安全電壓為36V以下。安全電流為( 10mA )以下。本章重點內(nèi)容 l PN結(jié)及其單向?qū)щ娞匦?l 半導體二極管的伏安特性曲線 l 二極管在實際中的應用。1.1.1 本征半導體。第1章半導體二極管及其應用電路。1N型半導體。2P型半導體。圖1.2 N型半導體的結(jié)構(gòu)。
數(shù)電模電Tag內(nèi)容描述:
1、一. 填空題1、繼電保護裝置必須滿足選擇性、( 快速性 )、靈敏性和( 可靠性 )四個基本要求。 2、 安全工作規(guī)程是中規(guī)定:設(shè)備對地電壓高于( 250V )為高電壓;在 250V 以下為低電壓;安全電壓為36V以下;安全電流為( 10mA )以下。 3、 軟件測試時需要三類信息:軟件配置、( 測試配置 )、( 測試工具 )。4、 存儲容量為4K8位的RAM存儲器,其地址線為 ( 12 )條、數(shù)據(jù)線為 ( 8 ) 條。5、產(chǎn)品質(zhì)量特性包括:性能、( 壽命 )、可信性、( 安全性 )和經(jīng)濟性。6、PN結(jié)正偏時( 導通 ),反偏時( 截止 ),所以PN結(jié)具有( 單向 )。
2、揚州大學能源與動力工程學院 本科生課程設(shè)計 題 目 數(shù)字時鐘設(shè)計 課 程 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ) 專 業(yè) 電氣工程及其自動化 班 級 電氣8888班 學 號 111712345 姓 名 提莫隊長 指導教師 年 蔣 完成日期 2013年6月14日 總。
3、1,本章重點內(nèi)容 l PN結(jié)及其單向?qū)щ娞匦?l 半導體二極管的伏安特性曲線 l 二極管在實際中的應用,1.1 PN結(jié),1.1.1 本征半導體,(a)硅和鍺原子的簡化結(jié)構(gòu)模型 (b)晶體的共價鍵結(jié)構(gòu)及電子空穴對的產(chǎn)生 圖 1.1硅、鍺原子結(jié)構(gòu)模型及共價鍵結(jié)構(gòu)示意圖,第1章半導體二極管及其應用電路,2,1.1.2 雜質(zhì)半導體,1N型半導體,2P型半導體,圖1.2 N型半導體的結(jié)構(gòu),3,圖。
4、1,第六章 數(shù)字電路基礎(chǔ),軟件學院 侯剛,2,主要內(nèi)容,6.1 數(shù)字電路概述 6.2 邏輯代數(shù) 6.3 邏輯函數(shù)建立及表示方法 6.4 邏輯函數(shù)簡化,3,6.1 數(shù)字電路概述,模擬電子技術(shù)中介紹了基本放大器、多級放大器、反饋放大器以及集成運算放大器等,這些電路都是用來對模擬信號進行產(chǎn)生、放大、處理和運用的電路,因此把這些電路稱為模擬電路。 數(shù)字電子技術(shù)則是一門研究數(shù)字信號的產(chǎn)生、整形、編碼、運算。