高中化學(xué)

1、第一部分 高中化學(xué)基本概念和基本理論一物質(zhì)的組成、性質(zhì)和分類：（一）掌握基本概念 1分子分子是能獨(dú)立存在并保持物質(zhì)化學(xué)性質(zhì)的一種微粒。（1）分子同原子、離子一樣是構(gòu)成物質(zhì)的基本微粒（2）按組成分子的原子個數(shù)可分為：單原子分子如：He、Ne 、Ar、Kr 雙原子分子如：O 2、H 2、HCl、NO 多原子分子如：H 2O、P 4、C 6H12O62原子原子是化學(xué)變化中的最小微粒。確切地說，在化學(xué)反應(yīng)中原子核不變，只有核外電子發(fā)生變化。（1）原子是組成某些物質(zhì)（如金剛石、晶體硅、二氧化硅等原子晶體）和分子的基本微粒。（2）原子是由原子核(中子、。

2、高中化學(xué)實驗裝置改進(jìn)羅嬌 2017.11.14,2,匯報內(nèi)容,一、高中化學(xué)實驗存在的問題,二、高中化學(xué)實驗裝置的改進(jìn),三、總結(jié)與收獲,3,一、高中化學(xué)實驗存在的問題,1. 安全隱患,2. 裝置復(fù)雜,3.浪費(fèi)藥品,.,4.實驗效果差,4,二、高中化學(xué)實驗裝置的改進(jìn),防止污染,5,6,7,8,9,10,減少消耗,11,簡化裝置,12,優(yōu)化裝置,13,14,微型實驗,15,綠豆大小電石、棉花,硫酸銅溶液 (除H2S、PH3),KMnO4溶液,溴水,點燃,16,17,應(yīng)用新技術(shù),18,19,三、總結(jié)與收獲,“變”的觀念,發(fā)現(xiàn)問題,反應(yīng)物、產(chǎn)物有毒或污染環(huán)境,實驗裝置、實驗過程繁雜,實驗效果不明顯,.,解決問題,替換。

3、專題歸納整合,請分別用一句話表達(dá)下列關(guān)鍵詞 混凝法 DO BOD 強(qiáng)電解質(zhì) 弱電解質(zhì) 鹽類水解 中和法 沉淀法 硬水 軟水 蒸餾 反滲透法 提示 混凝法：向天然水中加入混凝劑，細(xì)小的懸浮顆粒與膠體聚集較大的顆粒而沉淀，然后再用過濾的方法除去。 DO：表示水中溶解的氧氣量(mgL1) BOD：表示水中的微生物分解所需O2量 強(qiáng)電解質(zhì)：在水溶液中能夠完全電離的電解質(zhì),弱電解質(zhì)：在水溶液中不能完全電離的電解質(zhì) 鹽類水解：鹽中的弱酸陰離子或弱堿陽離子結(jié)合水電離出的H或OH生成弱電解質(zhì)的過程 中和法：將酸性或堿性廢水可采取中和反應(yīng)原理除雜的方法 。

4、,1,高中化學(xué)試卷的命制規(guī)范與策略,.,2,1.反應(yīng)4NH3+5O2=4NO+6H2O(g) 。在5L的密閉容器中反應(yīng)半分鐘后，NO的物質(zhì)的量增加了0.3mol，則VX為（ ）A.VNO=012mol/(L.min),1.反應(yīng)4NH3+5O2=4NO+6H2O(g) 。在5L的密閉容器中反應(yīng)半分鐘后，NO的物質(zhì)的量增加了0.3mol，則VX為（ ）A.VNO=012mol/(L.min),.,3,1、試卷標(biāo)題,年份 + 地域 + 考試性質(zhì)（三號宋體）,學(xué)科試卷（二號黑體）,例如：,2011年普通高等學(xué)校招生全國統(tǒng)一考試 理科綜合能力測試,武漢市2011屆高中畢業(yè)生四月調(diào)研考試 數(shù)學(xué)試卷,一、試卷格式的規(guī)范,.,4,2、試卷說明,本試卷共頁，全卷滿分。

5、學(xué)業(yè)分層測評,階段一,階段二,階段三,SO2,可吸入顆粒物,好,污染指數(shù)最大,各種污染物,污染指數(shù),最大,首要污染物,良,輕度污染,中度污染,中度重污染,二氧化碳,甲烷,水蒸氣,化石燃料用量猛增,森林面積急劇減少,森林,綠地面積,空氣質(zhì)量報告,溫室效應(yīng)。

6、高中化學(xué)必修 2 知識點歸納總結(jié) 3 篇高中化學(xué)必修 2 知識點歸納總結(jié)（一）一、原子結(jié)構(gòu)質(zhì)子（Z 個）原子核 注意：中子（N 個） 質(zhì)量數(shù)(A)質(zhì)子數(shù)(Z)中子數(shù)(N)Z1.原子數(shù) A X 原子序數(shù)=核電荷數(shù)=質(zhì)子數(shù)=原子的核外電子核外電子（Z 個）熟背前 20 號元素，熟悉 120 號元素原子核外電子的排布：H He Li Be B C N O F Ne Na Mg Al Si P S Cl Ar K Ca2.原子核外電子的排布規(guī)律：電子總是盡先排布在能量最低的電子層里；各電子層最多容納的電子數(shù)是2n2；最外層電子數(shù)不超過 8 個（K 層為最外層不超過2 個），次外層不超過 18 個，倒數(shù)第三層電子數(shù)。