半導(dǎo)體器件

1、111項(xiàng)目名稱： 新型光電子器件中的異質(zhì)兼容集成與功能微結(jié)構(gòu)體系基礎(chǔ)研究首席科學(xué)家： 任曉敏 北京郵電大學(xué)起止年限： 2010年 1月-2014 年 8月依托部門： 教育部222一、研究內(nèi)容擬解決的關(guān)鍵科學(xué)問題包括：1. 異質(zhì)兼容光電子集成中晶格-能隙適配與自組織納結(jié)構(gòu)生長的條件及機(jī)理。異質(zhì)兼容以及相關(guān)的工藝兼容問題是實(shí)現(xiàn)光電子集成所需解決的最基本的問題之一。 對(duì)于半導(dǎo)體光電 子集成而言，異 質(zhì)兼容就是要尋找異質(zhì)兼容光電子集成中晶格- 帶隙直接或間接適配的途徑與方法，包括（1）晶格顯著失配的不同材料系（如 Si 基、GaAs 基、InP 基及。

2、,第二篇 模擬電子技術(shù),.,第4章 常用半導(dǎo)體器件,4.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 4.2 半導(dǎo)體二極管 4.3 晶體三極管 4.4 場效應(yīng)管 （了解） 4.5 晶閘管（不講）,.,本章內(nèi)容提要重點(diǎn)：（1）二極管的單向?qū)щ娦裕唬?）三極管的三種工作狀態(tài)；難點(diǎn)：（1）整流電路的特點(diǎn)及應(yīng)用；（2）放大器的靜態(tài)分析及動(dòng)態(tài)分析；（3）晶體管三種組態(tài)放大電路比較。,.,4.1 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí),4.1.1 本征半導(dǎo)體,1、半導(dǎo)體,導(dǎo)體：導(dǎo)電能力好的物質(zhì)。如銅、鋁等,半導(dǎo)體：是一種導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì).如硅、鍺、硒、砷化鎵及一些硫化物和氧化物。, 半導(dǎo)體的物理特性。

3、,2、二極管限幅電路,當(dāng)輸入信號(hào)電壓在一定范圍內(nèi)變化時(shí)，輸出電壓隨輸入電壓做相應(yīng)變化；而當(dāng)輸入電壓超出該范圍時(shí)，輸出電壓保持不變，這種電路就是限幅電路。,通常將輸出電壓uo保持不變的電壓值稱為限幅電平。,當(dāng)輸入電壓高于限幅電平時(shí)，輸出電壓保持不變的限幅,上限幅,下限幅,當(dāng)輸入電壓低于限幅電平時(shí)，輸出電壓保持不變的限幅,.,ui 8V，二極管導(dǎo)通，可看作短路 uo = 8Vui V陰 二極管導(dǎo)通,若設(shè) UD=0.7V，則 UAB低于6V一個(gè)管壓降，UAB= 6.7V,.,兩個(gè)二極管的陰極接在一起取 B 點(diǎn)作參考點(diǎn)，斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電位。,V1。

4、,4.4 場效應(yīng)管,場效應(yīng)管是另外一類晶體管，也有三個(gè)極，分別為柵極（G）、源極（S）和漏極（D）。場效應(yīng)管工作時(shí)，參與導(dǎo)電的是單一極性的載流子，所以是單極性晶體管：噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)、低電壓工作場效應(yīng)管分為兩類，一類是結(jié)型場效應(yīng)管，另一類是絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）；按導(dǎo)電溝道分，每一類又分為P溝道和N溝道兩種；,.,各種MOS管的符號(hào),N溝道增強(qiáng)型,N溝道耗盡型,.,場效應(yīng)管和三極管比較1、三極管是兩種載流子（多子和少子）參與導(dǎo)電，故稱雙極型晶體管。而場效應(yīng)管是由一種載流子（多子）參與導(dǎo)電，N溝道管是電子，P溝道管是空。

5、,1,第5章 半導(dǎo)體器件,5.2 半導(dǎo)體二極管,5.3 硅穩(wěn)壓二極管,5.4 半導(dǎo)體三極管,5.5 絕緣柵型場效應(yīng)管,5.1 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí),5.6 電力半導(dǎo)體器件,.,2,在熱力學(xué)溫度零度 和沒有外界激發(fā)時(shí), 本征半導(dǎo)體不導(dǎo)電。,純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。它是共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。,本征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),5.1.1 本征半導(dǎo)體,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,5.1 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí),.,3,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,自由電子,空穴,自由電子和空穴的形成,成對(duì)出現(xiàn),成對(duì)消失,.,4,+4,+4,。