直接控制，其整個控制字段組成如下： 01 e 01 b 直接控制 10 f 10　i a c d g 11 h 11　j 　 　 4位 2位 2位 10.設(shè)有一運算器數(shù)據(jù)通路如圖2所示。假設(shè)操作數(shù)a和b（補碼）已分別放在通用寄存器R1和R2中，ALU有＋，－，M（傳送）三種操作功能。要求： （1） 指出相容性微操作和相斥性微操作。 （2） 用字段直接譯碼法設(shè)計適用此運算器的微指令格式。 圖2 解： （1） 相斥性微操作有如下五組： 移位器（R，L，V） ALU（+，-，M） A選通門的4個控制信號 B選通門的7個控制信號 寄存器的4個輸入和輸出控制信號 相容性微操作： A選通門的任一信號與B選通門控制信號 B選通門的任一信號與A選通門控制信號 ALU的任一信號與加1控制信號 五組控制信號中組與組之間是相容性的 （2）每一小組的控制信號由于是相斥性的，故可以采用字段直接譯碼法，微指令格式如下： a b c d e f X X X X X X X X X X X X X X X 3 3 2 2 1 4 001 MDR→A 001 PC→B 01 + 01 R 1+1 0001 Pcout 010 R1→A 010 R1→B 10 - 10 L 0010 Pcin 011 R2→A 011 R1→B 11 M 11 V 0011 R1out 100 R3 →A 100 R2→B 0100 R1in 101 R2→B 0101 R2out 110 R3→B 0110 R2in 111 R3→B 0111 R3out 1000 R3in 【例】CPU的地址總線16根(A15—A0，A0為低位)，雙向數(shù)據(jù)總線8根(D7—D0)，控制總線中與主存有關(guān)的信號有MREQ(允許訪存， 低電平有效)，R/W(高電平為讀命令，低電平為寫命令)。主存地址空間分配如下：0—8191為系統(tǒng)程序區(qū)，由只讀存儲芯片組成；8192—32767為用戶程序區(qū)；最后(最大地址)2K地址空間為系統(tǒng)程序工作區(qū)。上述地址為十進制，按字節(jié)編址。現(xiàn)有如下存儲器芯片：EPROM：8K8位(控制端僅有CS);SRAM：16K1位，2K8位，4K8位，8K8位.請從上述芯片中選擇適當(dāng)芯片設(shè)計該計算機主存儲器，畫出主存儲器邏輯框圖，注意畫出選片邏輯(可選用門電路及3∶8譯碼器74LS138)與CPU 的連接，說明選哪些存儲器芯片，選多少片。 【解】 主存地址空間分布如圖所示。 根據(jù)給定條件，選用EPROM：8K8位芯片1片。SRAM：8K8位芯片3片，2K8位芯片1片。3∶8譯碼器僅用Y0，Y1，Y2，Y3和Y7輸出端，且對最后的2K8位芯片還需加門電路譯碼。主存儲器的組成與CPU連接邏輯圖如圖所示：